磁存儲是已被使用數十年的存儲技術，但它的一個問題是速度較低。瑞士研究人員報告說，找到了極大提高磁存儲速度的方法，有望讓計算機在不久的將來用上高速的磁內存，從而大大減少計算機啟動時間。

據新華社9月11日消息，自從國際商用機器公司(IBM)于1956年推出第一個磁盤存儲器以來，磁存儲器因其長壽命和低成本的優(yōu)勢，一直被用來存儲信息，比如作為計算機的硬盤。傳統(tǒng)磁存儲器通過帶電線圈產生的磁場變化來改變存儲介質的磁性，從而實現存儲信息，但其速度跟不上越來越快的計算機處理器，難以用作對速度要求高的內存。

瑞士蘇黎世聯邦理工大學材料系教授彼得羅·甘巴爾代拉領導的團隊在新一期英國《自然·納米技術》雜志上發(fā)表報告說，利用被稱為“自旋軌道轉矩”的物理現象，可以不用通電線圈，僅用通電的特殊半導體薄膜材料就能改變存儲介質的磁性，從而實現磁存儲。

該團隊用新方法改變了一個直徑約500納米的鈷金屬點的磁性，發(fā)現在給其附近的導線通電后，在不到1納秒的時間內，鈷金屬點的磁性就發(fā)生了改變。并且鈷金屬點可如此反復經歷上萬億次的磁性變化，說明它可成為高速且耐用的存儲介質。與傳統(tǒng)線圈方式的磁存儲器相比，新方法不僅速度快，還不會因為線圈的電阻而消耗能量，能效更高。

研究人員說，這一新技術有望讓計算機的內存用上磁存儲器。目前許多計算機的內存采用電存儲器，關機斷電后內存中的信息就會被清空，因此重新開機時需要較長時間。而磁存儲可以在斷電后仍然保留數據，因此如果計算機用上磁內存，有望大大減少開機啟動的時間。