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[導(dǎo)讀]CPU是計(jì)算機(jī)的心臟,它是決定計(jì)算機(jī)性能的最重要的部件。同樣CPU也是現(xiàn)代社會(huì)飛速運(yùn)轉(zhuǎn)的動(dòng)力源泉,在任何電子設(shè)備上都可以找到微芯片的身影。不過(guò)能完成復(fù)雜功能的CPU確是以沙子為原料做成的,不得不驚嘆于人類的智慧

CPU是計(jì)算機(jī)的心臟,它是決定計(jì)算機(jī)性能的最重要的部件。同樣CPU也是現(xiàn)代社會(huì)飛速運(yùn)轉(zhuǎn)的動(dòng)力源泉,在任何電子設(shè)備上都可以找到微芯片的身影。不過(guò)能完成復(fù)雜功能的CPU確是以沙子為原料做成的,不得不驚嘆于人類的智慧!Intel公布了大量圖文資料,詳細(xì)展示了從沙子到芯片的全過(guò)程,滿足你的好奇心。

簡(jiǎn)單地說(shuō),處理器的制造過(guò)程可以大致分為沙子原料(石英)、硅錠、晶圓、光刻(平版印刷)、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測(cè)試與切割、核心封裝、等級(jí)測(cè)試、包裝上市等諸多步驟,而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過(guò)程。

下邊就圖文結(jié)合,一步一步看看:

沙子:硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

硅熔煉:12英寸/300毫米晶圓級(jí),下同。通過(guò)多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅,學(xué)名電子級(jí)硅(EGS),平均每一百萬(wàn)個(gè)硅原子中最多只有一個(gè)雜質(zhì)原子。此圖展示了是如何通過(guò)硅凈化熔煉得到大晶體的,最后得到的就是硅錠(Ingot)。

單晶硅錠:整體基本呈圓柱形,重約100千克,硅純度99.9999%。

CPU制造:第二階段圖文直播:

硅錠切割:橫向切割成圓形的單個(gè)硅片,也就是我們常說(shuō)的晶圓(Wafer)。順便說(shuō),這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧?

晶圓:切割出的晶圓經(jīng)過(guò)拋光后變得幾乎完美無(wú)瑕,表面甚至可以當(dāng)鏡子。事實(shí)上,Intel自己并不生產(chǎn)這種晶圓,而是從第三方半導(dǎo)體企業(yè)那里直接購(gòu)買成品,然后利用自己的生產(chǎn)線進(jìn)一步加工,比如現(xiàn)在主流的45nm HKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是,Intel公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米。

 CPU制造:第三階段圖文直播:

光刻膠(Photo Resist):圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過(guò)程中澆上去的光刻膠液體,類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。[!--empirenews.page--]

光刻一:光刻膠層隨后透過(guò)掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下,變得可溶,期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)類似按下機(jī)械相機(jī)快門那一刻膠片的變化。掩模上印著預(yù)先

光刻二:由此進(jìn)入50-200納米尺寸的晶體管級(jí)別。一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個(gè)處理器,不過(guò)從這里開(kāi)始把視野縮小到其中一個(gè)上,展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當(dāng)于開(kāi)關(guān),控制著電流的方向。現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小,一個(gè)針頭上就能放下大約3000萬(wàn)個(gè)。

CPU制造:第四階段圖文直播:

  溶解光刻膠:光刻過(guò)程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致。

  蝕刻:使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來(lái)的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護(hù)著不應(yīng)該蝕刻的部分。

  清除光刻膠:蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設(shè)計(jì)好的電路圖案。

CPU制造:第五階段圖文直播:

  光刻膠:再次澆上光刻膠(藍(lán)色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來(lái)保護(hù)不會(huì)離子注入的那部分材料。[!--empirenews.page--]

  離子注入(Ion Implantation):在真空系統(tǒng)中,用經(jīng)過(guò)加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層,并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后,注入的離子流的速度可以超過(guò)30萬(wàn)千米每小時(shí)。

  清除光刻膠:離子注入完成后,光刻膠也被清除,而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時(shí)候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。

CPU制造:第六階段圖文直播:

  晶體管就緒:至此,晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個(gè)孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連。

  電鍍:在晶圓上電鍍一層硫酸銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會(huì)從正極(陽(yáng)極)走向負(fù)極(陰極)。

  銅層:電鍍完成后,銅離子沉積在晶圓表面,形成一個(gè)薄薄的銅層。

CPU制造:第七階段圖文直播:

  拋光:將多余的銅拋光掉,也就是磨光晶圓表面。

  金屬層:晶體管級(jí)別,六個(gè)晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層,具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來(lái)異常平滑,但事實(shí)上可能包含20多層復(fù)雜的電路,放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò),形如未來(lái)派的多層高速公路系統(tǒng)。

CPU制造:第八階段圖文直播:

  晶圓測(cè)試:內(nèi)核級(jí)別,大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部,正在接受第一次功能性測(cè)試,使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對(duì)比。[!--empirenews.page--]

  晶圓切片(Slicing):晶圓級(jí)別,300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,每一塊就是一個(gè)處理器的內(nèi)核(Die)。

  丟棄瑕疵內(nèi)核:晶圓級(jí)別。測(cè)試過(guò)程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄,留下完好的準(zhǔn)備進(jìn)入下一步。

CPU制造:第九階段圖文直播:

  單個(gè)內(nèi)核:內(nèi)核級(jí)別。從晶圓上切割下來(lái)的單個(gè)內(nèi)核,這里展示的是Core i7的核心。

  封裝:封裝級(jí)別,20毫米/1英寸。襯底(基片)、內(nèi)核、散熱片堆疊在一起,就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當(dāng)于一個(gè)底座,并為處理器內(nèi)核提供電氣與機(jī)械界面,便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負(fù)責(zé)內(nèi)核散熱的了。

  處理器:至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Core i7)。這種在世界上最干凈的房間里制造出來(lái)的最復(fù)雜的產(chǎn)品實(shí)際上是經(jīng)過(guò)數(shù)百個(gè)步驟得來(lái)的,這里只是展示了其中的一些關(guān)鍵步驟。

CPU制造:第十階段圖文直播:

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  等級(jí)測(cè)試:最后一次測(cè)試,可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性,比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等,并決定處理器的等級(jí),比如適合做成最高端的Core i7-975 Extreme,還是低端型號(hào)Core i7-920。

  裝箱:根據(jù)等級(jí)測(cè)試結(jié)果將同樣級(jí)別的處理器放在一起裝運(yùn)。

  零售包裝:制造、測(cè)試完畢的處理器要么批量交付給OEM廠商,要么放在包裝盒里進(jìn)入零售市場(chǎng)。這里還是以Core i7為例。

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