RF功率技術的手機市場的領先供應商，飛思卡爾半導體公司，今天公布其首個射頻功率放大器等產品使用的氮化鎵（GaN）技術構建的。該公司的射頻功率GaN產品將首先針對蜂窩基礎設施市場，與未來潛在的應用包括航空電子設備，雷達，ISM和軟件定義無線電。

“飛思卡爾的氮化鎵射頻功率解決方案強調我們的技術無關的方法，”
飛思卡爾的第一氮化鎵產品，AFG25HW355S的設備，是業(yè)界最全面的功率放大器解決方案組合的最新射頻功率市場。目前飛思卡爾的RF功率產品包括12V，28V和50V硅LDMOS產品，砷化鎵HBT的5V，5V和12V的GaAs pHEMT的解決方案，和高頻SiGe技術具有操作高達100 GHz和超越。

“飛思卡爾的RF部副總裁和總經理Ritu Favre表示，”飛思卡爾的氮化鎵射頻功率解決方案的射頻功率市場，強調我們的技術無關的方法。“工作與發(fā)展氮化鎵2000年代中期以來，我們已經建立了一個成本效益，性能和可靠性的完美結合，現(xiàn)在是時候添加氮化鎵為基礎的產品，我們浩如煙海的射頻功率放大器解決方案。”

AFG25HW355S是1 350W，高性能的包（HIP），2:1不對稱的設備具有以下特點和性能指標：

2.3吉赫，2.7吉赫56 dBm峰值功率50％的效率16 dB的增益NI-780封裝

功率放大器采用GaN技術的優(yōu)勢，包括產品體積更小的形式因素，低寄生損耗，提高功率密度和更高頻率的操作。潛在的氮化鎵蜂窩應用包括準線性，高效率（多爾蒂），高功率脈沖（非直線）應用，寬帶功率放大器和開關模式放大器配置。

可用性
的AFG25HW355S也將很快面市選擇客戶提供完整的資格，并計劃在2013年第二季度批量出貨，樣品數(shù)量。有關詳細信息，請聯(lián)系您當?shù)氐娘w思卡爾銷售代表。