任何技術的成功都應該在距它首次應用多年后才能衡量，而不是在剛走出開發(fā)實驗室之時。許多技術先進的產品失敗了，也有許多較簡單的產品在許多年內取得了巨大收入。對任何新興技術未來的預測都要求在新產品提供的較少量信息和類似產品的純歷史角度基礎上進行，不能寄希望于預測未來事件和人類行為。只有時間能檢驗一切。

在實驗室和在新聞報道中對所謂的通用存儲器的討論也許已經有10年時間了。雖然10年時間看來起不算長，但在半導體世界中已經非常漫長。你想，1999年256MB的DRAM還是高端產品，250nm邏輯工藝如果算不上非常尖端的技術也是前沿工藝技術。在消費產品中，蘋果剛在iMac系列電腦中刪除1.44MB的軟驅，Iomega的100MB Zip驅動器就已經非常流行了。當時USB驅動器剛剛推出，容量在8MB左右，與任何新技術一樣價格很貴。(現在，4GB的U盤和傳統(tǒng)的鉛筆和尺子一樣已經成為六年級學生的必備文具用品)

以上對存儲器發(fā)展之路的回顧不僅僅是懷舊之心使然。還在Zip驅動器全盛時期，三種“第一輪”競爭技術——PCRAM、MRAM和FeRAM——就已被認為是通用存儲器的候選技術。但直到今天，對候選技術的爭論仍然沒有停止。

相變RAM(PCRAM，或Numonyx公司現在簡稱的PCM)最終問世了。在2009年11月5日發(fā)表的Chipworks反向工程博客貼上出現了這個詞組：期待已久的相變存儲器(PCM)。這個詞組很好地表達了PCRAM漫長的市場之旅。但是，考慮到近年來激進的營銷和有關PCM的新聞覆蓋，博主也許要再加上“更多期待”這個詞。

如果沒有忘記的話，1970年相變內存還有一個別名，叫奧弗辛斯基電效應統(tǒng)一存儲器，當時256位版本曾出現在電子期刊封面上。現在，你也可能看到PRAM這個單詞，它隱含意味著PCRAM是一種“完美”的RAM。

Chipworks對Nymonyx PCRAM的反向工程分析證明，PCRAM產品終于成功了。存儲器陣列的橫截面表明，PCRAM單元似乎由至少一個“上層”硅化觸點和一層壓縮在勢壘層內的相變材料組成。這種結構位于鎢插件的頂部。

查看有關PCRAM的一些早期專利可以發(fā)現，Intel公司可能傾向于阻性加熱，其相變材料的形狀由側壁間隔層定義。事實上，美國專利號7049623描述了由氣孔和側壁間隔層定義的相變材料形狀。相變材料再被上電極和下電極連接。

總之，采用更高分辨率的傳輸電極顯微鏡和化學分析方法對實際PCM單元結構進行全面分析后就能了解任何已發(fā)布專利的相關信息。

大約今年9月底，三星公司發(fā)布了512Mb的器件。這個容量強調說明PCRAM將沖擊更高位密度的存儲器市場。三星公司暗示在NOR閃存插座中使用PCRAM可以節(jié)省20%的功耗。

在所有第一輪候選技術中，PCRAM可能獲得過最多的關注(包括本文)，盡管它是最后一個開發(fā)出來。

磁阻RAM是第二個跳出龍門的，最早是2005年飛思卡爾推出的器件。雖然MRAM不再位列新聞稿頭條，但曾在半導體世界引起強烈反響。許多人希望MRAM能夠“什么都做”，包括用作微控制器的片上緩存。畢竟這只是一種交叉器件，可以用于在布線層之間交叉處的后端處理。

但是，MRAM從未在空間應用之外使用過，或作為電池供電SRAM的替代品。再從商業(yè)角度看，賽普拉斯公司在2005年2月就想出售其MRAM部門，飛思卡爾公司則在2008年6月分出MRAM部門成立了Everspin公司。目前，Everspin供應市場的器件容量最高達16Mb，公司網站只介紹了獨立的存儲器產品。

MRAM已經取得了很大的成功：它的防幅射性能使得它成為衛(wèi)星和其它空間應用的首選SRAM替代品。但MRAM仍無法滿足通用存儲器要求，這可能鼓勵存儲器行業(yè)尋找另一種能夠擔當這個角色的存儲器技術。

