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摘要:利用Multisim 10仿真軟件對單管共射放大電路進行了計算機輔助教學。采用直流工作點分析了電路靜態(tài)工作點的設置。利用溫度掃描和參數(shù)掃描分析了溫度對靜態(tài)工作點以及電路參數(shù)對輸出波形的影響。對電壓增益、輸入電阻和輸出電阻的仿真測試結果和理論計算基本吻合。研究表明,利用Multisim 10強大的分析功能對電子電路進行計算機仿真,可以提高教學質量和教學效果。
關鍵詞:Multisim 10;電路仿真;靜態(tài)工作點;動態(tài)參數(shù)

0 引言
在電子技術的發(fā)展歷程中,隨著計算機輔助技術的應用和普及,以及電子產品向數(shù)字化、集成化、微型化和低功耗方向的發(fā)展,EDA(Electronic Design Automation)技術逐漸產生并日趨完善。電子、電氣、信息類專業(yè)的學生可以應用EDA技術進行電子電路的設計和測試。EDA具有效率高,周期短,應用范圍廣的優(yōu)點,已成為當今電子設計的主流手段和技術潮流。在眾多的電路仿真軟件中,Multisim以其界面友好,功能強大和容易使用而倍受高校電類專業(yè)師生和工程技術人員的青睞。Multisim 10是美國國家儀器公司NI(National Instruments)最新推出的Multisim版本,集電路設計和功能測試于一件,為設計者提供了一個功能強大,儀器齊全的虛擬電子工作平臺。設計者可以利用大量的虛擬電子元器件和儀器儀表,搭建虛擬實驗室,進行模擬電路、數(shù)字電路、自動控制、單片機和射頻電子線路的仿真和調試。
模擬電子技術是高校電類專業(yè)的基礎課程。單管共射放大電路是模擬電子技術的基礎部分,也是這門課程的教學重點和難點,而單管共射放大電路則是放大電路的基本形式。要在放大電路中實現(xiàn)輸出信號的不失真放大,必須設置合適的靜態(tài)工作點。放大電路的適用范圍是低頻小信號,電壓增益、輸入電阻和輸出電阻是分析放大電路的動態(tài)指標。利用仿真軟件對典型電子電路進行計算機仿真,實現(xiàn)在有限的課題教學中,化簡單抽象為具體形象,化枯燥乏味為生動有趣,能充分調動學生的學習興趣和自主性,幫助學生更好地理解和掌握教學內容。本文以單管共射放大電路為例,應用Multisim 10仿真軟件進行了模擬電路的計算機輔助教學。

1 單管共射放大電路的靜態(tài)工作點
1.1 靜態(tài)工作點(Q點)的設置
在Multisim 10中創(chuàng)建如圖1所示的單管共射放大電路。選用NPN型硅晶體管2N1711作為BJT,雙蹤示波器用于觀測輸入/輸出信號波形,交流信號源為5 mVpk,頻率為2 kHz。為了獲得放大的不失真輸出信號,電路需要設置合適的靜態(tài)工作點(Q點),Q點過高(或過低)會引起輸出信號的飽和(或截止)失真。對電路進行直流工作點分析,得到如圖2所示的仿真數(shù)據(jù),包括晶體管的結點電位和基極、集電極電流。


從圖2的結點數(shù)據(jù)可以計算放大電路的靜態(tài)工作點電壓:

與電源電壓Vcc=12 V相比,該放大電路的Q點設置合理。在設置了合適的Q點之后,在輸入端加上低頻小信號電壓,觀察到如圖3所示的輸入/輸出信號波形圖。由圖3可見,輸入/輸出信號反相,輸出波形完整無失真,與輸入信號相比,輸出信號的幅值有很大增加。可見,該電路基本實現(xiàn)了對低頻小信號的放大功能。


在Q點的教學實踐中,學生對于Q點的理解往往很模糊,存在為何要設置Q點,如何設置Q點,Q點設置不合理會出現(xiàn)什么結果等疑問。通過改變偏置電阻的阻值改變放大電路的偏置電壓來獲得合適的Q點。通過改變RB1的阻值來觀察Q點設置偏高和偏低所帶來的失真。取交流信號源為20 mVpk,頻率為2 kHz。當RB1=17.6kΩ,對電路進行直流工作點分析,得到VCE=0.442 2V,Q點設置過高,出現(xiàn)飽和失真(底部失真),輸入/輸出波形如圖4(a)所示。當RB1=85 kΩ,得到VCE=11.609 8 V,Q點設置過低,出現(xiàn)截止失真(頂部失真)。輸入/輸出波形如圖4(b)所示。通過演示,讓學生看到設置Q點不同會造成什么樣的結果,對Q點合理設置的理解就深入透徹了。


