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[導讀]武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國際

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導體企業(yè),2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資,并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè),前幾年委托SMIC(中芯國際)經營管理,從2012年底起獨立經營。“目前已組建了完整的國際化團隊,包括研發(fā)生產、市場銷售和IP管理等方面的專家,核心管理團隊成員具有幾十年的國內外知名公司從業(yè)經驗。”武漢新芯董事長王繼增說。

IP體系建成

XMC自獨立運營伊始,就在知識產權方面進行布局,包括從IBM獲得了65nm、45nm的邏輯技術和65nm射頻技術的授權;同時與由中科院微電子所為首的多家單位組成的產學研機構--¬¬國家集成電路先導技術研發(fā)中心合作,在尖端技術上進行布局,“我們希望和國內產業(yè)鏈的上下游在IP上進行共同布局,同時繼續(xù)獲得一些專利技術授權,以盡快地建立起XMC自主完善的IP體系。”王繼增說。

 

 

有別于華力和SMIC,XMC以存儲器為其發(fā)展特色。早在SMIC委托管理時期,XMC就開始為Spansion代工NOR閃存。目前NOR有兩大技術體系,一類是ETOX,是Floating-Gate(浮柵)技術;另外是與Spansion合作的MirrorBit技術。XMC已經成功的大規(guī)模量產了90、65和45nm的NOR Flash產品,目前正在進行32nm工藝技術的研發(fā),預計2015年底實現(xiàn)大規(guī)模量產。

XMC擁有全球最領先的NOR Flash制造技術和研發(fā)儲備。2010年,全球第一款基于65nm,4Gb NOR Flash芯片在XMC大規(guī)模量產;2012年,XMC成為全球首家成功研發(fā)45nm NOR Flash的公司;2013年,XMC全球首發(fā)45nm,8Gb NOR Flash產品;XMC是全球唯一一家正在研發(fā)32nm NOR Flash的公司。

另外,XMC的另一特色是背照式圖像傳感器(BSI)制造技術,與全球圖像傳感器的領導廠商合作。

找尋特色

國內目前只有3家公司具有12英寸晶圓制造能力。邏輯方面SMIC占到了國內的主導地位,其技術節(jié)點已經推進到了28nm,預計明年實現(xiàn)量產。華力微電子也是以邏輯代工為主業(yè),據(jù)稱,其28nm將在2015年推出。

在這3家代工廠中,XMC應該具備什么特色?

“我們分析NAND存儲器可能是一個方向,尤其是3D NAND。目前2D NAND Flash已經進入1Xnm時代,幾近于其物理極限,微縮的成本和工藝難度都急劇上升。據(jù)市場預測,從2016年起,2D NAND將會被迅速取代,3D NAND快速增長。”王繼增預計。目前三星剛推出樣品,估計2014年量產,2015年年底大批量投產。“我們預計用兩年多時間做出來3D產品。”

存儲器市場很大,僅NAND閃存一項,其全球市場就接近400億美元規(guī)模,而國內的用量超過全球總用量的50%,市場相當可觀。但是,國內目前沒有公司具備這種生產能力。

另外,3D是一個完全不同的技術方向,相對于2D NAND對微縮技術的要求,3D NAND的關鍵技術是極度復雜的刻蝕和薄膜工藝。不僅如此,美光和SK海力士也是剛剛開始研制該技術,大家站在同一起跑線上。

同時,XMC在商業(yè)模式上也在進行摸索,提出了有別于國內其它公司的商業(yè)模式——ISM(集成的次系統(tǒng)組件制造商),主要是采用新的商業(yè)模式,推動國內3D NAND產業(yè)的發(fā)展。考慮到國內的封裝測試業(yè)相對成熟,XMC的主要精力僅放在3D NAND 產品的設計、制造與次系統(tǒng)組件產品(SSD, eMMC,eMCP)應用方面,不再投資封裝和測試領域。

XMC目前不打算做DRAM。王繼增解釋道,DRAM過去依靠PC來推動其發(fā)展,但是,隨著移動裝置的迅速發(fā)展,PC市場已經出現(xiàn)了萎縮的苗頭。Mobile DRAM是當下的發(fā)展熱點。不同于NAND Flash目前正處于一個從2D向3D過渡的轉折時期,DRAM技術的發(fā)展依然靠傳統(tǒng)的微縮技術。在此方面,美光、三星和SK海力士等已經占據(jù)了市場的主導地位,形成了很高的技術和市場壁壘。所以,XMC目前不準備切入DRAM市場。

分析:XMC能做出特色嗎?

自2012年底獨立運營開始,XMC建立了國際化的管理團隊,也已經在IP方面完成了戰(zhàn)略布局。XMC選擇了我國閃存制造業(yè)的空白進行突破,思路巧妙。

實現(xiàn)3D NAND有許多關鍵性的技術,其中之一為SONOS結構。XMC已經在該項技術上積累了多年的制造和研發(fā)經驗。

盡管不走微縮工藝路線,3D NAND閃存制造仍然有眾多工藝難關需要攻克,面臨著一定的風險,需要人們的理解和支持。“我們不是包袱。”王繼增在采訪中多次表示。相信XMC在不斷的努力下,以及產業(yè)鏈上下游乃至社會各界的支持下,會在2015年圓夢!

同時,市場風云變幻,XMC也要積極開拓思路,緊緊圍繞客戶或一些風生水起的產品開拓些新業(yè)務,盡早實現(xiàn)贏利。

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