CAN發(fā)送器(上)

一文搞懂單端信號、差分信號的定義和區(qū)別

?單端信號?：單端信號采用導(dǎo)體與參考地之間的電位差進(jìn)行信息傳遞，即信號由一個(gè)參考端(通常為地端)和一個(gè)信號端構(gòu)成。其核心在于依賴信號線與地線之間的電壓差傳遞信息。?差分信號?：差分信號采用雙線互補(bǔ)傳輸模式，即在這兩根線上都傳輸信號，且這兩個(gè)信號的振幅相等、相位相反。信號接收端通過比較這兩個(gè)電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。

盤點(diǎn)單相電機(jī)啟動(dòng)為何需電容輔助，三相電機(jī)無需

三相電機(jī)則截然不同，它利用三相交流電源供電。三相交流電通過定子繞組后，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)旋轉(zhuǎn)磁場。這個(gè)旋轉(zhuǎn)磁場的轉(zhuǎn)速與電源頻率和電機(jī)極對數(shù)緊密相關(guān)。在旋轉(zhuǎn)磁場的作用下，三相電機(jī)的轉(zhuǎn)子會(huì)開始旋轉(zhuǎn)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)。值得注意的是，三相電機(jī)的定子繞組通常由三個(gè)空間上相差120度電角度的對稱繞組組成。當(dāng)三相交流電依次通過這三個(gè)繞組時(shí)，會(huì)形成一個(gè)方向和大小隨時(shí)間變化的旋轉(zhuǎn)磁場。

阻抗分析儀與矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀：阻抗測試的異同解析

在電子測量領(lǐng)域，阻抗作為表征元件或系統(tǒng)電磁特性的核心參數(shù)，其精準(zhǔn)測量直接影響產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)檢測與性能優(yōu)化。阻抗分析儀和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)是兩類常用的阻抗測試儀器，二者既存在原理與功能的交集，又在測試場景、精度表現(xiàn)等方面有著顯著區(qū)別。本文將從測試原理、核心性能、適用范圍等維度，系統(tǒng)解析二者的異同點(diǎn)，為工程技術(shù)人員的儀器選型提供參考。

無源晶振輸出波形畸變的成因與系統(tǒng)影響分析

無源晶振作為電子系統(tǒng)的 “時(shí)鐘心臟”，其輸出正弦波形的完整性直接決定了設(shè)備的運(yùn)行精度與穩(wěn)定性。然而在實(shí)際應(yīng)用中，波形畸變現(xiàn)象頻發(fā)，表現(xiàn)為諧波疊加、邊沿模糊、幅度波動(dòng)等多種形式。深入剖析畸變成因并明確其系統(tǒng)危害，對電子設(shè)計(jì)具有重要指導(dǎo)意義。

強(qiáng)電與弱電 PCB 設(shè)計(jì)的核心注意事項(xiàng)解析

在電子設(shè)備集成化趨勢下，強(qiáng)電與弱電共存于同一 PCB 板已成為常態(tài)。強(qiáng)電系統(tǒng)(通常指交流 220V 以上或直流 36V 以上電路，如電源回路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等)具有高電壓、大電流特性，弱電系統(tǒng)(如信號處理、控制電路、通信模塊等)則以低電壓、小電流、高靈敏度為特點(diǎn)。兩者在 PCB 設(shè)計(jì)中若處理不當(dāng)，極易產(chǎn)生電磁干擾(EMI)、絕緣擊穿、信號失真等問題，甚至引發(fā)安全隱患。因此，掌握強(qiáng)電與弱電 PCB 設(shè)計(jì)的關(guān)鍵注意事項(xiàng)，是保障設(shè)備穩(wěn)定性、安全性和可靠性的核心前提。

CLMOS，氮化鎵、碳化硅、砷化鎵這四種半導(dǎo)體如何區(qū)分

四種半導(dǎo)體的本質(zhì)區(qū)別源于材料構(gòu)成、晶體結(jié)構(gòu)和能帶特性，這直接決定了它們的性能邊界和應(yīng)用方向：

共模扼流線圈：電源線靜噪的核心對策與實(shí)踐應(yīng)用

在電子設(shè)備日益普及的當(dāng)下，電源線作為能量傳輸?shù)暮诵耐ǖ溃潆姶偶嫒菪?EMC)直接影響設(shè)備穩(wěn)定性與周邊環(huán)境安全。靜噪問題 —— 即電源線傳導(dǎo)的共模干擾，已成為制約電子設(shè)備性能的關(guān)鍵瓶頸。共模扼流線圈憑借其對共模信號的抑制特性，成為電源線靜噪的首選解決方案。本文將從共模干擾的產(chǎn)生機(jī)制出發(fā)，系統(tǒng)闡述共模扼流線圈的工作原理、選型技巧、安裝要點(diǎn)及實(shí)際應(yīng)用場景，為工程實(shí)踐提供全面指導(dǎo)。

關(guān)于晶振負(fù)載電容和晶振兩邊的電容有何不同？

晶振負(fù)載電容(CL)與兩端外接電容(通常標(biāo)注為 CL1、CL2)的核心差異始于定義本質(zhì)。負(fù)載電容是晶振出廠時(shí)固化的固有電氣參數(shù)，是跨接晶體兩端的總有效電容等效值，由晶體自身工藝決定，無法在應(yīng)用中更改。常見標(biāo)準(zhǔn)值為 6pF、12.5pF、16pF、20pF 等，低功耗設(shè)備(如藍(lán)牙耳機(jī)、腕表)多采用 6-12pF 小容量負(fù)載電容，通用電子設(shè)備則以 15-30pF 為主。

開關(guān)穩(wěn)壓器拓?fù)浣翟耄涸O(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)與實(shí)踐應(yīng)用

開關(guān)穩(wěn)壓器因高效、小型化優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域，但開關(guān)管的高頻通斷會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰、電流紋波等噪聲，嚴(yán)重影響敏感電路的穩(wěn)定性。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)作為穩(wěn)壓器的核心框架，其設(shè)計(jì)合理性直接決定噪聲水平。本文從噪聲產(chǎn)生機(jī)理出發(fā)，詳解拓?fù)鋬?yōu)化、輔助設(shè)計(jì)及工程實(shí)踐中的降噪技巧，為設(shè)計(jì)人員提供系統(tǒng)性解決方案。