引言

CCM3118是蘇州國芯公司一款32位高性能、低功耗SoC芯片，以32位C*CORE C310處理器為核心，并有3個串口，2個智能卡接口，1個PS/2接口，1個LCDC控制器，多達72個通用輸入輸出引腳（GPIO）等豐富資源，在稅控收款機、POS機等領域廣泛應用。稅控收款機所管理的商品、發(fā)票、銷售記錄等數(shù)據(jù)量非常大，并且國家稅控機標準中對數(shù)據(jù)的保存時間、可靠性有明確要求，故需要一種大容量、單位比特價格低、讀寫性能好、能夠長時間可靠保存數(shù)據(jù)的非易失存儲器。

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。NOR FLASH較早為業(yè)界采用，但由于其成本較高及寫入速度較慢的先天弱勢，使其僅能在注重執(zhí)行速度或小量數(shù)據(jù)儲存的地方使用。NAND FLASH結構強調降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級，是高密度數(shù)據(jù)存儲的理想解決方案。

  1 NAND FLASH芯片

1.1 芯片介紹

NAND FLASH是采用NAND結構技術的非易失存儲器，內存有8位和16位兩種組織形式，本文所討論的FLASH都是8位的。FLASH的I/O接口可用于控制命令和地址的輸入，也可用于數(shù)據(jù)的輸入和輸出。FLASH主要以頁為單位進行讀寫（也能夠以字節(jié)為單位進行讀寫），以塊為單位進行擦除。FLASH頁的大小和塊的大小不同類型塊結構而不同，塊結構有兩種：小塊（圖一）和大塊（圖二），小塊FLASH包含32個頁，每頁512+16字節(jié)；大塊FLASH包含64頁，每頁2048+16字節(jié)。

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（圖一，小塊類型FLASH）

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（圖二，大塊類型FLASH）

大塊和小塊FLASH都有與頁大小相同大小的頁寄存器，用于數(shù)據(jù)緩存。當讀數(shù)據(jù)時，先從FLASH內存單元把數(shù)據(jù)讀到頁寄存器，外部通過訪問FLASH I/O端口獲得頁寄存器中數(shù)據(jù)（地址自動累加）；當寫數(shù)據(jù)時，外部通過FLASH I/O端口輸入的數(shù)據(jù)首先緩存在頁寄存器，寫命令發(fā)出后才寫入到內存單元中。

FLASH典型的讀操作時間為50ns/字，寫操作時間為200us/頁，擦除操作時間為2ms/塊，塊擦寫次數(shù)超過100K，數(shù)據(jù)保存時間超過10年。

1.2 固有特性

NAND FLASH自身有一些特性，導致其不能象普通磁盤那樣進行操作。主要特性如下：

a) 出廠時可能存在壞塊，并且使用過程中也會有壞塊出現(xiàn)。

b) 按頁寫，按塊擦除。

c) 寫操作只能在空或已擦除的單元內進行。

d) 塊的擦寫壽命有次數(shù)限制。

e) 塊擦除時間與頁讀寫時間相比十分長。

需要通過軟件的支持來消除這些特性導致的不足，使得能象操作普通磁盤一樣進行FLASH操作。 2 CCM3118操作NAND FLASH工作原理

CCM3118提供多達72個通用輸入輸出引腳，擴展與FLASH的接口非常簡單、方便，CCM3118與K9F5608 NAND FLASH的接口電路圖如圖三所示：

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sp; （圖三，K9F5608與CCM3118接口電路圖）

通過軟件把CCM3118相關引腳設置為GPIO功能，并設置其方向。按照FLASH讀、寫、擦除操作時序要求操作這些I/O引腳。圖四、圖五、圖六分別是K9F5608系列小塊FLASH的讀、寫、擦除操作時命令、地址、數(shù)據(jù)部分的序列：

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（圖四，讀操作序列）

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（圖五，寫操作序列）

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（圖六，擦除操作序列）

在操作序列中，通過對R/B信號的判斷可以知道操作是否結束。對于寫和擦除操作，在寫命令（0x10H）和擦除命令（0xD0H）發(fā)出之后才進行真正的操作，操作結束后，可以通過發(fā)命令（0x70H）查詢操作是否成功。3 閃存固件程序設計

閃存固件程序的需求來源于FLASH本身的物理機制（用I/O接口傳送控制命令、地址和數(shù)據(jù)信息），和其固有特性導致的不足。所以在考慮軟件設計的時候，應該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理的算法。FLASH基本的讀/寫/擦操作，通常稱作為內存技術驅動程序（MTD-- Memory Technology Devices）；高一級的磁盤仿真和閃存管理，通常稱作為閃存轉換層（FTL-- Flash TranslationLayer）。FTL層的管理程序調用MTD接口進行數(shù)據(jù)的存取，閃存固件程序的架構如圖七所示。

