賽普拉斯半導體公司日前宣布施耐德電氣公司在其兩款全新可編程自動化控制器中設計采用了賽普拉斯的非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。施耐德BMXCRA31210與BMXERT1604控制器均采用賽普拉斯的CY14B101Q2 1MB nvSRAM作為其時間標記緩沖器。一旦檢測到諸如開關閉合、電力線故障等事件，nvSRAM就會把它記錄到滾動更新緩沖器(rolling buffer)。此類事件在整個產品生命周期會無限次出現(xiàn)，因此配備具有此功能的非?？煽康慕M件顯得至關重要。

1MB串行nvSRAM器件可提供業(yè)界標準的SPI接口，工作頻率最高可達40MHz。nvSRAM器件不使用電池，因此它們不但環(huán)保，而且無需進行維護——這一點對于生產工藝而言尤為重要。賽普拉斯nvSRAM具有無限次讀、寫和取回(recall)周期，數(shù)據保留時間長達20年，從而使其成為面向需要持續(xù)高速數(shù)據寫入以及絕對非易失性數(shù)據安全的應用的最佳解決方案。

“賽普拉斯的串行nvSRAM以小尺寸為我們的BMXCRA31210與BMXERT1604可編程自動化控制器帶來卓越的性能與可靠性，”施耐德電氣公司工業(yè)控制業(yè)務部的工廠解決方案控制市場營銷總監(jiān)Marc Lafont指出，“可靠的事件記錄功能對于自動化應用而言至關重要，而賽普拉斯的nvSRAM在這個方面有出色表現(xiàn)。”

“賽普拉斯nvSRAM團隊在設計方面與我們緊密合作，而且提供了強有力的支持，”施耐德電氣公司工業(yè)控制業(yè)務部的硬件架構師Jean-Jacques Adragna指出，“除了帶來我們的客戶所需要的可靠性，無需電池的串行nvSRAM也很環(huán)保，我們對此感到非常滿意。”

“我們從2010年開始銷售串行nvSRAM，而且也看到了這個業(yè)務領域的快速增長——像施耐德電氣這樣業(yè)界領先的工業(yè)控制解決方案供應商所采用的這種設計就是重要實證，”賽普拉斯非易失性產品業(yè)務部副總裁Babak Taheri指出，“我們的小封裝串行nvSRAM具有無與倫比的耐用性，為我們的客戶提供了一個安全網，讓他們即使在斷電情況下也能對關鍵數(shù)據的存儲高枕無憂。”

1MB串行nvSRAM采用8引腳與16引腳SOIC封裝。賽普拉斯的nvSRAM基于其S8™ 0.13微米SONOS(硅氧化氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲器技術而制造，能夠實現(xiàn)更高的密度、更多的存取次數(shù)和更高的性能。nvSRAM解決方案理想適用于需要絕對非易失性數(shù)據安全的應用，如：RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制與自動化(例如：PLC、電機控制、電機驅動器與機器人)、單板計算機、POS終端、電子計量、汽車、醫(yī)療與數(shù)據通信系統(tǒng)等。