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  • 淺析常見(jiàn)限流算法

    服務(wù)需要保護(hù)自己，以免被太多的請(qǐng)求淹沒(méi)(無(wú)論是惡意或無(wú)意的)，從而保持可用性。舉個(gè)生活中的例子，某個(gè)景區(qū)，平時(shí)可能根本沒(méi)什么人前往，但是一旦到了國(guó)慶假日就人滿為患，這時(shí)景區(qū)管理人員就會(huì)實(shí)施一系列的限流舉措，來(lái)限制進(jìn)入的人流量。為什么要這么做呢?假設(shè)景區(qū)能容納 1 萬(wàn)人，現(xiàn)在進(jìn)去了 3 萬(wàn)人，勢(shì)必摩肩接踵，搞不好還會(huì)有踩踏事故發(fā)生。這樣的結(jié)果就是所有人的體驗(yàn)都不好，如果發(fā)生了事故，景區(qū)可能還要關(guān)閉，導(dǎo)致對(duì)外不可用。

  • 方法引用和構(gòu)造器引用詳解

    當(dāng)要傳遞給Lambda體的操作，已經(jīng)有實(shí)現(xiàn)的方法了，可以使用方法引用!這里需要注意的是：實(shí)現(xiàn)抽象方法的參數(shù)列表，必須與方法引用方法的參數(shù)列表保持一致!

  • 一文講透redis存滿數(shù)據(jù)怎么辦

    Redis提供了一些內(nèi)存策略配置選項(xiàng)，可以幫助我們管理內(nèi)存使用。其中一種常見(jiàn)的策略是maxmemory-policy，它定義了在內(nèi)存超出限制時(shí)Redis應(yīng)該如何回收數(shù)據(jù)。

  • 一文了解嵌入式開(kāi)發(fā)之編寫內(nèi)存安全C++的3個(gè)技巧

    嵌入式C語(yǔ)言編程規(guī)范和內(nèi)存管理技巧。嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中，由于單片機(jī)的堆?？臻g較小，局部變量和動(dòng)態(tài)分配變量容易導(dǎo)致內(nèi)存溢出，因此需要在編譯期準(zhǔn)確計(jì)算內(nèi)存占用量，并進(jìn)行相應(yīng)的堆?？臻g大小修改。剛好我總結(jié)了一些嵌入式資料放在文章結(jié)尾，為避免這種情況的發(fā)生，全局變量是一種更好的選擇，因?yàn)榭梢栽诰幾g期準(zhǔn)確計(jì)算內(nèi)存占用量，從而避免內(nèi)存溢出。在嵌入式C語(yǔ)言編程中，模塊化編程是一種重要的方法。

  • C/C++可能導(dǎo)致安全漏洞的常見(jiàn)錯(cuò)誤分析

    無(wú)符號(hào)數(shù)和有符號(hào)數(shù)是通用的計(jì)算機(jī)概念，具體到編程語(yǔ)言上則各有各的不同，程序員是解決實(shí)際問(wèn)題的，所以必須熟悉編程語(yǔ)言中的整數(shù)。C/C++ 有自己特殊的算術(shù)運(yùn)算規(guī)則，如整型提升和尋常算術(shù)轉(zhuǎn)換，并且存在大量未定義行為，一不小心就會(huì)產(chǎn)生 bug，解決這些 bug 的最好方法就是熟悉整數(shù)性質(zhì)以避免 bug。

  • 肖特基二極管與普通二極管的區(qū)別詳解

    肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡(jiǎn)稱。肖特基二極管是一種金屬-半導(dǎo)體結(jié)二極管，也稱為熱載流子二極管、低壓二極管或肖特基勢(shì)壘二極管。肖特基二極管由半導(dǎo)體與金屬的結(jié)形成。肖特基二極管提供快速開(kāi)關(guān)動(dòng)作并具有低正向壓降。在PN結(jié)二極管中，p型和n型連接在一起形成PN結(jié)。而在肖特基二極管中，使用鉑或鋁等金屬代替 P 型半導(dǎo)體。

