據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道，雖然英特爾的制造實(shí)力大打折扣。但是，這家芯片制造商不太可能擺脫業(yè)務(wù)的“制造”部分。

但如今，這種猜測(cè)在華爾街普遍存在，此前公司的第二季度報(bào)告顯示，公司的營(yíng)收數(shù)據(jù)相當(dāng)可觀，但這被英特爾為其下一代芯片開發(fā)的7納米制造工藝的延遲披露所掩蓋。

據(jù)介紹，他們最早采用該工藝制造的第一批芯片的交貨時(shí)間將推遲到2022年下半年，比該公司最初的計(jì)劃晚了一年。消息傳出后，英特爾股價(jià)周五下跌了16％，至少有六家券商將該股評(píng)級(jí)下調(diào)。這不是英特爾的第一個(gè)碰上這樣的絆腳石。

實(shí)際上，該公司現(xiàn)在用于生產(chǎn)最先進(jìn)芯片的10納米工藝此前就遭受了如此多的延遲，以至于與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手—;—;芯片制造商臺(tái)積電能夠領(lǐng)先于前者。現(xiàn)在，臺(tái)積電已經(jīng)量產(chǎn)7納米芯片了一年，今年秋天還將有一些使用其5納米工藝生產(chǎn)的芯片隨著一些5G智能手機(jī)和其他設(shè)備投放市場(chǎng)。

該公司還在本月初的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，預(yù)計(jì)2022年秋季將實(shí)現(xiàn)3納米芯片的量產(chǎn)，屆時(shí)英特爾可能至少落后兩代。對(duì)于曾經(jīng)無可爭(zhēng)議的芯片制造技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者來說，這是一個(gè)謙卑的立場(chǎng)。而且關(guān)于它有很多想法，認(rèn)為英特爾可能會(huì)退出生產(chǎn)制造業(yè)務(wù)。尤其是因?yàn)樵摴局贫藨?yīng)急計(jì)劃，如果自己的生產(chǎn)技術(shù)不完善，它將外包一些最先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)的生產(chǎn)。

許多芯片公司已經(jīng)采用了所謂的無晶圓廠模型，他們專門從事設(shè)計(jì)并將生產(chǎn)外包。鑒于缺乏建造，裝備和運(yùn)營(yíng)工廠所需的資本支出，這種模式可以帶來更高的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)和現(xiàn)金流量。

Jefferies的Mark Lipacis在給客戶的一份報(bào)告中說，無晶圓廠的英特爾將變成現(xiàn)金流和資本返還機(jī)器。Susquehanna的Christopher Rolland提議英特爾將自己的晶圓廠出售給臺(tái)積電，因?yàn)椤皫缀鯖]有機(jī)會(huì)抓住/超越”臺(tái)灣巨人。

但兩者都是不可能的結(jié)果。英特爾在全球擁有9個(gè)制造工廠，廠房和設(shè)備占其上一次報(bào)告的580億美元凈資產(chǎn)的大部分。這還不包括其超過50年制造半導(dǎo)體所積累的全部知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

英特爾制造業(yè)務(wù)的規(guī)模使臺(tái)積電和三星成為唯一可能的買家。鑒于近來整個(gè)行業(yè)高度政治化的氣候，美國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)不太可能允許外國(guó)實(shí)體，即使是來自友好國(guó)家的實(shí)體，也可以控制最先進(jìn)的國(guó)內(nèi)芯片制造設(shè)備。而且，英特爾在其核心PC和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)上的主導(dǎo)地位仍在繼續(xù)，這表明制造過程并不是全部。

據(jù)Mercury Research稱，AMD已經(jīng)出貨了由臺(tái)積電制造的7納米數(shù)據(jù)中心芯片一年了，但英特爾在今年第一季度仍控制著該市場(chǎng)約95％的份額。

Morgan Stanley的約瑟夫Joseph Moore指出，英特爾的14納米芯片性能與AMD正在銷售的7納米芯片相比仍然具有競(jìng)爭(zhēng)力。KeyBanc Capital的Wes Twigg則表示，即使英特爾最終外包一些新產(chǎn)品以按時(shí)生產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)性產(chǎn)品，英特爾仍然可以通過生產(chǎn)自己的芯片來實(shí)現(xiàn)許多優(yōu)勢(shì)。他補(bǔ)充說，英特爾“仍然出售他們能制造的一切。”

