本電路的結構及工作原理與前一個電路基本相同，只是在所用元件與部分功能上略冉
不同o一是該電路的顯示頻段分為七個頻段，其中心頻率按2.5倍頻程選取，分別為
60Hz、150Hz.400Hz、1kHz、2-5“七、6kHz:和15kHz；二是該電路的電壓比較器采用
了一只LB1404來代替兩只運放，并由8級比較增大為9級比較，使顯示矩陣由8×8變
為7×9；三是在帶通濾波器之前增加了一個輸入放大器和自動電平控制電路，克服了大
信號的滿屏和小信號的暗屏現象。同時增設了一個記憶選擇電路，通過開關進行控制，接
通開關時，正在顯示的頻譜被固定下來，以便進行仔細分析信號的頻率成分及信號強度。
    全電路由輸人信號混合放大、自動電平控制、電子開關、掃描脈沖分配、帶通濾波器
和記憶選擇電路等組成。電路如圖4-64所示o
    輸入混合電路。左右聲道輸入信號從輸入端輸入后，經混臺電阻Rl、R2的混合后，
由cl耦合至ICI-4作隔離放大o Rl、R2取值較大，以減小對分離度的影響。信號經ICl.4
放大后分為兩路，一路經巴耦合、VDi、、rDz倍壓整流及C3濾波后，產生反映信號強度
的直流電壓，經馬加到VTi的基極，由VTi放大后再控制VTzC-E問的導通電阻，相
應地控制了輸入到ICI-4的信號的強度，從而穩(wěn)定了輸出電平；另一路加到Icl-l～lCl.3、
IC2-1～IC2-4及周圍元件組成的7級帶通濾波器，作分頻處理。
    由帶通濾波器輸出的信號電壓，需經二極管、，D4～VDio整流，以取得反映各頻段信
號強度的直流電壓。由于硅二極管的導通電壓（并稱死區(qū)）較高，為了克服死區(qū)電壓的影
響，本電路設置了消死區(qū)電路，它由Rg和Ⅵ瑰組成，Ⅵb是采用鍺低頻三極管的eb
極間壓降，形成性能較好的0,3V穩(wěn)定電壓，以減小硅二極管死區(qū)電壓的影響。