;;; ;用于通信衛(wèi)星、氣象衛(wèi)星ACT4060等航天器中的電子元器件，由于長期在太空環(huán)境下工作，要受到來自太陽和銀河系的各種射線的輻射。在輻射環(huán)境中通常要考慮的有5類粒子：7射線、電子、質(zhì)子、中子和來自宇宙或核裂變的高能核子[16]。在核爆環(huán)境和反應堆附近，電子元器件也會受到各種高能射線的損傷。
;; ;宇宙輻射環(huán)境及效應
;;; 表1-28 c16]概述了一般宇宙飛船的輻射水平。;;;;;;;;;; ;;;;;; ;;; 宇宙環(huán)境的破壞效應一般可分為：
;;; ①高能電子和質(zhì)子引起的永久性破壞效應。
;;; ②宇宙射線或俘獲質(zhì)子的單一相互作用造成的、高度局部的電離或位移效應。
;;; 輻射損傷機理主要有位移效應、電離效應、劑量增強效應、低劑量率效應等。
;;; 輻照粒子（中子、7肘線等）與被輻射材料的原子核發(fā)生碰撞產(chǎn)生位移，導致空位一間隙原子對（缺陷）的產(chǎn)生，引起材料電導率和少數(shù)載流子壽命的變化，導致體積電阻率增大。例如，半導體材料有3個微觀物理參數(shù)，即少子壽命r、純摻雜質(zhì)濃度n和遷移率灶。中子輻射在半導體材料內(nèi)引入缺陷和缺陷群，從而改變了這3個微觀物理量，使半導體器件所有的電參數(shù)產(chǎn)生變化。