2021年3月16日，新澤西州普林斯頓：領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC推出了FET-Jet計算器，這是一款免費注冊的簡單在線工具，能方便您為不同功率應(yīng)用和拓撲結(jié)構(gòu)選擇器件和比較器件在其中的性能。這款新工具讓工程師能夠迅速、自信地制定設(shè)計決策。

為了找到最適合其功率設(shè)計的UnitedSiC器件，用戶先選擇應(yīng)用功能和拓撲結(jié)構(gòu)，然后輸入設(shè)計參數(shù)詳情，之后，該工具會自動計算開關(guān)電流、效率和損耗，并將損耗分為導電、打開和關(guān)閉損耗。運行溫度和散熱器額定值均作為輸入值包含在內(nèi)，以表明預(yù)期的運行結(jié)溫。

通過運用各種儲能電感和開關(guān)頻率值，用戶可以探索不斷改變的導電模式在各種拓撲結(jié)構(gòu)中的效果。用戶還可以選擇單個或并聯(lián)器件，以表明各種額定電流的器件的整體相對性能。

如果選擇不合適，如對于所選條件和拓撲結(jié)構(gòu)而言，電壓額定值不足，則該工具會發(fā)出警告，幫助用戶快速找出可行解決方案。

可以從可排序表中選擇任何UnitedSiC FET和肖特基二極管，包括TO-220、TO-247、TO-247/4L、DFN8x8封裝中的器件以及最近發(fā)布的第四代750V器件。

UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla稱：“對于想要采用SiC的功率設(shè)計師而言，為正確的功率拓撲結(jié)構(gòu)選擇正確的器件不應(yīng)成為一個障礙。所以，我們打造了FET-Jet計算器。對于首次采用SiC或者正尋找最適合不斷改進的設(shè)計的工程師而言，這個計算器能快速簡單地評估UnitedSiC FET在各種功率拓撲結(jié)構(gòu)中的表現(xiàn)，從而避免浪費時間為不適合的器件創(chuàng)建高級模擬，進而加快研發(fā)速度。只需幾次點擊就可以讓您向著通往最佳設(shè)計的方向前進?！?