在5G通信、雷達(dá)信號(hào)處理等實(shí)時(shí)性要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景中,F(xiàn)IR(有限脈沖響應(yīng))濾波器需在納秒級(jí)延遲內(nèi)完成信號(hào)處理。傳統(tǒng)基于乘加器的FIR實(shí)現(xiàn)方式因組合邏輯路徑過(guò)長(zhǎng),難以滿足低延遲需求。FPGA通過(guò)分布式算法(DA)與精細(xì)化寄存器配置,可顯著縮短關(guān)鍵路徑延遲,實(shí)現(xiàn)亞納秒級(jí)響應(yīng)的濾波器設(shè)計(jì)。本文從算法優(yōu)化與硬件實(shí)現(xiàn)兩個(gè)層面,探討低延遲FIR濾波器的FPGA實(shí)現(xiàn)技巧。
在工業(yè)檢測(cè)、自動(dòng)駕駛等實(shí)時(shí)圖像處理場(chǎng)景中,Sobel算子因其低計(jì)算復(fù)雜度和良好的邊緣定位能力,成為最常用的邊緣檢測(cè)算法之一。然而,傳統(tǒng)軟件實(shí)現(xiàn)難以滿足高分辨率圖像(如4K@60fps)的實(shí)時(shí)處理需求。FPGA憑借其并行計(jì)算架構(gòu)和定制化內(nèi)存設(shè)計(jì),為Sobel算法的硬件加速提供了理想平臺(tái)。本文從并行計(jì)算架構(gòu)與內(nèi)存訪問優(yōu)化兩個(gè)維度,探討FPGA實(shí)現(xiàn)Sobel邊緣檢測(cè)的關(guān)鍵技術(shù)。
在5G通信、數(shù)據(jù)中心等高速數(shù)據(jù)傳輸場(chǎng)景中,F(xiàn)PGA憑借其并行處理能力和可重構(gòu)特性,成為實(shí)現(xiàn)高速串行接口的核心器件。然而,高速信號(hào)在傳輸過(guò)程中易受時(shí)鐘偏移、抖動(dòng)等因素影響,導(dǎo)致數(shù)據(jù)同步失效。時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)(CDR)技術(shù)通過(guò)從接收信號(hào)中提取時(shí)鐘信息,成為解決這一問題的關(guān)鍵。本文結(jié)合實(shí)際工程案例,從CDR電路設(shè)計(jì)與時(shí)序約束兩個(gè)維度,探討FPGA實(shí)現(xiàn)高速串行通信的優(yōu)化策略。
通過(guò)采用雙積分滑??刂破髟O(shè)計(jì)DAB變換器的輸出電壓控制器,實(shí)現(xiàn)了對(duì)輸出電壓的精確控制。
半導(dǎo)體激光器廣泛應(yīng)用于光通信、生物醫(yī)學(xué)、集成光學(xué)和材料科學(xué)等領(lǐng)域,但它們是如何工作的呢?了解它們的結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵屬性和工作原理對(duì)于探索它們的應(yīng)用和性能至關(guān)重要。
在電場(chǎng)作用下,電介質(zhì)內(nèi)少量自由電子動(dòng)能增大,當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度足夠大時(shí),自由電子不斷撞擊介質(zhì)內(nèi)的離子,并把能量傳遞給離子使之電離,從而產(chǎn)生新的次級(jí)電子。
相機(jī)中可以使用不同類型的人工智能技術(shù),例如機(jī)器學(xué)習(xí)、計(jì)算機(jī)視覺、深度學(xué)習(xí)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等。機(jī)器學(xué)習(xí)是一種教會(huì)計(jì)算機(jī)從數(shù)據(jù)中學(xué)習(xí)并提高其性能的方法,而無(wú)需顯式編程。
無(wú)線單片機(jī)是一種集成了微控制器、存儲(chǔ)器、A/D轉(zhuǎn)換器、接口電路和無(wú)線數(shù)據(jù)通訊收發(fā)芯片的無(wú)線片上系統(tǒng)(SoC)。
芯片代表著科技生產(chǎn)水平, 在信息時(shí)代,電腦、手機(jī)、家電汽車、高鐵、電網(wǎng)、醫(yī)療儀器、機(jī)器人、工業(yè)控制等各種電子產(chǎn)品都離不開芯片,是信息產(chǎn)業(yè)的三要素之一,芯片起則科技起,科技興則國(guó)興。
