2月20日，JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)正式發(fā)布了JESD209-5，即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗內存標準。

相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4標準，LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps)，直接翻番。

如果匹配高端智能機常見的64bit bus，ÿ秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù);要是PC的128bit BUS，ÿ秒破100GB無壓力。

固態(tài)協(xié)會認為，LPDDR5有望對下一代便攜電子設備(手機、平板)的性能產(chǎn)生巨大提升，為了實現(xiàn)這一改進，標準對LPDDR5體系結構進行了重新設計，轉向最高16 Bank可編程和多時鐘體系結構。

同時，還引入了數(shù)據(jù)復制(Data-Copy)和寫X(Write-X)兩個減少數(shù)據(jù)傳輸操作的命令來降低整體系統(tǒng)功耗，前者可以將單個陣腳的數(shù)據(jù)直接復制到其它針腳，后者則減少了SoC和RAM傳遞數(shù)據(jù)時的耗電。

另外，LPDDR5還引入了鏈·ECC糾錯，信號電壓250mV，Vddq/Vdd2電壓還是1.1V。

事實上，去年7月，三星就宣布成功開發(fā)出業(yè)內首款LPDDR5-6400內存芯片，基于10nm級工藝，單顆容量8Gb(1GB)，去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上，三星人士透¶，LPDDR5內存計劃2020年商用。