  （圖七，閃存固件程序架構）

3.1 MTD層

不同廠商、不同F(xiàn)LASH結構導致閃存的控制命令有所差異，不同容量導致地址字節(jié)數(shù)不同。例如三星K9F5608系列讀數(shù)據(jù)方式是：控制命令0x00H，3個字節(jié)的地址，讀信號，但K9F1G08系列讀數(shù)據(jù)方式是：控制命令0x00H，5個字節(jié)的地址，控制命令0x30H，讀信號。

在MTD層需要針對這些差異，實現(xiàn)相應的驅動。而且MTD層應該封裝這些差異向FTL層提供統(tǒng)一的接口，使得FTL層能夠訪問任意物理地址的數(shù)據(jù)，而不關心控制命令序列和地址字節(jié)數(shù)。值得注意的是雖然最上層的應用都是以扇區(qū)（在FLASH里稱為頁）為單位讀寫數(shù)據(jù)，但FTL層的管理程序需要對FLASH的冗余數(shù)據(jù)區(qū)（SPARE AREA）進行數(shù)據(jù)操作（一般FTL層的管理程序所用的數(shù)據(jù)存放在冗余數(shù)據(jù)區(qū)），所以MTD層也需要提供字節(jié)地址而不僅僅是頁地址的訪問能力。

3.2 FTL層

FTL層的管理程序主要目的是消除FLASH固有特性帶來的不足，讓上層應用程序以類似于磁盤的方式對FLASH進行操作。

3.2.1 初始化

在FLASH出廠時已經(jīng)對壞塊做了標記，所以閃存芯片在被第一次訪問時需要根據(jù)廠方定義的壞塊識別方法識別出所有壞塊，建立壞塊表，避免以后對這些壞塊進行操作。

3.2.2 Block Management

除了在出廠時由廠方標記壞塊外，在FLASH寫或擦除后也能夠通過讀取FLASH狀態(tài)來識別出剛操作的塊是否壞，如果是壞塊則需要在壞塊表里標記出來。

由于壞塊的存在導致不能按照物理地址連續(xù)的存取數(shù)據(jù)，并且為了使上層應用不關心FLASH物理地址是否連續(xù)，需要提供一種機制把上層傳來的地址（邏輯地址）轉為FLASH相應的物理地址。在讀數(shù)據(jù)時，根據(jù)邏輯地址找到對應的物理地址；在寫數(shù)據(jù)時，根據(jù)Wear-Leveling算法得到物理地址后，更新邏輯地址與物理地址的對應關系。
3.2.3 Wear-Leveling

由于FLASH塊的擦寫有次數(shù)限制，所以不能對同一個塊進行頻繁的寫或擦除操作，也就是盡量讓每一個塊有均等的擦寫機會。Wear-Leveling算法有兩個層次：

1． 新的數(shù)據(jù)寫到最少被使用的空閑塊。

2． 長期不變的數(shù)據(jù)被拷貝到另外的塊中，它原先占用的塊被頻繁更新的數(shù)據(jù)使用。

3.2.4 Block Replacement

當往FLASH某一頁寫數(shù)據(jù)后，通過讀取FLASH狀態(tài)可以知道操作是否成功，如果失敗則當前塊要被標記為壞塊，由于當前頁寫失敗并不影響同一塊中其它頁的數(shù)據(jù)，所以需要把這些數(shù)據(jù)拷貝到新的塊中。

由于FLASH具有按頁寫，按塊擦除的特性，在對FLASH某塊中一頁更新而又要擦除該塊時，也需要通過塊替換把其它頁拷貝到一個新塊中。

3.2.5 Garbage Collection

由于FLASH寫操作只能在空或已擦除的單元內進行，并且相對于讀寫操作，擦除操作的時間十分長。所以在更新數(shù)據(jù)時并不是把數(shù)據(jù)所在的塊擦除后在寫入數(shù)據(jù)，而是找一個新的空閑塊寫入數(shù)據(jù)，把先前的塊標記為舍棄，在系統(tǒng)空閑的時候擦除那些標記為舍棄的塊。

3.2.6 FTL接口

向上一層提供一個連續(xù)的、沒有壞塊的、以扇區(qū)為單位訪問的地址空間及存取接口。

4 結論

NAND FLASH這種高密度、存取性能高、單片容量不斷增加的存儲器可滿足稅控收款機對大批量數(shù)據(jù)存儲的需求；CCM3118豐富的GPIO資源可以非常簡單的實現(xiàn)對FLASH操作，達到大容量數(shù)據(jù)存儲擴展的目的；針對FLASH固有特性的程序設計能有效的消除NAND FLAH自身的缺陷，滿足稅控收款機對數(shù)據(jù)存取高可靠性的要求。

參考文獻

1 Samsung Electronics Datasheet. Samsung—K9F5608(16)q(u)0b
2 Samsung Electronics Datasheet. Samsung—K9F2G08X0M
3 蘇州國芯科技有限公司CCM3118 Data sheet.