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格羅方德為IBM提供定制化的14納米FinFET技術(shù)

半導(dǎo)體大廠GLOBALFOUNDRIES (格羅方德半導(dǎo)體，GF)表示，其14nm High Performance (HP) 技術(shù)現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)，此技術(shù)將運(yùn)用于 IBM 新一代服務(wù)器系統(tǒng)的處理器。在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知運(yùn)算時代，這項由雙方共同研發(fā)的14HP 制程，將協(xié)助IBM為其支持的云端、商務(wù)及企業(yè)級解決方案提供高效能及數(shù)據(jù)處理能力等兩大優(yōu)勢。

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2017-09-25

IBM 制程半導(dǎo)體格羅方德
看中物聯(lián)網(wǎng)市場如何搶攻40nm

你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進(jìn)展較快的一個。

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2017-09-22

中芯國際閃存內(nèi)存 rram
Vishay采用SlimDPAK封裝的新款TMBS®整流器在節(jié)省空間的同時，更可提高系統(tǒng)熱性能和效率

賓夕法尼亞、MALVERN — 2017年9月21日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流器系列，該器件采用eSMP®系列的SlimDPAK(TO-252AE)封裝。Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO-252AA)封裝的器件更薄，而散熱性能更好，反向電壓可以從45V到150V，正向?qū)▔航档?，電流等級高?/p>
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2017-09-21

Vishay 整流器
基于STM32F103RB和CC1101的無線數(shù)傳模塊設(shè)計

本文設(shè)計了一種可工作在433.00-434.79MHz，中心頻率為433.00MHz，輸出功率可調(diào)的無線數(shù)傳模塊。模塊采用STM32F103RB單片機(jī)和射頻芯片CC1101設(shè)計，利用EDA軟件ADS2008仿真優(yōu)化了射頻電路的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)。最后對無線模塊輸出功率，通信距離等參數(shù)進(jìn)行了測試和驗證。

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2017-09-21

STM32 無線數(shù)傳
臺積電馬不停蹄：下半年量產(chǎn)7nm

臺積電推進(jìn)先進(jìn)制程馬不停蹄，7納米將接續(xù)10納米于明年下半年大量產(chǎn)出，搶得技術(shù)領(lǐng)先之優(yōu)勢。合作伙伴IP廠商新思科技宣布成功完成臺積公司7納米FinFET制程IP組合的投片。

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2017-09-21

芯片臺積電 7nm
沒對比就沒傷害！英特爾左T右S 發(fā)布10nm和22FFL工藝

2017年9月19日，“英特爾精尖制造日”活動在北京舉行。本次活動云集了英特爾制程、制造方面最權(quán)威的專家團(tuán)，包括公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith，高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark Bohr，公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁、晶圓代工業(yè)務(wù)聯(lián)席總經(jīng)理Zane Ball，并了主題演講。

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2017-09-21

英特爾 10nm 22ffl
特瑞仕半導(dǎo)體株式會社推出3.0A 同步整流降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器 XC9274 / XC9275系列

特瑞仕半導(dǎo)體株式會社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理：芝宮　孝司　第二東京證券交易所:6616)研發(fā)了配備獨(dú)自的高速瞬態(tài)響應(yīng)控制HiSAT-COT的3.0A同步整流降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器XC9274/XC9275系列。

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2017-09-20

dc轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體
Intersil推出業(yè)內(nèi)首款15A、42V模擬電源模塊ISL8215M

ISL8215M提供高功率密度和效率，可簡化工業(yè)、醫(yī)療和通信設(shè)備的設(shè)計

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2017-09-20

intersil 模擬電源模塊
“英特爾精尖制造日”首推全球晶體管密度最高的制程工藝

今天舉行，展示了英特爾制程工藝的多項重要進(jìn)展，包括：英特爾10納米制程功耗和性能的最新細(xì)節(jié)，英特爾首款10納米FPGA的計劃，并宣布了業(yè)內(nèi)首款面向數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的64層3D NAND產(chǎn)品已實現(xiàn)商用并出貨。

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2017-09-20

晶體管英特爾摩爾定律
高通CEO呼吁行業(yè)加速部署5G商用

據(jù)路透社報道，高通CEO Steven Mollenkopf表示，2019年將是首款滿足5G標(biāo)準(zhǔn)的手機(jī)推出的時間，這將比預(yù)測的要早一年。

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2017-09-20

5G 驍龍
二虎相爭：三星挑戰(zhàn)臺積電

據(jù)報道，韓國三星電子挑戰(zhàn)臺積電的晶圓代工龍頭地位，宣示在全球晶圓代工市場的占有率，要從2016年的7.9%，在5年后躍升至25%。

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2017-09-19

三星臺積電儲存芯片
臺積電、ARM等聯(lián)手打造全球首款7nm芯片，2018年下半年出貨

屆時他們制造一類似CCIX的測試芯片。

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2017-09-19

ARM 臺積電 7nm
不服來戰(zhàn)！新款顯卡GTX 1070 Ti硬剛AMD

有消息稱，NVIDIA有意推出GTX 1070 Ti新品顯卡。

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2017-09-18

AMD 英偉達(dá) 顯卡gtx1070
臺積電全球首款7nm芯片2018年完成！

芯片的制造工藝這么多年一直都在穩(wěn)步進(jìn)步。從28nm到22nm，16nm，14nm等。最近有消息稱臺積電正在測試7nm制造工藝，預(yù)計于2018年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，當(dāng)前已經(jīng)吸引不少公司的注意。

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2017-09-18

ARM 臺積電 7nm芯片
臺積電ARM聯(lián)手：打造全球首款7nm芯片

臺積電今天宣布，計劃聯(lián)合ARM、Xilinx、Cadence，共同打造全球首個基于7nm工藝的芯片。

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2017-09-18

ARM 臺積電 7nm芯片

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