新的IEEE802.3bt PoE標(biāo)準(zhǔn)有潛力變革物聯(lián)網(wǎng)(IoT)所涉及的每個垂直市場，使更精密的端點可在更大的網(wǎng)絡(luò)運行。IEEE802.3bt標(biāo)準(zhǔn)通過新的“Autoclass”特性優(yōu)化能量管理，令受電設(shè)備(PD)將其特定的功率需求傳遞給供電設(shè)備(PSE)。這也令每個PSE僅向每個PD分配適當(dāng)?shù)墓β柿?，從而最大化可用能量和帶寬?/p>

與IEEE 802.at標(biāo)準(zhǔn)(PoE+)提供的30 W相比，IEEE 802.3bt可提供高達(dá)90 W的功率和互聯(lián)到新的應(yīng)用，無需專用且通常為離線的電源。PoE將簡化網(wǎng)絡(luò)拓?fù)?，并提供更?qiáng)固的“即插即用”用戶體驗。

商業(yè)信息提供商IHS Markit電源半導(dǎo)體高級分析師Kevin Anderson說：“以太網(wǎng)供電是當(dāng)今電源半導(dǎo)體發(fā)展最快的市場之一，預(yù)計2017年到2022年的復(fù)合平均單位增長率為14%。IEEE 802.3bt中定義的更高供電能力促成新的應(yīng)用，如更高功率聯(lián)接的照明、聯(lián)網(wǎng)的高分辨率監(jiān)控攝像機(jī)和高性能無線接入點。”

NCP1095和NCP1096接口控制器構(gòu)成安森美半導(dǎo)體PoE-PD方案的基礎(chǔ)，具有實施PoE接口所需的所有特性，包括檢測、自動分類和限流?？刂破鞑捎靡粋€外部(NCP1095)或內(nèi)部(NCP1096)熱插拔FET。NCP1096集成的熱插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低導(dǎo)通電阻?？刂破髋湟訬CP1566 DC-DC控制器、FDMC8622單MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge?四通道MOSFET，為PoE應(yīng)用中的二極管橋提供更有效的替代方案。這些器件賦能高效的PoE接口，最高可達(dá)標(biāo)準(zhǔn)的90 W功率限制，若需更高的功率，可用專用的100 W方案。