近日，電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)公布，第46屆PVSC光伏專家大會授予漢能美國子公司Alta Devices聯(lián)合創(chuàng)始人、漢能集團科學家Harry Atwater教授“William R.Cherry光伏榮譽獎”。

William R.Cherry是光伏界的創(chuàng)始人之一，以他的名字設立的William R.Cherry獎創(chuàng)建于1980年，是業(yè)內最高級別學術獎項。該獎旨在表彰投身并致力于在提高光伏能源轉換領域、做出重大科技貢獻并極力倡導推廣相關科技的工程師或科學家個人。

這也是繼2017年Alta Devices聯(lián)合創(chuàng)始人、集團資深專家Eli Yablonovitch教授因對太陽能電池器件物理科學與技術領域做出杰出貢獻，在第44屆PVSC大會上捧得William R.Cherry大獎之后，漢能科學家再獲國際殊榮。一個團隊兩位重量級專家相繼獲得PV領域的權威大獎，充分證明了漢能Alta Devices在該領域的全球技術領先地位。

此次被提名的Harry Atwater是加州理工學院應用物理和材料科學霍華德·修斯教授(Howard Hughes Professor)，是位于加州圣克拉拉的太陽能公司Alta Devices的聯(lián)合創(chuàng)建人之一。而Yablonovitch教授還憑借杰出的科研成就當選為美國國家工程院、國家科學院、美國藝術與科學院院士，是倫敦皇家學會的外籍成員，并獲得了其他多項著名獎項。他與Harry Atwater教授等聯(lián)合創(chuàng)建了Alta Devices公司，致力于探索薄膜太陽能技術的科研與應用。

2014年，漢能全資并購了位于美國加州的Alta Devices，后者成為漢能旗下子公司。漢能Alta Devices致力于砷化鎵(GaAs)移動能源技術，具有高轉換效率，配以輕、薄、柔的特性，使薄膜太陽能芯片能夠在不影響設計外觀的情況下，廣泛應用于汽車、無人機、無人駕駛系統(tǒng)、衛(wèi)星、消費類電子產品、傳感器、遠程探測等各類應用領域。

如今，漢能Alta Devices研發(fā)的高轉換率砷化鎵薄膜太陽能電池已被波音公司、美國宇航局等先后應用于平流層永飛無人機以及國際空間站太陽能利用測試，這一技術路線的商業(yè)化潛力備受矚目。隨著技術研發(fā)的持續(xù)突破以及商用產業(yè)化的不斷探索，Alta Devices也將為漢能在全球范圍內推廣薄膜太陽能技術、推動移動能源革命，提供更強大的技術支撐，奠定更加堅實的基礎。

至此，漢能砷化鎵雙結太陽能電池轉換率最高達到31.6%，并同時擁有砷化鎵單結太陽能電池效率29.1%和組件效率25.1%兩項世界紀錄，其中單結電池轉換效率的世界紀錄在2010 年被Alta Devices突破，并連續(xù)6次被其團隊刷新，進一步奠定了漢能在高效太陽能薄膜電池領域的絕對領先地位。

自2009年進入薄膜太陽能領域以來，漢能就一直專注于核心技術的突破。漢能創(chuàng)始人李河君認識到，未來能源的競爭是核心技術的競爭，誰掌握了核心技術，誰就掌握了能源。通過消化整合和自主創(chuàng)新，獨占技術鰲頭的漢能牢牢掌握了薄膜太陽能的科技話語權。此外，漢能還擁有包括優(yōu)秀科學家在內的全球薄膜太陽能技術人員超過2000名，其中包括一大批國內外先進半導體和太陽能領域的科學家。

此次，漢能Alta Devices資深專家再次獲業(yè)內最高級別獎項是對漢能薄膜太陽能技術全球領先性的充分肯定，漢能已經成為全球薄膜太陽能行業(yè)引領者，其不僅在技術上引領行業(yè)變革，還在技術產業(yè)化應用上也達到了世界級標準。未來漢能將繼續(xù)以薄膜太陽能技術為核心，用更多元化創(chuàng)新技術和產品引領一場全球范圍內的能源利用革命。