領先的碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC(聯(lián)合碳化硅)公司，現(xiàn)已基于其第四代SiC FET先進技術平臺推出四款首批器件。作為目前市場上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領先的品質因數(shù)(FoM)實現(xiàn)了新的性能水平，從而使汽車、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心功率因數(shù)校正(PFC)和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的電源應用都能夠從中受益。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無與倫比，并且其單位面積通態(tài)電阻更低，本征電容也很低。在硬開關應用中，第四代FET實現(xiàn)了最低的RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ)，因此其導通損耗和關斷損耗都得到降低。在軟開關應用中，其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)規(guī)格則可實現(xiàn)更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現(xiàn)有SiC MOSFET競爭產品的性能(無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作)，而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區(qū)損耗并提高了效率。

這些新器件將聯(lián)合碳化硅的產品擴展到了750V，這樣就可以為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。同時，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線電壓應用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅動器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動。因此，就可以將它們與現(xiàn)有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器一起使用。

正如聯(lián)合碳化硅C公司工程副總裁Anup Bhalla所述：“從DC-DC轉換和車載充電到功率因數(shù)校正和太陽能逆變器，這些器件可幫助各行各業(yè)的工程師們解決他們在滿足最高電壓和功率要求時所面臨的各種挑戰(zhàn)。

“我們將在未來9個月內發(fā)布許多第四代新器件，而在性價比、散熱效率和設計裕量等方面實現(xiàn)進一步提高。到那時，各行各業(yè)就都有望克服大規(guī)模采用的挑戰(zhàn)，并借此加速創(chuàng)新?！?