中芯國(guó)際集成電路制造有限公司，中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路 晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲(chǔ)器(RRAM)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議。

作為雙方合作的一部分，中芯國(guó)際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國(guó)際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲(chǔ)器組件。這將幫助客戶將低 延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車電子市場(chǎng)需求。

“Crossbar產(chǎn)品持續(xù)按計(jì)劃推進(jìn)，目前正在授權(quán)階段。我們很榮幸宣布與中芯國(guó)際的合作，這是我們的RRAM技術(shù)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的重要一 步。”Crossbar CEO及聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC設(shè)計(jì)者需要非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，此技術(shù)能夠更加便捷地集成到他們的產(chǎn)品中去并且能夠應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS邏輯制程制造。Crossbar的RRAM技術(shù)與中芯國(guó)際專業(yè)制造能力的結(jié)合將創(chuàng)造獨(dú)特的存儲(chǔ)器架構(gòu)，安全性更嚴(yán)格，功耗更低，同時(shí)提供更大容量 和更快的進(jìn)入時(shí)間。”

Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對(duì)更小工藝尺寸的可擴(kuò)展性使非易失性存儲(chǔ)器組件在更低工藝節(jié)點(diǎn)的MCU和SoC中集成成為可能。RRAM元件能夠集成到標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏 輯工藝當(dāng)中，在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲(chǔ)器解決方案的實(shí)現(xiàn)，將片上非易失性存儲(chǔ)器、處理器核、模擬及射頻集成在 一個(gè)單獨(dú)的芯片上。

“基于中芯國(guó)際40納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁?yīng)用于智能卡和多種物聯(lián)網(wǎng)器件的高容量、低功耗且具有獨(dú)特安全性的存儲(chǔ)器技術(shù)。”中芯國(guó)際首席執(zhí)行官 兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“我們很高興與Crossbar在中芯國(guó)際穩(wěn)定可靠的40納米技術(shù)平臺(tái)上展開合作。我們能夠?yàn)槿蚩蛻籼峁┚哂懈?jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)， 幫助他們縮短入市時(shí)間。我們也致力于與更多世界領(lǐng)先的公司展開長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，共同服務(wù)市場(chǎng)并在未來(lái)實(shí)現(xiàn)共贏。”

Crossbar的RRAM技術(shù)為需要低功耗、高性能非易失性代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的嵌入式應(yīng)用提供具有性價(jià)比的集成存儲(chǔ)器解決方案。