英特爾首席工程師在產(chǎn)品延遲后離開

華爾街日?qǐng)?bào)報(bào)道同時(shí)指出，在英特爾宣布7nm延遲之后，他們進(jìn)一步披露，公司正在重組其技術(shù)團(tuán)隊(duì)，而其首席工程官也將在幾天后離開該公司。

據(jù)報(bào)道，其首席工程官Venkata “Murthy” Renduchintala在公司與臺(tái)積電和三星這樣的對(duì)手在先進(jìn)工藝的競(jìng)爭(zhēng)中扮演了一個(gè)非常重要的角色，但因?yàn)樵?nm上的延遲，Intel方面表示，其將于八月三號(hào)后離開公司。

英特爾在開發(fā)某些最新處理器時(shí)遇到了麻煩。兩年前，它在將10納米技術(shù)推向市場(chǎng)時(shí)遇到了延誤。

英特爾股價(jià)周四暴跌，此前該公司表示，其向7納米芯片的升級(jí)計(jì)劃比原定計(jì)劃推遲了一年。使用較小晶體管的芯片可以更高效地運(yùn)行，并占用更少的物理空間。

自上周披露以來，英特爾股價(jià)已下跌約18％。長(zhǎng)期以來，英特爾一直是按價(jià)值計(jì)算的美國(guó)最大半導(dǎo)體公司，英特爾現(xiàn)在已將該頭銜授予競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手Nvidia Corp.。

在公司的掙扎之際， AMD贏得了市場(chǎng)份額。較小的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手通過一系列在性能指標(biāo)上與英特爾相當(dāng)或最好的新芯片贏得了投資者的熱情。自英特爾披露其最新產(chǎn)品開發(fā)挫折以來，定于周二公布季度收益的AMD股價(jià)已經(jīng)上漲約16％。

英特爾周一還表示，它將把其技術(shù)部門分成幾個(gè)團(tuán)隊(duì)，直接向首席執(zhí)行官Bob Swan匯報(bào)。該公司表示，負(fù)責(zé)英特爾公司制造業(yè)務(wù)的長(zhǎng)期高管Ann Kelleher將接替技術(shù)開發(fā)部門的工作，該技術(shù)開發(fā)部門將接替將于今年年底退休的Mike Mayberry。她將負(fù)責(zé)監(jiān)督甚至更小的芯片設(shè)計(jì)的開發(fā)。

英特爾還表示，其制造和運(yùn)營(yíng)將由Keyvan Esfarjani領(lǐng)導(dǎo)，Keyvan Esfarjani此前曾負(fù)責(zé)該公司的部分內(nèi)存制造。它還任命了設(shè)計(jì)工程部門的臨時(shí)負(fù)責(zé)人，同時(shí)保持了其芯片架構(gòu)和軟件戰(zhàn)略以及供應(yīng)鏈運(yùn)營(yíng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

總體看來，TSCG被分為五個(gè)小組：

技術(shù)開發(fā)：專注于開發(fā)下一代工藝節(jié)點(diǎn)，由Ann Kelleher博士領(lǐng)導(dǎo)。

制造與運(yùn)營(yíng)：專注于提升當(dāng)前的工藝節(jié)點(diǎn)并擴(kuò)大新的晶圓廠產(chǎn)能。由Keyvan Esfarjani領(lǐng)導(dǎo)。

設(shè)計(jì)工程：最近成立的小組，負(fù)責(zé)英特爾的技術(shù)制造和平臺(tái)工程。在Intel尋找永久領(lǐng)導(dǎo)人的同時(shí)，由Josh Walden臨時(shí)領(lǐng)導(dǎo)。

架構(gòu)，軟件和圖形：開發(fā)英特爾的架構(gòu)和相關(guān)的軟件堆棧。由Raja Koduri領(lǐng)導(dǎo)（續(xù)）。

供應(yīng)鏈：處理英特爾的供應(yīng)鏈以及與重要供應(yīng)商的關(guān)系。由Randhir Thakur博士領(lǐng)導(dǎo)（續(xù)）。

過去幾年，在Renduchintala先生的領(lǐng)導(dǎo)下，英特爾曾希望解決自10nm工藝以來，困擾其的芯片設(shè)計(jì)和制造問題。Renduchintala先生去年在向投資者的演講中曾表示說，該公司從設(shè)計(jì)14納米和10納米芯片中吸取了教訓(xùn)，并且正在優(yōu)先安排7納米后續(xù)產(chǎn)品的時(shí)間表。

