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[導讀]安世半導體硅鍺 (SiGe) 整流器效率高、熱穩(wěn)定性好,且外型精巧,是工程師進行新品設(shè)計的不二之選

中國上海,2021年10月11日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布供應(yīng)安世半導體的SiGe整流器,可為工程師的新品設(shè)計實現(xiàn)更高的效率和熱穩(wěn)定性,并節(jié)省空間。這些SiGe整流器兼具肖特基二極管整流器的高效率與快速恢復二極管的熱穩(wěn)定性,提供反向電壓為120 V、150 V和200 V的三種型號選擇。

該系列1-3A SiGe整流器在高環(huán)境溫度應(yīng)用中優(yōu)勢突出,例如LED照明、發(fā)動機控制單元或燃料噴射系統(tǒng),非常適合汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器市場應(yīng)用。這類新型極低泄漏器件可為設(shè)計工程師提供擴展的安全工作區(qū)域,175°C以內(nèi)不會發(fā)生熱失控。同時,工程師還可以使用常用于高溫設(shè)計的快速恢復二極管,以優(yōu)化設(shè)計來實現(xiàn)更高效率。此外,SiGe整流器具備更低的低正向電壓(Vf)和低反向恢復電荷(Qrr),進一步將傳導損耗降低10%至20%。

安世半導體的SiGe整流器主要特性包括:

出色的效率

反向電流(IR)低于肖特基二極管,且正向電壓(VF)低于快速恢復整流器,減少了功率損耗

可快速平滑切換,熱穩(wěn)定性高達175°C Tj,具備小于1nA的極低漏電流及低正向電壓和低Qrr

擴展的安全工作區(qū)域

確保高溫下安全工作

可在最大反向電壓下穩(wěn)定運行

先進的夾片粘合FlatPower(CFP)封裝

SiGe整流器系列采用行業(yè)標準CFP3和CFP5封裝,堅固耐用,降低了封裝電阻并提升了電氣性能

配有實心銅夾片,提高了熱性能并降低了功耗

可與肖特基二極管和快速恢復整流器輕松更換引腳

更低封裝電感、更優(yōu)開關(guān)性能及更低寄生電容

安世半導體的創(chuàng)新SiGe技術(shù)能夠為工程師提供更多選擇以開發(fā)出最先進的電源電路,并打造市場領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品。SiGe是對安世半導體功率二極管系列的完美補充,該系列產(chǎn)品包括100多個采用CFP封裝的肖特基二極管和快速恢復整流器。e絡(luò)盟現(xiàn)備有安世半導體的12款SiGe整流器系列產(chǎn)品。所有整流器產(chǎn)品均符合AEC-Q101標準,并提供120 V、150 V和200 V的反向重復峰值電壓(Vrrm)及1、2或3 A的正向電流IF(AV)。

Farnell及e絡(luò)盟全球半導體和單板機業(yè)務(wù)部總監(jiān) Lee Turner表示:“安世半導體是大批量生產(chǎn)半導體基礎(chǔ)元件的專業(yè)制造商。我們非常高興能夠進一步擴大我們的SiGe整流器現(xiàn)貨庫存。眾所周知,設(shè)計人員始終面臨著重重壓力,他們需要在提高性能的前提下盡量節(jié)省空間,以確保為新應(yīng)用實現(xiàn)最高系統(tǒng)效率及最小尺寸。為此,我們持續(xù)為客戶提供市場領(lǐng)先的解決方案,以便為他們提供最高效率、簡易熱設(shè)計及較小外形尺寸,進而助力他們在汽車、服務(wù)器和通信市場的關(guān)鍵應(yīng)用開發(fā)?!?

安世半導體產(chǎn)品豐富,包括二極管、雙極性晶體管、ESD保護器件、MOSFET器件和氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)以及模擬和邏輯IC。安世半導體總部位于荷蘭,每年出貨量超過900億件,所有產(chǎn)品均符合汽車行業(yè)嚴苛標準。其產(chǎn)品質(zhì)量上乘,在效率、工藝、尺寸、功率和性能方面已被公認為行業(yè)標桿,同時擁有業(yè)界領(lǐng)先的小型封裝,可有效節(jié)省功耗及空間。

e絡(luò)盟現(xiàn)全面儲備半導體產(chǎn)品現(xiàn)貨庫存,以便為設(shè)計工程師提供支持。e絡(luò)盟還為客戶提供免費在線資源、數(shù)據(jù)表、應(yīng)用說明、視頻和網(wǎng)絡(luò)研討會等內(nèi)容,以及每周5天、每天8小時的技術(shù)支持服務(wù)。

客戶現(xiàn)可通過Farnell(歐洲、中東和非洲地區(qū))、e絡(luò)盟(亞太地區(qū))以及Newark(北美地區(qū))購買安世半導體的SiGe整流器產(chǎn)品。

e絡(luò)盟供貨安世半導體SiGe整流器


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