器件通過數(shù)百萬個器件-小時嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽?yīng)力測試 EPC發(fā)布可靠性測試報告以記錄氮化鎵(GaN)技術(shù)的可靠性
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第八階段可靠性測試報告。該報告表明,在累計超過800萬個器件-小時的應(yīng)力測試后,沒有器件發(fā)生失效的情況。該報告詳細探討EPC器件在被確認(rèn)為合格產(chǎn)品前所經(jīng)受的各項應(yīng)力測試,并且分析器件失效的物理原因。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司的第八階段可靠性測試報告證明氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN®FET)及集成電路在被確認(rèn)為合格產(chǎn)品前,經(jīng)受各種非常嚴(yán)謹(jǐn)并符合JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)力測試。
本報告提供特定產(chǎn)品在經(jīng)受數(shù)百萬個器件-小時的應(yīng)力測試后所得出的詳細結(jié)果。除了利用應(yīng)力測試來認(rèn)證產(chǎn)品的可靠性外,我們對產(chǎn)品的其它方面也進行了盡職調(diào)查,包括器件的現(xiàn)場可靠性、在器件的工作壽命內(nèi)的失效情況及整塊電路板的可靠性。第八階段可靠性測試報告尤其集中探討以下三個部分的測試 :
I:器件的現(xiàn)場可靠性
· 探討器件的現(xiàn)場失效情況
· 器件在組裝時發(fā)生失效的情況
· 器件在應(yīng)用中發(fā)生失效的情況
· 芯片本質(zhì)的認(rèn)證
II:器件的早期壽命失效情況與器件的應(yīng)力疲勞特性
· 器件的早期壽命失效率(ELFR)
· 電子遷移效應(yīng)(Electromigration)
III:整塊電路板的可靠性及熱機械性能
· 間歇工作壽命(IOL)測試
· 溫度循環(huán)(TC)測試
· 整塊電路板的可靠性測試
在客戶的應(yīng)用中,要取得EPC器件可靠性的認(rèn)證,客戶可以參考我們的第七階段可靠性測試報告(該報告表明,eGaN FET及集成電路具備卓越的現(xiàn)場可靠性—這些器件在經(jīng)受超過170億器件-小時測試后,得出非常低的失效率(低于1 FIT,代表器件經(jīng)受10億小時的測試后的失效器件),以及參考第八階段可靠性測試報告。這些累計的器件可靠性資料展示出eGaN FET及集成電路是非??煽康钠骷?,以及在目前的終端產(chǎn)品的合理壽命內(nèi),eGaN FET及集成電路的失效概率是非常低的。
宜普公司首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow博士說:「要展示全新技術(shù)的可靠性是一個重大的挑戰(zhàn)。我們非常重視所有產(chǎn)品的可靠性。第八階段可靠性測試報告所闡述的各項測試及報告的結(jié)果表明,由于宜普電源轉(zhuǎn)換公司的氮化鎵產(chǎn)品具備必備的高可靠性,因此成為替代硅基器件的首選半導(dǎo)體器件?!?/p>





