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  • 什么是射頻芯片？射頻芯片有哪些類型

    在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)射頻芯片的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果射頻芯片是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

  • 構(gòu)建一個(gè)電子長(zhǎng)笛

    一個(gè)通過(guò)被動(dòng)蜂鳴器產(chǎn)生聲音的電子笛子，可以主動(dòng)控制音高、音量和被動(dòng)照明。我制作這個(gè)文檔是為了讓你去構(gòu)建它——祝你制作過(guò)程愉快!

  • 電源噪聲和時(shí)鐘抖動(dòng)對(duì)高速DAC相位噪聲的影響及管理

    在通信、雷達(dá)、測(cè)試測(cè)量等高端電子系統(tǒng)中，高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)是連接數(shù)字信號(hào)與模擬信號(hào)的核心橋梁，其輸出信號(hào)的相位噪聲性能直接決定了系統(tǒng)的通信質(zhì)量、探測(cè)精度和信號(hào)保真度。隨著DAC采樣速率和分辨率的不斷提升，電源噪聲和時(shí)鐘抖動(dòng)對(duì)相位噪聲的影響愈發(fā)顯著，成為制約系統(tǒng)性能突破的關(guān)鍵瓶頸。本文將深入分析電源噪聲和時(shí)鐘抖動(dòng)影響高速DAC相位噪聲的內(nèi)在機(jī)制，提出針對(duì)性的管理策略，為高速DAC系統(tǒng)的設(shè)計(jì)優(yōu)化提供參考。

  • 如何執(zhí)行從L3內(nèi)存到Tile內(nèi)存的Shim數(shù)據(jù)移動(dòng)

    在本節(jié)中使用了列0的SHIM DMA(0,0), MEM Tile(0,1)和Core(0,2)。存儲(chǔ)在L3存儲(chǔ)器上的一組預(yù)定義數(shù)據(jù)流進(jìn)入NPU復(fù)合體。數(shù)據(jù)通過(guò)MEM內(nèi)存從SHM DMA路由到Core，然后路由回來(lái)。接收到的輸出流被捕獲并與參考進(jìn)行比較。

  • 如何使用MLIR工具鏈訪問AMD NPU

    在這個(gè)項(xiàng)目中，遵循Xilinx mlr - aie GitHub存儲(chǔ)庫(kù)中提供的說(shuō)明，在Ubuntu上建立一個(gè)功能開發(fā)環(huán)境，并在AMD Ryzen?AI NPU上執(zhí)行示例mlr - aie程序。目標(biāo)是完成完整的設(shè)置工作流程，其中包括安裝所需的工具鏈，配置系統(tǒng)依賴關(guān)系，并使用mlr -AIE框架構(gòu)建簡(jiǎn)單的AI引擎(AIE)設(shè)計(jì)。環(huán)境準(zhǔn)備好后，將編譯包括的示例應(yīng)用程序并將其部署到NPU中，以驗(yàn)證軟件工具和硬件平臺(tái)之間的正確集成。

  • 云計(jì)算賦能制造業(yè)：實(shí)現(xiàn)智能制造的轉(zhuǎn)型之路

    全球制造業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局加速重構(gòu)，數(shù)字化轉(zhuǎn)型已成為企業(yè)突破發(fā)展瓶頸、構(gòu)建核心競(jìng)爭(zhēng)力的必由之路。作為新一代信息技術(shù)的基石，云計(jì)算正通過(guò)技術(shù)融合與場(chǎng)景創(chuàng)新，深度重構(gòu)制造業(yè)的生產(chǎn)邏輯與價(jià)值鏈條。從設(shè)備互聯(lián)到智能決策，從柔性生產(chǎn)到全球協(xié)同，云計(jì)算正推動(dòng)制造業(yè)向智能化、服務(wù)化、綠色化方向全面升級(jí)。