他們也表達(dá)過一個(gè)觀點(diǎn)，那就是如果公司完成了14nm到10nm的過渡，那么公司再演進(jìn)到7nm就會(huì)相對(duì)簡(jiǎn)單，但現(xiàn)在看來一切都成了泡影。英特爾表示，這些變化旨在體現(xiàn)公司加快產(chǎn)品領(lǐng)先地位，并提高工藝技術(shù)執(zhí)行的重點(diǎn)和責(zé)任心。

此前，另一位英特爾高級(jí)工程師Jim Keller于6月離職，他以未指明的個(gè)人原因離職。Keller先生是一位著名的芯片設(shè)計(jì)師，他是芯片結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)師，在芯片的性能方面起著重要作用。在英特爾工作兩年之前，他曾在蘋果公司、特斯拉公司和AMD工作過。

在英特爾最新的產(chǎn)品開發(fā)陷入麻煩之際，這家總部位于加利福尼亞州圣克拉拉的公司受益于在冠狀病毒大流行期間轉(zhuǎn)向廣泛的遠(yuǎn)程工作，帶動(dòng)了對(duì)其芯片的需求，這些芯片為人們?nèi)找嬉蕾嚨挠?jì)算機(jī)和在線服務(wù)提供了動(dòng)力。

該公司周四公布了第二季度收益超出了華爾街的預(yù)期，盡管其股價(jià)因技術(shù)延遲而下跌。在這些問題中，該公司表示正在考慮將其一些核心產(chǎn)品的制造外包，以進(jìn)一步轉(zhuǎn)變其長(zhǎng)期以來以自己工廠為中心的美國(guó)科技偶像。

英特爾能重新成為制程領(lǐng)先者嗎？

在歷經(jīng)7nm挫折之后，英特爾是否還能拿回曾經(jīng)屬于他們的半導(dǎo)體制造的皇冠嗎？讓我們嘗試分析一下。我要稱贊英特爾CEO鮑勃·斯旺（Bob Swan）的一件事是—;—;人們對(duì)英特爾喪失制程領(lǐng)導(dǎo)者的事實(shí)有了新的看法。但其實(shí)直到2017年9月的技術(shù)和制造日，英特爾仍聲稱自己在與TSMC的競(jìng)爭(zhēng)中領(lǐng)先3年：

實(shí)際上，到那時(shí)，英特爾的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)已經(jīng)幾近于無。當(dāng)時(shí)臺(tái)積電（TSMC）的10納米工藝已經(jīng)投入量產(chǎn)幾個(gè)月，制造出iPhone X中使用的蘋果A11 Bionic SOC。英特爾在晶體管密度方面做了大量工作，稱其比制程節(jié)點(diǎn)所體現(xiàn)的更好。

應(yīng)該注意的是，英特爾的晶體管密度基于英特爾提出的綜合指標(biāo)。實(shí)際密度因芯片設(shè)計(jì)而異。但是據(jù)英特爾自己的估計(jì)，臺(tái)積電的10納米工藝比英特爾的14納米工藝實(shí)現(xiàn)了更高的晶體管密度：

我指出這一點(diǎn)是因?yàn)?，如果沒有有意義的批量生產(chǎn)，那么制程優(yōu)勢(shì)的主張就不能僅僅是基于漂亮的數(shù)字。重要的是可以有有利可圖的產(chǎn)品投入生產(chǎn)，而不是僅在有限或?qū)嶒?yàn)的基礎(chǔ)上才能生產(chǎn)的產(chǎn)品。

這是我稍后將在本文中再次提到的重要一方面。英特爾要等到2019年才能在其10 nm節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。正如我在2018年初指出的那樣，到2017年底，臺(tái)積電已經(jīng)超過了英特爾領(lǐng)先的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)14 nm 的晶體管密度?？爝M(jìn)到2020年，在英特爾的統(tǒng)治下，市場(chǎng)已經(jīng)發(fā)生了很大變化。

此時(shí)，英特爾也已經(jīng)量產(chǎn)10納米產(chǎn)品，但它仍然僅適用于相對(duì)較小的移動(dòng)計(jì)算芯片。與此同時(shí)，臺(tái)積電自2018年年中開始為蘋果iPhone XS生產(chǎn)A12 Bionic SoC，進(jìn)入7納米工藝時(shí)代。臺(tái)積電的7納米制程與英特爾的10納米制程具有相同的晶體管密度，每平方毫米約1億個(gè)晶體管，但這并不意味著英特爾已實(shí)現(xiàn)與臺(tái)積電的制程同步。

