意法半導體（ST）發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺的細節(jié)。新的技術(shù)平臺將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿足不斷升級的能效標準的要求，延長電池驅(qū)動設(shè)備的工作時間。滿足這些日益提高的標準需要全方位考慮微控制器的設(shè)計和制程技術(shù)，進行全面的最大限度的改進。

新平臺采用130nm制程，意法半導體對這個平臺進行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器、新的低壓低功耗標準外設(shè)和創(chuàng)新的電源管理架構(gòu)。這些改進技術(shù)合在一起可大幅降低動態(tài)和靜態(tài)功耗，讓未來的微控制器比目前市場上低功耗產(chǎn)品的性能功率比更大幅進步。

意法半導體將在2009年推出首批基于這個超低功耗平臺的全新微控制器系列STM8L和STM32L，這兩款產(chǎn)品將開啟8位的STM8S和32位的STM32F兩個超低功耗產(chǎn)品線，閃存動態(tài)功耗降至150µA/MHz，停止模式功耗最低300nA，且可以同時保存SRAM和寄存器的內(nèi)容。STM8L產(chǎn)品的首批樣品已經(jīng)開始交付主要OEM客戶測試。

在這個新的技術(shù)平臺內(nèi)，優(yōu)化的130nm數(shù)字晶體管的漏電流很小，可降低微控制器在正常工作模式以及節(jié)能模式下的電流消耗。此外，創(chuàng)新的低功耗嵌入式非易失性存儲器可降低應(yīng)用數(shù)據(jù)處理所需的功耗。改進的模擬晶體管的工作電壓降至1.65V，使片上模擬電路能夠在低壓電源下工作。通過采用低工作電壓內(nèi)核和4µs超高速低功耗狀態(tài)喚醒等方法，電源管理架構(gòu)可在全部模式下節(jié)省電能。最后，專用數(shù)字庫和低功耗系統(tǒng)芯片(SoC)的新設(shè)計流程將有助于意法半導體擴大超低功耗微控制器的產(chǎn)品范圍，為市場快速推出新器件。

“基于這個平臺的全新微控制器STM8L和STM32L將擴大STM8S和STM32F產(chǎn)品系列，這兩個系列已包括好幾條以高訪問性、高性能和高連接靈活性為特色的產(chǎn)品線，”意法半導體微控制器產(chǎn)品部總經(jīng)理Jim Nicholas表示，“這些新器件將讓產(chǎn)品開發(fā)人員在高速增長市場（如便攜醫(yī)療設(shè)備和電子度量表）上，以及需要更長的電池使用壽命、更小的電池尺寸或無電池操作的新商機中，發(fā)揮今天的最先進的最高效的處理器架構(gòu)的優(yōu)勢?！?/p>

其它更多的產(chǎn)品也將受益于新的8位和32位微控制器，包括報警系統(tǒng)、無線傳感器、觸感模塊和便攜設(shè)備，如個人保健設(shè)備、手持游戲機、遙控器、GPS設(shè)備、個人運動設(shè)備和手機配件。

STM8S和STM32F系列產(chǎn)品可解決開發(fā)人員對高效處理器架構(gòu)的需求，具有低成本、低功耗和高設(shè)計靈活性的優(yōu)點。這兩個系列產(chǎn)品均使用先進的處理器內(nèi)核，如STM32F系列的32-位ARM Cortex-M3處理器。為提高設(shè)計靈活性和軟件再用性，兩個系列產(chǎn)品共用標準的外設(shè)功能。每個系列中的現(xiàn)有產(chǎn)品的引腳相互兼容，這個優(yōu)點讓設(shè)計人員根據(jù)每一款設(shè)計，更加自由地優(yōu)化引腳數(shù)量和外設(shè)。兩個系列產(chǎn)品都充分利用了現(xiàn)有的節(jié)能技術(shù)，包括可節(jié)省電能的睡眠模式和待機模式、可降低時鐘周期浪費的快速喚醒時間以及低電壓工作。