  • 疊層電容實(shí)現(xiàn)高頻噪聲抑制的原理與機(jī)制

    在電子設(shè)備朝著高頻化、小型化、集成化發(fā)展的當(dāng)下，高頻噪聲問題愈發(fā)突出。這類噪聲不僅會(huì)干擾設(shè)備內(nèi)部電路的正常工作，還可能通過(guò)電磁輻射影響周邊電子系統(tǒng)，甚至違反電磁兼容(EMC)標(biāo)準(zhǔn)。疊層電容作為一種具備優(yōu)異高頻特性的被動(dòng)元器件，憑借其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和電氣性能，成為抑制高頻噪聲的核心器件之一。本文將從疊層電容的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)出發(fā)，深入剖析其抑制高頻噪聲的核心原理、關(guān)鍵影響因素及實(shí)際應(yīng)用邏輯，揭示其在高頻電子系統(tǒng)中的降噪價(jià)值。

  • 使用中等強(qiáng)度電流 DC/DC 穩(wěn)壓器模塊時(shí)應(yīng)避免的常見錯(cuò)誤

    在工業(yè)控制、汽車電子、通信設(shè)備等諸多領(lǐng)域，中等強(qiáng)度電流(通常指10A~50A)DC/DC穩(wěn)壓器模塊是實(shí)現(xiàn)電壓轉(zhuǎn)換與能量高效傳輸?shù)暮诵钠骷?。其性能穩(wěn)定性直接決定了整個(gè)電子系統(tǒng)的可靠性，但在實(shí)際應(yīng)用中，由于設(shè)計(jì)選型不當(dāng)、布局布線不規(guī)范、參數(shù)配置不合理等問題，常常導(dǎo)致模塊工作異常、效率下降甚至損壞。本文將梳理使用該類模塊時(shí)最易出現(xiàn)的常見錯(cuò)誤，并給出相應(yīng)的規(guī)避建議，為工程實(shí)踐提供參考。

  • 解決隔離單電源工業(yè)機(jī)器人系統(tǒng)高電壓?jiǎn)栴}的關(guān)鍵策略

    在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域，隔離單電源工業(yè)機(jī)器人因簡(jiǎn)化供電架構(gòu)、提升抗干擾能力等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于汽車制造、電子加工等高精度生產(chǎn)場(chǎng)景。然而，系統(tǒng)運(yùn)行中的高電壓?jiǎn)栴}卻始終是威脅設(shè)備安全、影響生產(chǎn)穩(wěn)定性的核心隱患，可能導(dǎo)致絕緣損壞、控制器故障甚至人員安全事故。本文結(jié)合隔離單電源系統(tǒng)的供電特性，從問題根源出發(fā)，闡述解決高電壓?jiǎn)栴}的關(guān)鍵策略，為工業(yè)機(jī)器人系統(tǒng)的安全運(yùn)維提供技術(shù)參考。

  • 電池保護(hù)板放電過(guò)程中MOS管燒壞的處理方法

    在電池包系統(tǒng)中，保護(hù)板是保障電池安全穩(wěn)定運(yùn)行的核心部件，而MOS管作為保護(hù)板放電回路的關(guān)鍵開關(guān)元件，其工作狀態(tài)直接決定放電過(guò)程的可靠性。放電過(guò)程中MOS管突發(fā)燒壞，不僅會(huì)導(dǎo)致電池包無(wú)法正常供電，還可能引發(fā)過(guò)熱、起火等安全隱患。本文結(jié)合工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，從故障診斷、應(yīng)急處理、根本修復(fù)及預(yù)防措施四個(gè)維度，詳細(xì)闡述電池保護(hù)板放電過(guò)程中MOS管燒壞的完整處理方法，為相關(guān)技術(shù)人員提供實(shí)操指引。

  • 電源設(shè)計(jì)中影響環(huán)路性能的關(guān)鍵因素解析

    在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，環(huán)路性能直接決定了電源的穩(wěn)定性、動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度、輸出紋波抑制能力等核心指標(biāo)。環(huán)路作為電源系統(tǒng)中“檢測(cè)-比較-調(diào)節(jié)”的核心鏈路，其工作狀態(tài)受到多種設(shè)計(jì)因素的耦合影響。無(wú)論是線性電源還是開關(guān)電源，環(huán)路設(shè)計(jì)不當(dāng)都可能導(dǎo)致輸出電壓波動(dòng)、負(fù)載突變時(shí)響應(yīng)滯后，甚至出現(xiàn)系統(tǒng)振蕩等嚴(yán)重問題。本文將系統(tǒng)梳理電源設(shè)計(jì)中影響環(huán)路性能的關(guān)鍵因素，深入分析各因素的作用機(jī)制及對(duì)環(huán)路的具體影響，為電源環(huán)路優(yōu)化設(shè)計(jì)提供參考。

