在NAND閃存市場上，三星、東芝、西數(shù)、美光、SK Hynix及英特爾這六家公司占據(jù)了絕大多數(shù)份額，不過NAND閃存也是中國近年來發(fā)力追趕的重要領(lǐng)域，尤其是紫光旗下的長江存儲，他們在武漢投資240億美元建設(shè)中國最大的存儲芯片基地，今年底量產(chǎn)32層堆棧的64Gb核心閃存。

面對中國廠商在NAND市場上的威脅，這些公司是怎么看的呢?西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們在這方面依然有優(yōu)勢，中國的NAND廠商在2020年之前不會帶來什么有意義的改變。

西數(shù)公司CFO Mark Long上周也出席了花旗銀行2018全球技術(shù)大會，并回答了分析師提問，其中就涉及到了西數(shù)如何看待中國廠商進(jìn)入NAND領(lǐng)域的問題。對于這個問題，Mark Long表示他們非常關(guān)注所有的競爭對手，但有一點(diǎn)很清楚，NAND對技術(shù)的要求比人們想象中的更難，新進(jìn)入市場的廠商需要很長時間才能獲得這種能力，他們需要通過回報及工藝進(jìn)展來證明這項投資的正確。

當(dāng)中國廠商有能力進(jìn)入這個市場時，Mark Long認(rèn)為他們依然是落后的，即便中國廠商有能力提供不斷增長的NAND芯片，西數(shù)在技術(shù)上依然會保持優(yōu)勢，同時會通過這個技術(shù)優(yōu)勢生產(chǎn)商有優(yōu)勢的產(chǎn)品。

Mark Long提到上述這些都是西數(shù)關(guān)注的領(lǐng)域，而中國廠商在2020年之前不太可能的對市場產(chǎn)生什么有意義的變化。

根據(jù)長江存儲公司的規(guī)劃，今年底他們將量產(chǎn)32層堆棧的3D NAND閃存，核心容量64GB，明年將量產(chǎn)64層堆棧的128Gb核心的3D NAND閃存，同時還會研發(fā)128層堆棧的3D NAND閃存。但在技術(shù)方面，西數(shù)、東芝、美光等公司今年底就要量產(chǎn)96層堆棧的3D NAND閃存了，核心容量提升到了1Tb到1.33Tb，長江存儲的3D NAND閃存在技術(shù)上確實要落后兩三年時間。