日韩aa成人电影在线观看,国产精品2023,亚洲成a人ⅴ欧美天堂

工信部部長李毅中：警惕物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)受制于人

4月14日，工業(yè)和信息化部部長李毅中近日出席2010年經(jīng)貿(mào)形勢報(bào)告會(huì)時(shí)表示，要大力發(fā)展3G、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)，同時(shí)，也要提高警惕，不能受制于人。關(guān)于哪些產(chǎn)業(yè)屬于新興戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，李毅中說，“看法不一，但新能

模擬
2010-04-15

物聯(lián)網(wǎng)技術(shù) 工信部控制傳感器
物聯(lián)網(wǎng)的未來嵌入式系統(tǒng)的機(jī)會(huì)

2010年3月27號，國內(nèi)嵌入式系統(tǒng)聯(lián)誼會(huì)在北航如心會(huì)議中心舉行，筆者有幸參加了這次研討會(huì)，此次會(huì)議的主題確定為當(dāng)前國家重點(diǎn)建設(shè)的科技方向之一--物聯(lián)網(wǎng)。與會(huì)的眾多國內(nèi)嵌入式系統(tǒng)專家、學(xué)者和從事嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的

模擬
2010-04-15

RFID 物聯(lián)網(wǎng) 嵌入式系統(tǒng) 檢測技術(shù)
張忠謀：臺(tái)積電14奈米制程以下世代不缺席

臺(tái)積電董事長張忠謀在美西時(shí)間13日的臺(tái)積電技術(shù)論壇中重申，2010年和2011年對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，將會(huì)是健康、不錯(cuò)的1年，并預(yù)估2011~2014年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)溫和成長格局，而摩爾定律腳步放緩是原因之一。未來臺(tái)積電透

模擬
2010-04-15

電子摩爾定律半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 臺(tái)積電
三星赴大陸設(shè)12吋廠？　臺(tái)DRAM廠看法保守

由于面板產(chǎn)業(yè)傳出三星電子(Samsung Electronics)在蘇州的面板廠申請案進(jìn)度延宕，將對大陸提出設(shè)置面板廠贈(zèng)送DRAM廠為誘因以利通過申請，DRAM業(yè)者認(rèn)為，除非三星對于設(shè)廠方式愿意開放合資，讓大陸官方有持股權(quán)，否則機(jī)

模擬
2010-04-15

DRAM 三星面板廠晶圓廠
LED封測設(shè)備商—長裕欣業(yè)

LED產(chǎn)業(yè)如火如荼的成長，不僅是LED的外觀、尺寸與形式等變化多端，其量測的范圍與準(zhǔn)確度要求也因各種不同產(chǎn)品應(yīng)用而不斷推陳出新，一般的設(shè)備商往往不愿意、也不能針對廠商端做如此多變的需求，做出實(shí)時(shí)反應(yīng)。而以開

模擬
2010-04-15

LED 測試設(shè)備自動(dòng)測試 LED封裝
茂德12吋廠逾80億元賣旺宏　坂本幸雄來臺(tái)助陣

茂德新竹12吋晶圓廠售予旺宏之事洽談快1年，雙方傳將正式對外宣布定案，且茂德找來合作伙伴爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄來臺(tái)助陣，宣示雙方合作關(guān)系緊密，茂德與旺宏該樁交易案金額約達(dá)新臺(tái)幣80億~90億元，這筆錢入袋

模擬
2010-04-15

DRAM 內(nèi)存爾必達(dá) Flash
昱晶首季大賺10.41億元，Q3前都萬里無云

昱晶(3514)率先公告首季自結(jié)財(cái)務(wù)結(jié)果，昱晶首季營收55.9億元，季衰退2%，營業(yè)利益為10.77億元，營業(yè)利益率為19%，稅后獲利為10.41億元，以期初平均流動(dòng)在外股數(shù)31.9億的股本計(jì)算，每股獲利為3.26 元，可望為首季最賺

模擬
2010-04-15

太陽能
臺(tái)積4/27、聯(lián)電4/28法說登場，半導(dǎo)體持續(xù)偏多

晶圓雙雄臺(tái)積電(2330) 與聯(lián)電(2303)今年Q1法說會(huì)，預(yù)計(jì)分別于4月27、28日兩天接續(xù)登場。在英特爾(Intel)Q1財(cái)報(bào)繳出創(chuàng)下歷年同期新高的獲利水平，并上調(diào)今年度毛利率至 64%，加上先前臺(tái)積電董事長張忠謀已表態(tài)看好

模擬
2010-04-15

半導(dǎo)體晶圓聯(lián)電臺(tái)積電
臺(tái)積電發(fā)展20奈米制程 2年后投產(chǎn)

