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[導(dǎo)讀]對(duì)于頻率變換器的基本頻率(局部振蕩頻率)使用晶體振蕩電路,則稱之為晶體變換器。此一晶體變換器加在接收機(jī)的前級(jí),便可以接收與原來接收機(jī)不同頻率的信號(hào)。在此,所接收的頻率選擇為Air Band的118M~136MHz中的一部分

對(duì)于頻率變換器的基本頻率(局部振蕩頻率)使用晶體振蕩電路,則稱之為晶體變換器。此一晶體變換器加在接收機(jī)的前級(jí),便可以接收與原來接收機(jī)不同頻率的信號(hào)。在此,所接收的頻率選擇為Air Band的118M~136MHz中的一部分,此為航空通信所使用的頻帶。

晶體變換器的概要
  圖17所示的為晶體變換器的方塊圖??梢越邮?18~136MHz的Air Band的一部分信號(hào),將其變換成為原來的接收機(jī)(主接收機(jī))的頻率。圖中所示的主接收機(jī)可以接收50MHz頻帶的AM信號(hào)。

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  頻率變換為利用FET的順方向傳達(dá)電導(dǎo)(Admittance)的變化,以達(dá)到乘算的作用。所使用的FET為Dual-Gate FET。
  從天線所輸入的信號(hào)經(jīng)過高頻率放大用的DuaIGateFET3SK73的放大。為了改變高頻率放大電路的放大率,可以控制3SK73的G2(Gate2)的電壓。
  為了得到目標(biāo)的局部振蕩頻率,將12MHz的晶體振蕩器的頻率做(×3×2=)6倍頻,以取出72MHz。
  在頻率變換電路中,再將接收頻率的122MHz與此一72MHz混合,變換成為差的122M-72MHz=50MHz。
  Air Band(航空頻帶)的接收頻帶為136M~118MHz=18MHz,但是,主接收機(jī)的頻帶一般僅約為數(shù)MHz而已。在此所使用的業(yè)余無(wú)線電機(jī)的接收頻率為50M~54MHz,可以含蓋的頻帶范圍。也即是122M~l26MHz的4MHz頻帶寬。在此,如果利用SW切換晶體的頻率至11.333MHz時(shí),便可以接收118M~122MHz的頻率信號(hào),總共可接收8MHz頻寬的信號(hào)。
  最后所得到的晶體變換器電路圖如圖18所示

  頻率變換為利用FET的順方向傳達(dá)電導(dǎo)(Admittance)的變化,以達(dá)到乘算的作用。所使用的FET為Dual-Gate FET。
  從天線所輸入的信號(hào)經(jīng)過高頻率放大用的DuaIGateFET3SK73的放大。為了改變高頻率放大電路的放大率,可以控制3SK73的G2(Gate2)的電壓。
  為了得到目標(biāo)的局部振蕩頻率,將12MHz的晶體振蕩器的頻率做(×3×2=)6倍頻,以取出72MHz。
  在頻率變換電路中,再將接收頻率的122MHz與此一72MHz混合,變換成為差的122M-72MHz=50MHz。
  Air Band(航空頻帶)的接收頻帶為136M~118MHz=18MHz,但是,主接收機(jī)的頻帶一般僅約為數(shù)MHz而已。在此所使用的業(yè)余無(wú)線電機(jī)的接收頻率為50M~54MHz,可以含蓋的頻帶范圍。也即是122M~l26MHz的4MHz頻帶寬。在此,如果利用SW切換晶體的頻率至11.333MHz時(shí),便可以接收118M~122MHz的頻率信號(hào),總共可接收8MHz頻寬的信號(hào)。
  最后所得到的晶體變換器電路圖如圖18所示 

  利用Dual-Gate FET所做成的高頻率放大/頻率變換電路
  以下說明利用Dual-Gate FET 3SK73GR做為設(shè)計(jì)的情形。在此用來做為晶體變換器的高頻率放大電路與頻率變換電路使用。
  圖19所示的為FET 3SK73的規(guī)格特性。應(yīng)注意其極限參數(shù)。

 

 

圖19 VHF頻帶用Dual-Gate FET 3SK73的特性[取自東芝的規(guī)格表]電氣的特性(源極接地Ta=25℃

圖19 VHF頻帶用Dual-Gate FET 3SK73的特性(續(xù))
圖20所示的為各種性能。由其中的圖(C)所示的順方向傳達(dá)電導(dǎo)|yfs|特征,可以知道VG1S=0.5V,VD2S=4V時(shí),|yfs|=23mS。

 

圖20 3SK73的諸項(xiàng)特性
(此為使用廠商的數(shù)據(jù)規(guī)格所做的設(shè)計(jì)。在G2電壓(AGC電壓)為0~2V時(shí),電功率放大率為l0~24dB變化。) 
   根據(jù)以上的條件,從圖(a)與圖(b)的特性可以求出漏極電流ID=14mA。
  可是,如圖(e)所示,在外部溫度Ta達(dá)到75℃時(shí),漏極電功率損失PD必須控制在150mW以下。此時(shí),可以求出漏極-源極間電壓VDS=150/14=10.7V。
  根據(jù)3SK73GR的IDSS分類,有6mA~14mA。由特性圖可以看出,所流通的ID值較大,為考慮余裕度,電源電壓設(shè)計(jì)為6V。
  圖(d)所示的為AGC (Automatic Gain Contro1)電壓與噪聲指數(shù)NF,以及電功率放大率Gps的關(guān)系。此所示的雖然為在VG1S=0V時(shí)的數(shù)據(jù),但是,相當(dāng)不太大,因此,可以直接如此使用。
  ACC電壓是指VG2S,在VG2S=4V時(shí),NF約為2dB。此一數(shù)值對(duì)于高頻率放大電路而言,還算可以。
  電功率放大率約為25dB。VG2S為0~4V變化時(shí),其放大率為在+10~+25dB間變化。也即是,利用VC2S,可以改變的放大率約為15dB。

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