我這樣說有兩個(gè)原因。首先是臺(tái)積電的7納米工藝可以擴(kuò)展到更大的芯片，包括英偉達(dá)（NVDA）的大型Ampere A100，該芯片包含540億個(gè)晶體管，表面積為826平方毫米。其次是臺(tái)積電再次采用其5納米工藝提高了標(biāo)準(zhǔn)，該工藝已在9月份發(fā)布的下一版iPhone中投入量產(chǎn)。

英特爾已經(jīng)承認(rèn)自己已經(jīng)落伍了，該公司首席財(cái)務(wù)官喬治·戴維斯（George Davis）在3月的摩根士丹利（Morgan Stanley）舉辦的一次會(huì)議上對(duì)10納米制程的現(xiàn)狀相當(dāng)坦率：“正如我們?cè)?月19日的分析師日上所說的那樣：瞧，這不只是英特爾有史以來最好的節(jié)點(diǎn)。它的生產(chǎn)率還將低于14nm，也將低于22nm，但我們依然對(duì)看到的改進(jìn)感到很興奮，我們預(yù)計(jì)將于2021年底到來7nm會(huì)獲得更好的性能。”

關(guān)于重新獲得制程領(lǐng)先，他說：“因此，除了CPU之外，我們還為我們的客戶帶來了很多功能，我們感覺我們已經(jīng)開始看到我們一直在談?wù)摰囊氐?nm上的工藝方面的加速。并將在5納米世代重新獲得領(lǐng)導(dǎo)地位?！?/p>

那么英特爾可以趕上臺(tái)積電嘛？在英特爾于2019年5月舉辦投資者會(huì)議上，該公司首席工程官M(fèi)urthy Renduchintala列出了英特爾制造流程的路線圖：

該圖表表明，英特爾的7納米工藝的晶體管密度較之10納米工藝的晶體管密度增加一倍，與臺(tái)積電的5納米工藝持平或略微領(lǐng)先。

從表面上看，戴維斯似乎證實(shí)了人們普遍對(duì)7 nm的期望，但請(qǐng)注意這些期望的條件如何。他們只是在談?wù)摶氐酵_(tái)競(jìng)技（可能是臺(tái)積電的5納米節(jié)點(diǎn)），而7納米的開始時(shí)間似乎已經(jīng)延后2021年底。

過去的產(chǎn)能爬坡（甚至14 nm）已經(jīng)非常緩慢地開始了，最初的可用性非常有限。即使英特爾在2021年的最后期限之前完成，產(chǎn)品可用性也可能僅限于數(shù)量有限的小型移動(dòng)設(shè)備。

但到2021年底，TSMC將在其5 nm節(jié)點(diǎn)上具有至少18個(gè)月的批量生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。英特爾要達(dá)到與TSMC 5納米節(jié)點(diǎn)相當(dāng)?shù)男阅芎途w管密度，才能實(shí)現(xiàn)可比的生產(chǎn)量，因此英特爾無法實(shí)現(xiàn)真正的追趕。

業(yè)界專家Scotten Jones在SemiWiki上發(fā)表的題為《TSMC是否可以保持其工藝技術(shù)領(lǐng)先地位》的最新文章討論了英特爾是否可以從TSMC手中奪回工藝領(lǐng)導(dǎo)地位。

在本文中，瓊斯介紹了他對(duì)Intel，TSMC和Samsung各個(gè)節(jié)點(diǎn)的晶體管密度的分析（使用Intel方法計(jì)算）。他證實(shí)，英特爾的10納米制程可提供與競(jìng)爭(zhēng)的7納米制程相同的晶體管密度，但不等于三星和臺(tái)積電的5納米制程。他預(yù)計(jì)英特爾的7納米工藝將比臺(tái)積電當(dāng)前的5納米工藝稍好，但不會(huì)比臺(tái)積電的3納米工藝好：

在該表中，晶體管密度以每平方毫米數(shù)百萬個(gè)晶體管表示。瓊斯沒有提供有關(guān)英特爾5納米制程的任何計(jì)算，因?yàn)閷?duì)這種制程及其何時(shí)發(fā)布的了解還不夠。

