RetinaNet 的密集預(yù)測：破解類別不平衡難題的單階段目標檢測范式(二)

多尺度人臉特征提取的核心邏輯與技術(shù)基礎(chǔ)

圖像和視頻分析：從靜態(tài)感知到動態(tài)理解的視覺智能演進(四)

模擬人類視覺：從生物機制到機器智能的視覺認知重構(gòu)(三)

開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路的RCD緩沖設(shè)計詳解

在開關(guān)電源設(shè)計中，MOSFET作為核心開關(guān)器件，其開關(guān)過程產(chǎn)生的電壓尖峰和電磁干擾（EMI）問題直接影響系統(tǒng)可靠性。RCD（電阻-電容-二極管）緩沖電路通過鉗位電壓尖峰、抑制振蕩，成為保護MOSFET的關(guān)鍵技術(shù)。本文從工作原理、參數(shù)設(shè)計、優(yōu)化策略三方面解析RCD緩沖電路的核心設(shè)計要點。

電源模塊并聯(lián)均流控制電路的設(shè)計與調(diào)試技巧

在數(shù)據(jù)中心、電動汽車、通信基站等高可靠性電力電子系統(tǒng)中，單模塊電源的功率密度和冗余能力已難以滿足需求，多模塊并聯(lián)技術(shù)成為提升系統(tǒng)容量與可靠性的關(guān)鍵方案。然而，模塊間參數(shù)差異（如輸出電壓、內(nèi)阻、溫度系數(shù)）會導(dǎo)致并聯(lián)時電流分配不均，輕則降低效率，重則引發(fā)模塊過載損壞。本文結(jié)合工程實踐，系統(tǒng)闡述并聯(lián)均流控制電路的設(shè)計原則與調(diào)試技巧。

電源模塊灌封工藝與散熱性能提升的工程實踐

在電力電子設(shè)備向高功率密度、高可靠性演進的趨勢下，電源模塊的散熱設(shè)計已成為制約系統(tǒng)穩(wěn)定運行的核心瓶頸。灌封工藝作為兼顧機械防護與熱管理的關(guān)鍵技術(shù)，通過材料選擇、工藝優(yōu)化及結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，可顯著提升模塊的散熱效率與環(huán)境適應(yīng)性。本文結(jié)合新能源汽車OBC（車載充電機）與工業(yè)伺服驅(qū)動器的工程案例，系統(tǒng)闡述灌封工藝對散熱性能的影響機制及優(yōu)化策略。

ESP32為什么會成物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)的全能選手

物聯(lián)網(wǎng)

圖像分類面臨的挑戰(zhàn)與未來發(fā)展方向(一)

PCB 設(shè)計中銅箔厚度、線寬與電流的關(guān)系解析

在印制電路板(PCB)設(shè)計中，銅箔厚度、線寬與電流承載能力的匹配是決定電路可靠性的關(guān)鍵因素。不合理的參數(shù)搭配可能導(dǎo)致銅箔過熱、燒毀甚至電路失效，而過度設(shè)計則會增加成本與空間浪費。本文將系統(tǒng)解析三者的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，為工程師提供科學(xué)的設(shè)計依據(jù)。