意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺(tái)的細(xì)節(jié)。新的技術(shù)平臺(tái)將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿(mǎn)足不斷升級(jí)的能效標(biāo)準(zhǔn)的要求，延長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的工作時(shí)間。滿(mǎn)足這些日益提高的標(biāo)準(zhǔn)需要全方位考慮微控制器的設(shè)計(jì)和制程技術(shù)，進(jìn)行全面的最大限度的改進(jìn)。

　 新平臺(tái)采用130nm制程，意法半導(dǎo)體對(duì)這個(gè)平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時(shí)選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲(chǔ)器、新的低壓低功耗標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)和創(chuàng)新的電源管理架構(gòu)。這些改進(jìn)技術(shù)合在一起可大幅降低動(dòng)態(tài)和靜態(tài)功耗，讓未來(lái)的微控制器比目前市場(chǎng)上低功耗產(chǎn)品的性能功率比更大幅進(jìn)步。

　　意法半導(dǎo)體將在2009年推出首批基于這個(gè)超低功耗平臺(tái)的全新微控制器系列STM8L和STM32L，這兩款產(chǎn)品將開(kāi)啟8位的STM8S和32位的STM32F兩個(gè)超低功耗產(chǎn)品線，閃存動(dòng)態(tài)功降至150μA/MHz，停止模式功耗最低300nA，且可以同時(shí)保存和寄存器的內(nèi)容。STM8L產(chǎn)品的首批樣品已經(jīng)開(kāi)始交付主要客戶(hù)測(cè)試。

　　在這個(gè)新的技術(shù)平臺(tái)內(nèi)，優(yōu)化的130nm數(shù)字晶體管的漏電流很小，可降低微控制器在正常工作模式以及節(jié)能模式下的電流消耗。此外，創(chuàng)新的低功耗嵌入式非易失性存儲(chǔ)器可降低應(yīng)用數(shù)據(jù)處理所需的功耗。改進(jìn)的模擬晶體管的工作電壓降至1.65V，使片上能夠在低壓電源下工作。通過(guò)采用低工作電壓內(nèi)核和4μs超高速低功耗狀態(tài)喚醒等方法，電源管理架構(gòu)可在全部模式下節(jié)省電能。最后，專(zhuān)用數(shù)字庫(kù)和低功耗系統(tǒng)芯片(SoC)的新設(shè)計(jì)流程將有助于意法半導(dǎo)體擴(kuò)大超低功耗微控制器的產(chǎn)品范圍，為市場(chǎng)快速推出新器件。

　　其它更多的產(chǎn)品也將受益于新的8位和32位微控制器，包括報(bào)警系統(tǒng)、無(wú)線、觸感模塊和便攜設(shè)備，如個(gè)人保健設(shè)備、手持、、設(shè)備、個(gè)人運(yùn)動(dòng)設(shè)備和手機(jī)。

　　STM8S和STM32F系列產(chǎn)品可解決開(kāi)發(fā)人員對(duì)高效處理器架構(gòu)的需求，具有低成本、低功耗和高設(shè)計(jì)靈活性的優(yōu)點(diǎn)。這兩個(gè)系列產(chǎn)品均使用先進(jìn)的處理器內(nèi)核，如STM32F系列的32-位ARM Cortex-M3處理器。為提高設(shè)計(jì)靈活性和軟件再用性，兩個(gè)系列產(chǎn)品共用標(biāo)準(zhǔn)的外設(shè)功能。每個(gè)系列中的現(xiàn)有產(chǎn)品的引腳相互兼容，這個(gè)優(yōu)點(diǎn)讓設(shè)計(jì)人員根據(jù)每一款設(shè)計(jì)，更加自由地優(yōu)化引腳數(shù)量和外設(shè)。兩個(gè)系列產(chǎn)品都充分利用了現(xiàn)有的節(jié)能技術(shù)，包括可節(jié)省電能的睡眠模式和待機(jī)模式、可降低時(shí)鐘周期浪費(fèi)的快速喚醒時(shí)間以及低電壓工作。