說起存儲器IC的分類，大家馬上想起可以分為RAM和ROM兩大類。
RAM是Random Access Memory的縮寫，翻譯過來就是隨機存取存儲器，隨機存取可以理解為能夠高速讀寫。常見的RAM又可以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。
ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM(有時直接稱為ROM)、PROM(Programmable ROM：可編程ROM，特指一次編程的ROM)、EPROM(Erasable Programmable ROM：可擦除可編程的ROM，擦除時用紫外線)、EEPOM(Electrically Erasable Programmable ROM：電可擦除可編程ROM)。
以上是大家在各種教材上看到的存儲器的分類。
問題是，ROM明明叫只讀存儲器，也就是不可寫的存儲器，現(xiàn)實是除了掩膜ROM是不可寫的外，PROM、EPROM、EEPOM事實上都是可寫的。它們的名稱中還帶有“ROM”是名不副實的叫法。掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM這幾種存儲器的共同特點其實是掉電后，所存儲的數(shù)據不會消失，所以可以歸類為非易失性存儲器(即Non-Volatile Memory)。
SRAM、DRAM的共同特點是掉電后數(shù)據會丟失，所以也可稱為易失性存儲器(Volatile memory)。
于是，存儲器從大類來分，可以分為易失性存儲器和非易失性存儲器。
后來出現(xiàn)的Flash Memory(快閃存儲，簡稱閃存)，掉電后數(shù)據也不容易丟失，所以也屬于非易失性存儲器。Flash Memory的名稱中已經不帶ROM字樣了，但是傳統(tǒng)的分類方法中，還是把Flash Memory歸類為ROM類，事實上此時是因為這些存儲器都是非易失的。
把存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器就萬事大吉了么？
令人糾結的是，有一種新的存儲器，它既是非易失的，同時又是能夠高速隨時讀寫數(shù)據的，也就是說能夠隨機存取的。這種存儲器就是FRAM(Ferroelectric Random Access Memory：鐵電隨機存取存儲器，簡稱鐵電存儲器)。把FRAM歸類為非易失性存儲器是可以，但是FRAM的高速讀寫性質又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。
于是，存儲器的分類令人糾結。傳統(tǒng)的分為RAM與ROM的方式本來就不科學。如果按分成RAM與非易失性存儲器這兩大類，也不科學，因為這個分類本身就不是按同一個標準分，導致FRAM即屬于RAM，又屬于非易失性存儲器。如果只分成易失性存儲器和非易失性存儲器，又導致FRAM與SRAM、DRAM分家，大家都有RAM嘛，憑什么分開是吧。
我的建議是，存儲器分成隨機存取存儲器和非隨機存取存儲器兩大類比較合適。
于是，存儲器的分類如下(按存取速度分類)：
1、 隨機存取存儲器：SRAM、DRAM、FRAM；
2、 非隨機存取存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM、Flash Memory。
差強人意的分類為(按易失性分類)：
1、 易失性存儲器：SRAM、DRAM；
2、 非易失性存儲器：掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPOM、Flash Memory、FRAM。