  • 盤點(diǎn)5G SA和NSA的區(qū)別

    移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)由三大核心部分構(gòu)成：無(wú)線接入網(wǎng)、傳輸網(wǎng)和核心網(wǎng)。無(wú)線接入網(wǎng)，即我們常說(shuō)的基站，它負(fù)責(zé)通過(guò)無(wú)線方式將用戶終端接入到移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)。傳輸網(wǎng)則扮演著連接核心網(wǎng)與無(wú)線接入網(wǎng)的角色，承載著數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹厝?。而核心網(wǎng)，作為移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的中樞，統(tǒng)籌整個(gè)網(wǎng)絡(luò)的管理與控制工作。

  • 匯總各種顯示技術(shù)，LCD、OLED、QLED、microLED

    LCD液晶顯示器才開(kāi)始取代傳統(tǒng)CRT、等離子和采用投影技術(shù)的設(shè)備而逐漸占主導(dǎo)地位。當(dāng)時(shí)OLED也已經(jīng)興起，卻因一些技術(shù)上的不足而受到限制，通常用于可穿戴設(shè)備、智能手機(jī)和其他小型和(或)“一次性”電子設(shè)備中。

  • 詳解電路與回路的關(guān)系及如何找對(duì)應(yīng)回路

    電路和回路是電學(xué)中的兩個(gè)基本概念，電路通常指在電源的作用下有一定功能的電子元器件構(gòu)成的連通體，是電子設(shè)備中的一個(gè)重要概念。電路包括直流電源、輸入電路、中間放大電路、功率放大電路、濾波電路、輸出電路等多個(gè)組成部分，這些部分按照一定順序連接起來(lái)，形成一個(gè)完整的電路。

  • 一文帶你搞懂開(kāi)關(guān)電源電路

    開(kāi)關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間比率，維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC和MOSFET構(gòu)成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，使得開(kāi)關(guān)電源技術(shù)也在不斷地創(chuàng)新。目前，開(kāi)關(guān)電源以小型、輕量和高效率的特點(diǎn)被廣泛應(yīng)用幾乎所有的電子設(shè)備，是當(dāng)今電子信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展不可缺少的一種電源方式。

  • 匯總幾種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及應(yīng)用

    什么是拓?fù)淠?所謂電路拓?fù)渚褪枪β势骷碗姶旁陔娐分械倪B接方式，而磁性元件設(shè)計(jì)，閉環(huán)補(bǔ)償電路設(shè)計(jì)及其他所有電路元件設(shè)計(jì)都取決于拓?fù)?。最基本的拓?fù)涫荁uck(降壓式)、Boost(升壓式)和Buck/Boost(升/降壓)，單端反激(隔離反激)，正激、推挽、半橋和全橋變化器。

  • TrendForce集邦咨詢: 固態(tài)電池進(jìn)入試產(chǎn)，2035年成本預(yù)計(jì)降至0.6-0.7元(人民幣/Wh)

    Oct. 31, 2024 ---- 近年來(lái)，產(chǎn)業(yè)界對(duì)固態(tài)電池應(yīng)用的追求與期盼加速了這項(xiàng)技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，豐田、日產(chǎn)、三星SDI等全球制造商已開(kāi)始試制全固態(tài)電池，隨著業(yè)者競(jìng)相量產(chǎn)，預(yù)估產(chǎn)量可于2027年前達(dá)GWh (吉瓦時(shí))水平。

  • TrendForce集邦咨詢: HBM5 20hi后產(chǎn)品將采用Hybrid Bonding技術(shù)，或引發(fā)商業(yè)模式變革

    Oct. 30, 2024 ---- HBM產(chǎn)品已成為DRAM產(chǎn)業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)，這使得Hybrid Bonding (混合鍵合)等先進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展備受矚目。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，三大HBM原廠正在考慮是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項(xiàng)技術(shù)。

  • 工控機(jī)散熱技術(shù)要點(diǎn)有哪些?工控機(jī)散熱維護(hù)策略介紹

    為增進(jìn)大家對(duì)工控機(jī)的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)工控機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)、工控機(jī)散熱技術(shù)要點(diǎn)、工控機(jī)散熱維護(hù)策略予以介紹。

  • 工控機(jī)發(fā)展趨勢(shì)如何?哪些原因會(huì)造成工控機(jī)故障?

    為增進(jìn)大家對(duì)工控機(jī)的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)工控機(jī)的發(fā)展趨勢(shì)、造成工控機(jī)故障的原因予以介紹。

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