本文中，小編將對晶體管予以介紹，主要在于介紹晶體管的優(yōu)越性、MOS晶體管的相關內(nèi)容以及晶體管的判別和計算。如果你想對晶體管的詳細情況有所認識，或者想要增進對晶體管的了解程度，不妨請看以下內(nèi)容哦。

一、晶體管的優(yōu)越性

與電子管相比，晶體管具有許多優(yōu)點，這些優(yōu)點大致可以歸類為三種。下面，小編將對這三類優(yōu)勢一一進行介紹。

1.不消耗組件

不管電子管的質(zhì)量如何，由于陰極原子的變化和長期漏氣，電子管都會逐漸變質(zhì)。由于技術原因，在晶體管的生產(chǎn)開始時也存在相同的問題。隨著材料生產(chǎn)的進步和各種改進，晶體管的壽命通常比電子管的壽命要長上很多。

2.極少的功耗

晶體管所產(chǎn)生的功耗是電子管的十分之一或十分之一，由此可見晶體管在功耗方面的優(yōu)異性。晶體管不需要像電子管一樣加熱燈絲來產(chǎn)生自由電子，只用幾個干電池就可以使晶體管收音機完美地工作上幾個月。

3. 晶體管不需要進行預熱操作

晶體管一打開就可以工作，并不許進行預熱。因為晶體管的這個特性，在軍事、測量等方面，晶體管具有重要的應用。

二、判別及計算

1. 判別基極和管子的類型

選用歐姆檔的R*100(或R*1K)檔，先用紅表筆接一個管腳，黑表筆接另一個管腳，可測出兩個電阻值，然后再用紅表筆接另一個管腳，重復上述步驟，又測得一組電阻值，這樣測3次，其中有一組兩個阻值都很小的，對應測得這組值的紅表筆接的為基極，且管子是PNP型的;反之，若用黑表筆接一個管腳，重復上述做法，若測得兩個阻值都小，對應黑表筆為基極，且管子是NPN型的。

2. 判別集電極

因為三極管發(fā)射極和集電極正確連接時β大，反接時β就小得多。因此，先假設一個集電極，用歐姆檔連接。測量時，用手捏住基極和假設的集電極，兩極不能接觸，若指針擺動幅度大，而把兩極對調(diào)后指針擺動小，則說明假設是正確的，從而確定集電極和發(fā)射極。

3. 電流放大系數(shù)β的估算

選用歐姆檔的R*100檔，對NPN型管，紅表筆接發(fā)射極，黑表筆接集電極，測量時，只要比較用手捏住基極和集電極，和把手放開兩種情況小指針擺動的大小，擺動越大，β值越高。

三、MOS晶體管相關介紹

在了解了晶體管的優(yōu)越性以及晶體管的判別和計算后，我們再來看看MOS晶體管的一些相關內(nèi)容。

(一)MOS晶體管的最高工作頻率

MOS晶體管的最高工作頻率被定義為：當對柵極輸入電容CGC的充放電電流和漏源交流電流的數(shù)值相等時，所對應的工作頻率為MOS晶體管的最高工作頻率。這是因為當柵源間輸入交流信號時，由源極增加(減少)流入的電子流，一部分通過溝道對電容充(放)電，一部分經(jīng)過溝道流向漏極，形成漏源電流的增量。因此，當變化的電流全部用于對溝道電容充放電時，晶體管也就失去了放大能力。

(二)MOS晶體管的跨導gm

MOS晶體管的跨導gm表示交流小信號時衡量MOS器件VGS對IDS的控制能力(VDS恒定)的參數(shù)，也是MOS晶體管的一個極為重要的參數(shù)。 (忽略溝道長度調(diào)制效應，λ=0，在以下分析中，如未出現(xiàn)λ參數(shù)，均表示λ=0的情況)。

(三)MOS管的閾值電壓

MOS管的閾值電壓等于backgate和source接在一起時形成channel需要的gate對source偏置電壓。如果gate對source偏置電壓小于閾值電壓，就沒有channel。一個特定的晶體管的閾值電壓和很多因素有關，包括backgate的摻雜，電介質(zhì)的厚度，gate材質(zhì)和電介質(zhì)中的過剩電荷。

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