臺(tái)積電表示，它預(yù)計(jì)將于2022年下半年開始在其3 nm節(jié)點(diǎn)上開始批量生產(chǎn)。關(guān)于英特爾的7 nm計(jì)劃，Jones指出： “現(xiàn)在情況變得越來越模糊，英特爾的7納米制程將于2021年開始以2.0倍的縮減率開始增長(zhǎng)。三星和臺(tái)積電都將在2021年開始3nm風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

假設(shè)英特爾能追上他們，它們可能會(huì)短暫地具有生產(chǎn)密度優(yōu)勢(shì)，但是英特爾的14nm和10nm工藝都已經(jīng)晚了幾年。隨著COVID-19普遍影響整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是美國(guó)，所以Intel在2021年的時(shí)間線完成這件事的可能性不高?！?/p>

瓊斯在文章中總結(jié)道：“臺(tái)積電今年以其5納米工藝在工藝密度方面領(lǐng)先。未來則取決于Intel 7納米制程與臺(tái)積電3納米制程的確切時(shí)間，英特爾可能會(huì)暫時(shí)重新獲得制程密度的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，但臺(tái)積電將通過其3納米制程快速通過它們，屆時(shí)他們每平方毫米超過3億個(gè)晶體管！”我很希望看到英特爾以摩爾定律的步伐重回正軌。

英特爾與代工廠商之間重新展開競(jìng)爭(zhēng)對(duì)消費(fèi)者和整個(gè)行業(yè)來說都將是一個(gè)巨大的進(jìn)步。

英特爾在其14納米制程上似乎無休止的迭代已成為PC技術(shù)評(píng)論家中的一個(gè)惡作劇。但我認(rèn)為，就晶體管密度和進(jìn)度而言，有關(guān)英特爾7納米制程的假設(shè)非常站不住腳。我不相信英特爾將能夠?qū)崿F(xiàn)其7納米的目標(biāo)，盡管它可能會(huì)試圖聲稱自己已經(jīng)通過在2021年后期生產(chǎn)有限數(shù)量的7納米芯片來宣稱可以達(dá)到“同等水平”。。但這樣的主張幾乎毫無意義。在給定節(jié)點(diǎn)上以實(shí)驗(yàn)方式生產(chǎn)有限數(shù)量的芯片是一回事，而在該節(jié)點(diǎn)上以盈利方式生產(chǎn)大量芯片則是另一回事。

英特爾的發(fā)展道路上將遇到許多障礙，其中最重要的一點(diǎn)是相對(duì)缺乏EUV光刻的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，英特爾必須將其用于7納米工藝。相比之下，臺(tái)積電將擁有超過2年的EUV生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，以及超過18個(gè)月的5納米廣泛使用EUV的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。

最重要的是，這確立了臺(tái)積電領(lǐng)先于英特爾的領(lǐng)先地位。假設(shè)英特爾按計(jì)劃在2021年底啟動(dòng)7 nm。我的評(píng)估是，即使是短暫的，Intel甚至以其7納米節(jié)點(diǎn)趕上臺(tái)積電的機(jī)會(huì)也很小。而且，正如瓊斯指出的那樣，即使發(fā)生這種情況也不會(huì)持續(xù)很長(zhǎng)時(shí)間，因?yàn)榕_(tái)積電將迅速發(fā)展到3納米。

正如戴維斯（Davis）提到的那樣，要重新獲得5納米節(jié)點(diǎn)的工藝領(lǐng)導(dǎo)地位，這當(dāng)然不是不可能的，但我也不認(rèn)為大家應(yīng)該押注于此。即使英特爾設(shè)法重回摩爾定律的步伐，它仍將追趕臺(tái)積電的3納米制程。

我認(rèn)為英特爾更有可能實(shí)現(xiàn)其5納米制程（與臺(tái)積電的3納米制程相比）的工藝追趕。對(duì)于業(yè)界來說，這并不是一件壞事，但我認(rèn)為這是英特爾可以期望的最好的結(jié)果。

我本著盡職調(diào)查的精神和安迪·格羅夫（Andy Grove）著名的格言：“只有偏執(zhí)狂才能生存”著手進(jìn)行這篇評(píng)論。我認(rèn)為這是與競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)保持同步的重要角色之一。我當(dāng)然希望英特爾更具競(jìng)爭(zhēng)力，但是我不擔(dān)心英特爾在工藝技術(shù)方面會(huì)超越臺(tái)積電。