為了進一步擴大eGaN FET及IC的應用范圍、加大研發(fā)力度及幫助客戶使用eGaN FET及IC并對器件進行評估，宜普公司宣布Blacksburg應用中心落成啟用及聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布位于美國弗吉尼亞州的Blacksburg應用中心落成。該中心進一步支持增強型氮化鎵晶體管及集成電路的研發(fā)及應用，從而擴大潛在市場的覆蓋率。除了基于傳統(tǒng)的場效應晶體管及集成電路的功率轉換應用外，氮化鎵技術推動新興應用的出現(xiàn)，包括無線電源傳輸、應用于全自動駕駛車輛的激光雷達技術及 支持4G和5G通信標準的包絡跟蹤應用。

為了支持應用中心的運作，EPC公司聘任Suvankar Biswas博士為高級應用工程師。Biswas博士的工作經(jīng)驗包括面向集成式光伏模塊的轉換器拓撲、并網(wǎng)逆變器及存儲。此外，他的研發(fā)經(jīng)驗包括在移動設備面向能量收集的電力電子電路與集成的研發(fā)工作、面向移動平臺系統(tǒng)的分布式功率架構、混合動力車輛和它與Smart Grid的互聯(lián)等研發(fā)工作。他是IEEE會員，曾發(fā)表多篇經(jīng)過同行審查的文章。Biswas博士從Indian Institute of Technology Kharagpur獲得電機工程學的學士學位，并從University of Minnesota獲得博士學位。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow博士稱:「我們致力于開發(fā)及設計基于eGaN技術的解決方案并展示eGaN晶體管的性能比MOSFET及LDMOS優(yōu)越。Blacksburg應用中心的落成成為我們持續(xù)擴大與客戶的合作伙伴關系的一個重要里程碑。我們非常高興Biswas博士在基于氮化鎵技術的解決方案正在快速普及之時加入我們的團隊?！?/p>