  • 不同電阻容差對(duì)THD性能的影響規(guī)律

    在高精度信號(hào)采集系統(tǒng)中，差分ADC憑借其優(yōu)異的共模抑制能力、抗干擾性能，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)測(cè)量、醫(yī)療儀器、通信設(shè)備等領(lǐng)域?？傊C波失真(THD)作為評(píng)估ADC信號(hào)保真度的核心指標(biāo)，直接決定了系統(tǒng)對(duì)原始信號(hào)的還原精度。在差分ADC的信號(hào)調(diào)理電路與內(nèi)部量化模塊中，電阻元件承擔(dān)著信號(hào)分壓、阻抗匹配、積分濾波等關(guān)鍵功能，其容差特性會(huì)通過(guò)電路增益偏差、相位失衡等路徑影響THD性能。本文將從差分ADC的工作機(jī)制出發(fā)，深入分析不同電阻容差對(duì)THD性能的影響規(guī)律，并結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景給出優(yōu)化建議。

  • 用于脈沖雷達(dá)的GaN MMIC功率放大器的電源管理技術(shù)研究

    脈沖雷達(dá)憑借高測(cè)距精度、強(qiáng)抗干擾能力等優(yōu)勢(shì)，在國(guó)防預(yù)警、航空航天、民用導(dǎo)航等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。GaN(氮化鎵)MMIC(單片微波集成電路)功率放大器作為脈沖雷達(dá)射頻前端的核心部件，具有高功率密度、寬帶寬、高效率等突出特性，但其對(duì)電源系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)、穩(wěn)定性及可靠性提出了嚴(yán)苛要求。本文針對(duì)脈沖雷達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景，深入分析GaN MMIC功率放大器的電源需求特性，重點(diǎn)探討電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)選型、動(dòng)態(tài)供電技術(shù)、電磁兼容性設(shè)計(jì)及保護(hù)機(jī)制等關(guān)鍵電源管理技術(shù)，最后展望其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)，為脈沖雷達(dá)用GaN MMIC功率放大器電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化提供參考。

  • 開關(guān)電容濾波器在抗混疊濾波中的應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)

    在信號(hào)采集與處理系統(tǒng)中，混疊失真是制約信號(hào)精度的關(guān)鍵問題。當(dāng)輸入信號(hào)的頻率超過(guò)采樣頻率的二分之一(奈奎斯特頻率)時(shí)，高頻信號(hào)會(huì)折疊到低頻段，導(dǎo)致原始信號(hào)失真，因此抗混疊濾波成為信號(hào)預(yù)處理的核心環(huán)節(jié)。開關(guān)電容濾波器(SCF)憑借其高精度、高集成度、可編程性等優(yōu)勢(shì)，逐漸取代傳統(tǒng) RC 濾波器，成為現(xiàn)代電子系統(tǒng)中抗混疊濾波的優(yōu)選方案。本文將從原理、設(shè)計(jì)、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用等方面，深入探討開關(guān)電容濾波器實(shí)現(xiàn)抗混疊濾波的技術(shù)路徑。

  • 為什么在傳輸電壓時(shí)，遠(yuǎn)低于負(fù)載阻抗的源阻抗是最好的?

    在電力傳輸、電子設(shè)備信號(hào)傳輸?shù)葓?chǎng)景中，電壓傳輸?shù)暮诵哪繕?biāo)是確保負(fù)載端獲得穩(wěn)定、足額的電壓，同時(shí)最大限度減少能量損耗與信號(hào)失真。源阻抗(Rs)與負(fù)載阻抗(RL)的匹配關(guān)系，直接決定了這兩個(gè)目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)程度。所謂 “遠(yuǎn)低于負(fù)載阻抗的源阻抗”，即滿足 Rs ? RL(通常要求 Rs ≤ 0.1RL 或更低)，這一匹配原則并非主觀選擇，而是由電路規(guī)律與實(shí)際需求共同決定的科學(xué)結(jié)論。

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