為了鞏固在全球手機(jī)和消費(fèi)電子芯片市場(chǎng)的領(lǐng)先位置，三星電子日前推出一系列移動(dòng)內(nèi)存芯片解決方案。

　 在日前舉行的三星移動(dòng)方案論壇上，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部總裁Hwang Chang-Gyu表示，手持設(shè)備和消費(fèi)電子將推動(dòng)下一波增長(zhǎng)。

　 目前，全球每年手機(jī)和數(shù)字消費(fèi)電子出貨量達(dá)到20億。Chang-Gyu表示這個(gè)市場(chǎng)“比現(xiàn)在個(gè)人電腦市場(chǎng)要大十倍”，而每年P(guān)C銷(xiāo)售量是2億臺(tái)。同時(shí)，他預(yù)測(cè)增長(zhǎng)趨勢(shì)將維持到2010年。 　　為了滿(mǎn)足手機(jī)和數(shù)字消費(fèi)電子間日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移需要，三星希望推出像內(nèi)存芯片一樣的創(chuàng)新數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。 　　例如，手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)甚至視頻播放器都開(kāi)始配置越來(lái)越多數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備，以便為復(fù)雜功能提供支持。手機(jī)中的內(nèi)存容量已從10 Kb跳升到幾百萬(wàn)字節(jié)。 　　三星最新推出的Flex-OneNAND芯片，在一個(gè)硅底板上提供單層和多層單元解決方案。 　　 Flex-OneNAND是三星推出的第三代多功能熔合半導(dǎo)體芯片，前身是第二代OneNAND嵌入芯片。它結(jié)合自己的專(zhuān)有軟件程序，可以在單層單元(SLC)和多層單元(MLC)閃存技術(shù)之間靈活轉(zhuǎn)換。 　　當(dāng)該芯片被用作專(zhuān)用SLC NAND閃存時(shí)，其存儲(chǔ)密度為2Gb。

　在更多數(shù)據(jù)為中心的設(shè)計(jì)中，該芯片可用作專(zhuān)門(mén)的MLC NAND閃存芯片。在那種情況下，其存儲(chǔ)密度為4Gb。

　三星表示，為了在設(shè)計(jì)時(shí)節(jié)省板上空間，設(shè)計(jì)人員可以使用單芯片替代原有的SLC類(lèi)型NAND閃存和MLC閃存。

　例如，通常手機(jī)具有一個(gè)SLC NAND閃存芯片和一個(gè)MLC內(nèi)存。SLC芯片作為存儲(chǔ)中心操作或者應(yīng)用軟件程序。MLC芯片用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，或者采用擴(kuò)展槽插入一張MLC NAND閃存卡。

　 Flex-OneNAND芯片將在2007年4月開(kāi)始批量生產(chǎn)，三星預(yù)期該芯片銷(xiāo)售額達(dá)到1億美元，到2012年達(dá)到10億美元。 　　三星也發(fā)布了一個(gè)移動(dòng)開(kāi)發(fā)平臺(tái)套件，結(jié)合其獨(dú)家應(yīng)用處理器芯片和專(zhuān)有的OneDRAM芯片。 　　這個(gè)移動(dòng)開(kāi)發(fā)平臺(tái)瞄準(zhǔn)第三代3.5G高速下行或者WiMax智能手機(jī)。手機(jī)設(shè)計(jì)人員可以讓?xiě)?yīng)用處理器與基帶調(diào)制解調(diào)器芯片使用共享內(nèi)存系統(tǒng)，代替各種原有的獨(dú)立內(nèi)存系統(tǒng)。 　　在2006年12月推出的OneDRAM芯片，單個(gè)硅底板上熔合SRAM和DRAM內(nèi)存系統(tǒng)。這樣，手機(jī)設(shè)計(jì)人員可以在使用SRAM高速數(shù)據(jù)訪問(wèn)的特性下，同時(shí)獲得DRAM的高密度存儲(chǔ)能力。

　該應(yīng)用處理器集成667MHz ARM1176內(nèi)核，支持接收高清晰視頻流文件。 　　此外，三星也推出了1.8英寸64GB容量固態(tài)存儲(chǔ)器(SSD)，據(jù)稱(chēng)與之前推出的30GB容量SSD相比，在讀寫(xiě)速度上分別提高20%和40%。批量生產(chǎn)將在2007年第2季度開(kāi)始。 　　三星也面向高端移動(dòng)設(shè)備推出了840萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器和2.1英寸LCD面板，該面板具備QVGA解像度，配有根據(jù)環(huán)境亮度調(diào)整的傳感器。