臺(tái)積電（2330）于美西時(shí)間13日在加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，宣布將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，此制程預(yù)計(jì) 2012年下半年導(dǎo)入生產(chǎn)；董事長暨總執(zhí)行長張忠謀并重申今年全球半導(dǎo)體業(yè)的產(chǎn)值將年增長22%，明年

模擬
2010-04-15

研討會(huì) 臺(tái)積電波段
先進(jìn)制程臺(tái)積超越英特爾

臺(tái)積電研究資深發(fā)展副總蔣尚義表示，臺(tái)積電將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計(jì)2012年第三季導(dǎo)入，2013 年大量量產(chǎn)，進(jìn)度首度超越半導(dǎo)體龍頭英特爾，讓臺(tái)積電在先進(jìn)制程發(fā)展拿下全球第一。蔣尚義于美西時(shí)

模擬
2010-04-15

半導(dǎo)體英特爾先進(jìn)制程臺(tái)積電
直接上20nm? 臺(tái)積電玩火又要坑NV+AMD

為了在競爭激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進(jìn)的制造技術(shù)，臺(tái)積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研發(fā)，直接上馬更高級的20nm工藝。有趣的是，臺(tái)積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經(jīng)不約而同地先后取消了32nm Bul

模擬
2010-04-15

AMD 臺(tái)積電柵極 AN
TSMC宣布跳過22納米直接發(fā)展20納米工藝

TSMC于美西時(shí)間13日在美國加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過22納米工藝，直接發(fā)展20納米工藝。此系基于「為客戶創(chuàng)造價(jià)值」而作的決定，提供客戶一個(gè)更可行的先進(jìn)工藝選擇。此次技術(shù)研討會(huì)有1,500位客戶及合

模擬
2010-04-15

芯片研討會(huì) 電晶體 TSMC
臺(tái)積電發(fā)展20奈米制程，2012年下半導(dǎo)入生產(chǎn)

臺(tái)積電(2330)于美西時(shí)間13日在加州圣荷西市舉行技術(shù)研討會(huì)，會(huì)中宣布將跳過22奈米制程，直接發(fā)展20奈米制程，預(yù)計(jì)于2012年下半開始導(dǎo)入生產(chǎn)。此次技術(shù)研討會(huì)有1500位客戶及合作廠商代表參與，臺(tái)積公司研究發(fā)展資深副

模擬
2010-04-14

晶體管芯片研討會(huì) 臺(tái)積電
比黃金貴十倍天科合達(dá)碳化硅晶片產(chǎn)量全球第三

外觀像透明玻璃，厚薄似一張紙，大小如一次性紙杯杯底——日前，記者在蘇州天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司看到了該公司的產(chǎn)品：一片2英寸大的“碳化硅晶片”?？蓜e小看這片圓圓的“小東西”，它是第三代半導(dǎo)體的核心材

模擬
2010-04-14

晶片碳化硅晶體 CREE
臺(tái)積電跳過22nm，直接從28nm到20nm

半導(dǎo)體廠商臺(tái)積電（TSMC），在近日舉行的2010TechnologySymposium討論會(huì)上，再度做出了驚人的壯舉，跳過22nm，直接從28nm到20nm制造工藝。臺(tái)積電公司發(fā)言人蔣尚義表示，20nm工藝的轉(zhuǎn)換將會(huì)帶來極高的柵密度以及優(yōu)于

模擬
2010-04-14

臺(tái)積電制造工藝 POS PATTERN

首頁上一頁 1330 1331 1332 1333 1334 1335 1336 1337 1338 1339 下一頁尾頁

發(fā)布文章

模擬

工信部部長李毅中：警惕物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)受制于人

物聯(lián)網(wǎng)的未來嵌入式系統(tǒng)的機(jī)會(huì)

張忠謀：臺(tái)積電14奈米制程以下世代不缺席

三星赴大陸設(shè)12吋廠？　臺(tái)DRAM廠看法保守

LED封測設(shè)備商—長裕欣業(yè)

茂德12吋廠逾80億元賣旺宏　坂本幸雄來臺(tái)助陣

昱晶首季大賺10.41億元，Q3前都萬里無云

臺(tái)積4/27、聯(lián)電4/28法說登場，半導(dǎo)體持續(xù)偏多

臺(tái)積電發(fā)展20奈米制程 2年后投產(chǎn)

先進(jìn)制程臺(tái)積超越英特爾

直接上20nm? 臺(tái)積電玩火又要坑NV+AMD

TSMC宣布跳過22納米直接發(fā)展20納米工藝

臺(tái)積電發(fā)展20奈米制程，2012年下半導(dǎo)入生產(chǎn)

比黃金貴十倍天科合達(dá)碳化硅晶片產(chǎn)量全球第三

臺(tái)積電跳過22nm，直接從28nm到20nm

活動(dòng)預(yù)告

論壇

相關(guān)標(biāo)簽

課程視頻