• flash作為stm32中的存儲(chǔ)物質(zhì)，使用非常廣泛。關(guān)于flash的概念什么的網(wǎng)上已經(jīng)有很多介紹，筆者便不再贅述，分享一篇stm32的閃存中文編程手冊(cè)。

• 相對(duì)于很多操作寄存器的例子，筆者這篇著重于用庫函數(shù)處理。

編寫代碼的時(shí)候?qū)嶋H上非常簡單。只需要幾個(gè)步驟就可以完成寫入。

• 解鎖
  FLASH_Unlock();
  這一步非常簡單。只需要調(diào)用上面的解鎖函數(shù)即可。雖然簡單，但是不能省略~

• 清除相應(yīng)的標(biāo)志位
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_BSY | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
  筆者于頭文件中找到了這幾個(gè)標(biāo)志位于是全部清除。同樣也是不能省略。

• 擦除扇區(qū)

• 這一步是整個(gè)寫入過程中最為讓人不解的。但是只要搞懂了原理。其實(shí)也不是那么難懂。

  flash中有一個(gè)叫扇區(qū)的概念，有的教材也稱為頁。按照不同容量，flash存儲(chǔ)器組織成32個(gè)1K字節(jié)/頁(小容量)、 128個(gè)1K字節(jié)/頁(中容量)、 256個(gè)2K字節(jié)/頁(大容量)的主存儲(chǔ)器塊和一個(gè)信息塊。

• st公司提供的擦除flash扇區(qū)庫函數(shù)，一次至少要擦除一個(gè)扇區(qū)。
  FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address)
  其中Page_Address是要擦除扇區(qū)的地址，若傳入的不是首地址也會(huì)對(duì)齊到首地址擦除相應(yīng)的一個(gè)扇區(qū)。也就是說我們存在這個(gè)扇區(qū)上的所有東西都會(huì)被清除。

• 如果不清除該扇區(qū)，我們是沒有辦法在該扇區(qū)上寫東西的。據(jù)說這樣是因?yàn)橛布O(shè)計(jì)的原因（筆者不是很確定）。

• 這里就涉及到了一個(gè)可擦除范圍的問題。flash的地址范圍那么大，會(huì)不會(huì)有什么地方是不能擦除的呢。答案是有的。經(jīng)過筆者的實(shí)驗(yàn)，筆者的stm32f107vct6的地址范圍是0x08032000~0x0803FFC4。至于為什么不是從flash的起始地址0x08000000開始呢。根據(jù)筆者的查詢，是因?yàn)楸荛_rom開始的位置，不能把正在運(yùn)行的程序給擦除了，至于為什么是在0x0803FFC4結(jié)束，這個(gè)筆者就不是特別明白了，但是總的來說不影響我們的使用。

• 寫入數(shù)據(jù)

  這也是最關(guān)鍵的一步，前面說了半天，都是為這個(gè)做鋪墊。

  先介紹一個(gè)字和半字的概念

• 字(Word)： 32位長的數(shù)據(jù)或指令

  半字(Half Word)： 16位長的數(shù)據(jù)或指令

  flash的寫入是分字和半字的。

  FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)

  FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)

  根據(jù)所指定的地址，一次只能寫進(jìn)一個(gè)數(shù)據(jù)。

• 上鎖

  最后一步，重新鎖定

  FLASH_Lock();

• 流程圖

解鎖清楚標(biāo)志位擦除寫入上鎖

讀取就更為簡單了，只需要根據(jù)地址轉(zhuǎn)為指針在轉(zhuǎn)為數(shù)據(jù)即可
pBuf[i] = *((u16*)startAddr + i);