在經過15分鐘長時間的聚光燈照射后，鐵電RAM自認為是通用存儲器競爭中的姣姣者。由于缺乏可擴展性，FeRAM早期曾被多次拋棄過。畢竟存儲器領域的下一件大事是需要替代已經達Gb容量的閃存。目前最高密度的FeRAM還在Mb范圍，比如Ramtron公司推出的8Mb獨立存儲器。

具有諷刺意味的是，FeRAM在過去10年中一直在商用化生產，并且獲得了第一輪侯選技術中最高的收入。

位密度不是FeRAM(或MRAM)的特長。FeRAM資深公司Ramtron和富士通都能提供獨立和嵌入式存儲器產品，而且嵌入式應用可能有很好的結果。富士通已經將FeRAM集成進RFID產品中多年了，而Ramtron推出的控制器用于數據采集設備。大約七年前，TI公司宣布開發(fā)FeRAM，作為系統(tǒng)級芯片中的SRAM替代品。

FeRAM和MRAM已經深入到大量低位密度應用和市場空間。智能電表、打印機墨盒和工控機就是很好的三個例子。對它們的一般要求是快速寫入和高的寫入可靠性，在這方面閃存器件和傳統(tǒng)的E2PROM都無法勝出。讓人特別感興趣的一種新興應用是非易失性寄存器(參考第31頁內容)。這真的會是向瞬子計算機邁出的前幾步嗎?

位密度當然是NAND閃存的過人之處。展望未來，重要的是要記住NAND閃存的位密度將以驚人的速度提高。即使是今天，Intel和Micron Technology已經發(fā)布32Gb、3位/單元的器件。這些器件采用先進的34nm工藝節(jié)點制造。得益于對NAND閃存的巨額投資和推動而大幅提高的這種位密度肯定會使任何試圖充當通用存儲器的創(chuàng)新技術面臨重重困難。

另一方面，閃存世界也不是十全十美。在今年夏天舉行的閃存高峰會議上，許多人表示了高度的關注，從SanDisk創(chuàng)始人Eli Harari對NAND閃存業(yè)務模型的評價，到Sun閃存技術專家Michael Cornwell對企業(yè)消費者對NAND閃存需求的展望。也許閃存到25nm以后將接近極限。

即使十年以后，我們也有把握認為第一輪候選技術并不能實現通用存儲器，不管是寫可靠性、寫速度還是位密度方面的原因。同時，第一輪技術的演變可能已經造成非易失性、然后是通用存儲器市場中的分歧。目前在低位密度技術和高位密度器件之間有明顯的分化。

閃存已經開啟一個位密度攀升的信道，這將使第一輪技術幾乎不可能跟上。第一輪候選技術要想跟上目前的閃存密度，必須縮放到更精細的工藝尺寸。同時，讓閃存保持跟蹤縮放曲線也變得越來越昂貴。保持最小可靠性標準也變得更具挑戰(zhàn)性。

經過十年多的開發(fā)，目前有三種“新的”非易失性存儲技術，并且還有多種新的想法從實驗室冒出來。來自Crocus Technologies、Grandis和Unity Semiconductor的概念就是三個很好的例子。

今年5月公開自己身份的Unity公司似乎把矛頭直接指向NAND閃存替代品。搜索美國專利與商標辦公室的數據庫可以發(fā)現，Unity公司正在積極尋求專利保護。80份公開申請已分配給Unity。一份批準的專利(專利號6753561)討論了交叉點存儲器的結構。其中的圖片描繪了位于兩個傳導陣列線之間的七層“內存插件”。在這個插件中，復雜的金屬氧化物(CMO)組成了內存單元。這可能是值得期待的下一種技術。

新聞稿冊數的多少并不能表明未來產品能否取得成功。專家的意見也好不到哪兒去。首先應該是市場的反應，但即使這個也不能保證產品成功。真正的檢驗只能經過許多年以后才能有結果。我們不要太短視，非要從非易失性存儲器競爭者中選取贏家，但也許現在至少是不去想通用存儲器概念的時候。

不要再考慮那些不切實際的目標了，新興存儲器公司，也許更重要的是他們的投資者，應該專注于如何最好地使用他們的創(chuàng)新技術。

放棄對舊市場的追逐吧，不管它有多么巨大。相反，要打起精神去尋找只能由你的發(fā)明開啟的新市場。