1.2 溫度對靜態(tài)工作點(Q點)的影響
溫度掃描分析用來研究溫度變化對電路性能的影響。通常仿真溫度是27℃,溫度掃描分析相當于在不同的環(huán)境溫度下進行多次仿真。影響靜態(tài)工作點(Q點)穩(wěn)定性的因素很多,例如電路參數(shù)變化,管子老化等,其中最主要的因素是BJT的特性參數(shù)隨溫度發(fā)生變化。硅管的VBE和β受溫度的影響較大,這是硅管的特點。為了研究Q點隨溫度的變化,對Q點進行了溫度掃描分析,得到不同溫度下晶體管的結點電位。繪制出VCE和VBE隨溫度變化的曲線如圖5所示。


由圖可見,隨著溫度的升高,VCE和VBE呈線性下降。VBE的線性擬合方程為:

式中:溫度系數(shù)為-1.25 mV/℃。硅管VBE的溫度系數(shù)一般為-2.2 mV/℃。比較發(fā)現(xiàn),這里VBE的溫度系數(shù)較小,這是因為在該射極偏置電路(也稱自偏置電路)中,發(fā)射極電阻的直流負反饋穩(wěn)定了Q點,從而大大減小了溫度變化對Q點的影響。

2 單管共射放大電路的動態(tài)指標
2.1 電壓增益
根據(jù)圖3的輸入/輸出信號波形圖,可以計算出該放大電路的電壓增益:

利用H參數(shù)小信號模型,繪制如圖6所示的放大電路小信號等效電路。由此模型得到電壓增益的表達式:

式中:交流電流放大系數(shù)采用直流系數(shù)β=IC/IB;β由靜態(tài)工作點的基極和集電極電流進行計算。利用下列公式估算rBE:

將數(shù)值帶入式(4),得到電壓增益為-20.86,與仿真結果比較接近。從式(4)發(fā)現(xiàn),電壓增益隨RE1阻值的增加而減小。為了觀察RE1對電壓增益的影響,對RE1進行了參數(shù)掃描分析。選擇RE1為參數(shù)掃描分析元件,RE1的阻值設置為100 Ω,200 Ω,300 Ω和500 Ω,且觀察其阻值變化對輸出波形的影響,分析結果如圖7所示。中間幅值最小的曲線是輸入信號,其他是不同阻值下的輸出信號。


由圖7可見,隨著RE1阻值的增加,輸出信號的幅值逐漸下降。參數(shù)掃描分析結果與式(4)的結論是一致的。那么能否把RE1的阻值設置為零,以獲得高電壓增益呢:圖8是RE1為零時的輸入/輸出波形圖。由圖發(fā)現(xiàn),雖然輸出幅值有所增加,但是輸入/輸出波形出現(xiàn)了明顯的相移。因此將RE1的阻值設置為100 Ω。
2.2 輸入電阻
在Multisim 10中創(chuàng)建如圖9所示的輸入電阻測量電路。在放大電路的輸入回路接虛擬儀器電流表和電壓表,運行電路,得到電流和電壓的測量值。依據(jù)測量結果計算輸入電阻:

將數(shù)值帶入上式,得到輸入電阻為3.58 kΩ。比較可見,仿真分析與理論計算的結果比較吻合。


2.3 輸出電阻
測量輸出電阻采用的是外加激勵源法,創(chuàng)建如圖10所示的測量電路,由仿真結果計算輸出電阻:


因為R’o≥Rc,所以Ro≈Rc=5.4 kΩ。可見,仿真測量與理論計算的結果基本符合。也可以測量放大電路有負載時的輸出電壓VL和負載開路時的輸出電壓VO,其利用公式為:

計算輸出電阻。測得VO=119.474 mV,VL=62.149 mV,RL=R1=5.4 kΩ,算得輸出電阻為5.0 kΩ。計算結果與外加激勵源法測出的電阻值是一致的。



3 結語
本文以單管共射放大電路為例,在模擬電子技術中引入了Multisim 10輔助教學,即利用直流工作點分析放大電路的靜態(tài)工作點,利用溫度掃描分析溫度變化對靜態(tài)工作點的影響,利用參數(shù)掃描分析電路參數(shù)對輸出波形的影響。最后對電路的動態(tài)指標進行了仿真測試,對比結果發(fā)現(xiàn),測量值與理論計算值基本吻合。在放大電路的教學過程中,通過創(chuàng)建簡便直觀的教學情景,應用虛擬儀器在虛擬實驗平臺上形象生動地展示電路運行的情況,將理論知識與電路仿真實踐相結合,拓寬了學生的視野,提高了學生的學習興趣,促進學生主體作用的發(fā)揮,培養(yǎng)了學生綜合分析能力和開發(fā)創(chuàng)新能力。教學實踐說明,引入Multisim仿真軟件輔助教學,可以顯著提高教學質量和教學效果,是未來模擬電路教學發(fā)展的必然趨勢。

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