GD32和STM32不能完全替代，這些差異點(diǎn)您清楚嗎？
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一：前言什么GD32？GD32是國內(nèi)開發(fā)的一款單片機(jī)，據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來的。
所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的，不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說了，下面我給大家講一下不同的地方。
二：區(qū)別
01內(nèi)核
GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個BUG。
02主頻
主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會更快，項(xiàng)目中如果需要進(jìn)行刷屏，開方運(yùn)算，電機(jī)控制等操作，GD是一個不錯的選擇。
03供電
外部供電：GD32外部供電范圍是2.63.6V，STM32外部供電范圍是23.6V。GD的供電范圍比STM32相對要窄一點(diǎn)。
內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的芯片在運(yùn)行的時候運(yùn)行功耗更低。
04Flash差異
GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度：GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關(guān)系：0等待周期，當(dāng)0
Flash擦除時間：GD擦除的時間要久一點(diǎn)，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值100ms， 實(shí)際測量60ms 左右。對應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase 典型值 20~40ms。
05功耗
GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD的運(yùn)行功耗比STM32小，但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
06串口
GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖。
GD的串口在發(fā)送的時候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
GD 和STM32 USART的這兩個差異對通信基本沒有影響，只是GD的通信時間會加長一點(diǎn)。
07ADC差異
GD的輸入阻抗和采樣時間的設(shè)置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：
08FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
09103系列RAM
回復(fù)【電容】，獲取關(guān)于電容相關(guān)的內(nèi)容；
回復(fù)【阻抗匹配】，獲取電磁兼容性、阻抗匹配相關(guān)的資料回復(fù)【資料】，獲取全部電子設(shè)計、單片機(jī)開發(fā)相關(guān)的資料回復(fù)【終端電阻】，獲取CAN終端電阻相關(guān)的資料回復(fù)【單片機(jī)】，獲取單片機(jī)全套視頻教程和參考設(shè)計
回復(fù)【STM32】，獲取STM32相關(guān)設(shè)計和視頻教程回復(fù)【PCB】，獲取PCB設(shè)計相關(guān)的資料回復(fù)【硬件知識】、【硬件設(shè)計】，獲取硬件開發(fā)工程必備手冊
回復(fù)【經(jīng)典電路】，獲取5000個經(jīng)典電路
回復(fù)【論文】，獲取畢業(yè)設(shè)計、電子競賽、學(xué)術(shù)專業(yè)等相關(guān)論文資料…………
歡迎關(guān)注【玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入式】公眾號，本公眾號會以連載的形式對電容進(jìn)行深入講解，歡迎持續(xù)關(guān)注。
一：前言什么GD32？GD32是國內(nèi)開發(fā)的一款單片機(jī)，據(jù)說開發(fā)的人員是來自ST公司的，GD32也是以STM32作為模板做出來的。
所以GD32和STM32有很多地方都是一樣的，不過GD32畢竟是不同的產(chǎn)品，不可能所有東西都沿用STM32，有些自主開發(fā)的東西還是有區(qū)別的。相同的地方我們就不說了，下面我給大家講一下不同的地方。
二：區(qū)別
01內(nèi)核
GD32采用二代的M3內(nèi)核，STM32主要采用一代M3內(nèi)核，下圖是ARM公司的M3內(nèi)核勘誤表，GD使用的內(nèi)核只有752419這一個BUG。
02主頻
使用HSE(高速外部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大72M
使用HSI(高速內(nèi)部時鐘)：GD32的主頻最大108M，STM32的主頻最大64M主頻大意味著單片機(jī)代碼運(yùn)行的速度會更快，項(xiàng)目中如果需要進(jìn)行刷屏，開方運(yùn)算，電機(jī)控制等操作，GD是一個不錯的選擇。
03供電
外部供電：GD32外部供電范圍是2.63.6V，STM32外部供電范圍是23.6V。GD的供電范圍比STM32相對要窄一點(diǎn)。
內(nèi)核電壓：GD32內(nèi)核電壓是1.2V，STM32內(nèi)核電壓是1.8V。GD的內(nèi)核電壓比STM32的內(nèi)核電壓要低，所以GD的芯片在運(yùn)行的時候運(yùn)行功耗更低。
04Flash差異
GD32的Flash是自主研發(fā)的，和STM32的不一樣。
GD Flash執(zhí)行速度：GD32 Flash中程序執(zhí)行為0等待周期。
STM32 Flash執(zhí)行速度：ST系統(tǒng)頻率不訪問flash等待時間關(guān)系：0等待周期，當(dāng)0
Flash擦除時間：GD擦除的時間要久一點(diǎn)，官方給出的數(shù)據(jù)是這樣的：GD32F103/101系列Flash 128KB 及以下的型號， Page Erase 典型值100ms， 實(shí)際測量60ms 左右。對應(yīng)的ST 產(chǎn)品Page Erase 典型值 20~40ms。
05功耗
GD的產(chǎn)品在相同主頻情況下，GD的運(yùn)行功耗比STM32小，但是在相同的設(shè)置下GD的停機(jī)模式、待機(jī)模式、睡眠模式比STM32還是要高的。
06串口
GD在連續(xù)發(fā)送數(shù)據(jù)的時候每兩個字節(jié)之間會有一個Bit的Idle，而STM32沒有，如下圖。
GD的串口在發(fā)送的時候停止位只有1/2兩種停止位模式。STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
GD 和STM32 USART的這兩個差異對通信基本沒有影響，只是GD的通信時間會加長一點(diǎn)。
07ADC差異
GD的輸入阻抗和采樣時間的設(shè)置和ST有一定差異，相同配置GD采樣的輸入阻抗相對來說要小。具體情況見下表這是跑在72M的主頻下，ADC的采樣時鐘為14M的輸入阻抗和采樣周期的關(guān)系：
08FSMC
STM32只有100Pin以上的大容量（256K及以上）才有FSMC，GD32所有的100Pin或100Pin以上的都有FSMC。
09103系列RAM
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