?溫度保護(hù)的主要目的是為了防止芯片因異常高溫而損壞?。溫度保護(hù)通過(guò)監(jiān)測(cè)芯片的工作溫度,當(dāng)溫度超過(guò)設(shè)定的閾值時(shí),采取相應(yīng)的措施來(lái)降低溫度,從而保護(hù)芯片不受損壞。
LDO低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Linear Regulator)是一種基于線性穩(wěn)壓原理的集成電路器件,主要用于電子設(shè)備電源管理領(lǐng)域,可在輸入輸出電壓差極低(通常低于400mV)時(shí)穩(wěn)定輸出直流電壓 [1-2]。
在電力電子領(lǐng)域,AC/DC 轉(zhuǎn)換器作為能源變換的核心設(shè)備,其效率與設(shè)計(jì)復(fù)雜度始終是工程師關(guān)注的焦點(diǎn)。隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的突破,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借優(yōu)異的電學(xué)特性,正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件,成為高效 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的優(yōu)選方案。與硅(Si)IGBT、MOSFET 相比,采用 SiC MOSFET 的 AC/DC 轉(zhuǎn)換器不僅能實(shí)現(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率,更在設(shè)計(jì)流程中展現(xiàn)出顯著的簡(jiǎn)化優(yōu)勢(shì),從器件選型、拓?fù)浼軜?gòu)到熱管理設(shè)計(jì),全方位降低了工程師的開發(fā)難度與成本。
在印制電路板(PCB)設(shè)計(jì)中,過(guò)孔作為實(shí)現(xiàn)不同層間電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu),其性能直接決定了整個(gè)電路的可靠性與穩(wěn)定性。其中,過(guò)孔孔徑大小不僅影響 PCB 的空間利用率和制造成本,更對(duì)電流傳輸能力(通流能力)產(chǎn)生顯著影響。本文將從過(guò)孔的結(jié)構(gòu)原理出發(fā),系統(tǒng)分析孔徑大小與通流能力的內(nèi)在關(guān)聯(lián),結(jié)合實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景提供選型建議,為 PCB 設(shè)計(jì)工程師提供技術(shù)參考。
在現(xiàn)代工業(yè)與科技飛速發(fā)展的浪潮中,電機(jī)作為將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的關(guān)鍵設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。而電機(jī)控制器,作為電機(jī)的 “大腦”,其重要性不言而喻。從工業(yè)生產(chǎn)線上的精密運(yùn)作,到電動(dòng)汽車的高效驅(qū)動(dòng),再到智能家居的便捷控制,電機(jī)控制器正悄然經(jīng)歷著一場(chǎng)智能進(jìn)化的動(dòng)力革命,深刻改變著我們的生活與生產(chǎn)方式。
在現(xiàn)代信息化戰(zhàn)爭(zhēng)中,軍用裝備的電磁環(huán)境日益復(fù)雜,雷達(dá)、通信、導(dǎo)航等電子設(shè)備密集部署,電磁干擾已成為影響裝備作戰(zhàn)效能的關(guān)鍵因素。軍用電磁兼容(EMC)測(cè)試系統(tǒng)作為保障裝備電磁安全性的核心手段,不僅能精準(zhǔn)定位電磁干擾源,更能通過(guò)自動(dòng)化技術(shù)實(shí)現(xiàn)干擾整改,為武器系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行筑牢 “電磁防線”。當(dāng)前,五大主流軍用電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)已形成覆蓋 “干擾監(jiān)測(cè) - 定位分析 - 仿真預(yù)測(cè) - 整改優(yōu)化 - 驗(yàn)證評(píng)估” 的全流程技術(shù)體系,成為軍工裝備研發(fā)、生產(chǎn)與列裝的核心支撐。