1 場(chǎng)效應(yīng)管的性能與雙極型三極管比較具有哪些特點(diǎn)?

答：

場(chǎng)效應(yīng)管是另一種半導(dǎo)體放大器件。在場(chǎng)效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電，故稱(chēng)為單極型三極管;而普通三極管參與導(dǎo)電的，既有多數(shù)載流子，又有少數(shù)載流子，故稱(chēng)為雙極型三極管。由于少數(shù)載流子的濃度易受溫度的影響，因此，在溫度穩(wěn)定性、低噪聲等方面前者優(yōu)于后者。

2.雙極型三極管是電流控制器件，通過(guò)控制基極電流到達(dá)控制輸出電流的目的。因此，基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低;場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，因此，它的輸入電阻很高，可達(dá)10^9～10^14Ω。高輸入電阻是場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)。

3.場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和源極可以互換，耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負(fù)，靈活性比雙極型三極管強(qiáng)。

4 場(chǎng)效應(yīng)管和三極管都可以用于放大或作可控開(kāi)關(guān)。但場(chǎng)效應(yīng)管還可以作為壓控電阻使用，可以在微電流、低電壓條件下工作。且便于集成。在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中應(yīng)用極為廣泛。

2 場(chǎng)效應(yīng)管的伏安特性如何表示?試以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例，說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線與雙極型三極管的輸出特性有和區(qū)別?

答：

場(chǎng)效應(yīng)管的伏安特性用輸出特性(又稱(chēng)漏極特性)Id=f(Vds)|Vgs=常數(shù)和轉(zhuǎn)移特性Id=f(Vgs)|Vds=常數(shù)表示。它們都反映了場(chǎng)效應(yīng)管工作的同一物理過(guò)程，轉(zhuǎn)移特性可以直接從輸出特性上用作圖法�一對(duì)應(yīng)地求出。

N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線與雙極型三極管的輸出特性相比有類(lèi)似之處，但有區(qū)別，詳見(jiàn)表 1.3.2。

3 何為場(chǎng)效應(yīng)管的開(kāi)啟電壓Vt和夾斷電壓Vp? 在圖1.3.3(a)和(b)所示場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性曲線上如何確定其值?

答：

對(duì)于增強(qiáng)型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，在Vgs0時(shí)不存在導(dǎo)電溝道，只有當(dāng)Vgs達(dá)到開(kāi)啟電壓V，時(shí)才有漏極電流Id。因此，在輸出特性中， Id大于或等于零(即開(kāi)始出現(xiàn)Id)時(shí)所對(duì)應(yīng)的Vgs值即為開(kāi)啟電壓計(jì)。一般，N溝道增強(qiáng)型MOSFET的Vt值為正值，P溝道的Vt值為負(fù)值。

圖1.3.3(a)所示為P溝道增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，由圖可知該管的開(kāi)啟電壓Vt=-2V。

對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和耗盡型絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，當(dāng)Vgs=0時(shí)已存在導(dǎo)電溝道，柵源電壓Vgs等于夾斷電壓Vp時(shí)，溝道夾斷，漏極電流Id=0。一般N溝道FET的Vp值為負(fù)值，而P溝道FET的Vp值為正值。

圖1.3.3( b)所示為N溝道JFET的輸出特性曲線。根據(jù)以上分析，Id=0所對(duì)應(yīng)的Vgs值為夾斷電壓，故Vp=-5V。

由于可變電阻區(qū)和飽和區(qū)的分界線是預(yù)夾斷點(diǎn)的軌跡，預(yù)夾斷時(shí)，Vgd=Vp。因此，在輸出特性上，用Vds的值來(lái)表示預(yù)夾斷點(diǎn)時(shí)，可求得：

Vds=Vdg+Vgs=Vgs-Vgd=Vgs-Vp

故由預(yù)夾斷軌跡，也可求得Vp。例如，在圖1·3.3(b)中，Vgs=OV那條曲線與預(yù)夾斷分界線交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的Vds值就是-Vp，即-Vp=5V;而Vgs=-2V那條曲線與預(yù)夾斷分界線交點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的Vds值減去Vgs也是一Vp，可得出-Vp=Vds-Vgs=3V-(-2)V=5V。余此類(lèi)推。

4 場(chǎng)效應(yīng)管有許多類(lèi)型，它們的輸出特性及轉(zhuǎn)移特性各不相同，不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管各極間所加電壓極性也不相同，試總結(jié)它們的規(guī)律。

答：

場(chǎng)效應(yīng)管的種類(lèi)很多，有結(jié)型FET、耗盡型MOSFET、增強(qiáng)型MOSFET，每一類(lèi)型又有P溝道和N溝道之分。各種類(lèi)型場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)和特性曲線見(jiàn)表1·3·4(a)。

為了保證它們工作在飽和區(qū)(即放大區(qū))起放大作用，Vgs和Vds的極性有如下規(guī)律。

1.Vds值的極性取決于導(dǎo)電溝道的類(lèi)型

凡是N溝道，載流子是電子，欲使電子向漏極漂移運(yùn)動(dòng)，Vds必為正值;凡是P溝道，載流子是空穴，欲使空穴向漏極漂移運(yùn)動(dòng)，Vds必為負(fù)值。

2.Vgs值的極性取決于工作方式和導(dǎo)電溝道的類(lèi)型

對(duì)于結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，要求柵源極間加反向偏置電壓。如果是N溝道，柵極為P型半導(dǎo)體，為使PN結(jié)反偏，要求Vgs≤0;如果是P溝道，要求Vgs≥0。

對(duì)于絕緣柵型MOSFET，如果是增強(qiáng)型N溝道，為了吸引電子形成N溝道，柵極必須加正電壓，即Vgs≥O。如果是耗盡型N溝道，為了排斥溝道中的電子，使溝道變窄，柵極必須加負(fù)電壓，即Vgs≤0;為了加寬溝道，吸引更多電子到襯底表面來(lái)，柵極必須加正電壓，即Vgs>O;P溝道則相反。

綜上所述，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管中。Vgs和Vds反極性;增強(qiáng)型MOFETS中Vgs與Vds同極性;耗盡型MOFETS中有兩種情況，視加寬還是縮減溝道而定，可以是正偏、零偏或反偏。見(jiàn)表l·3·4(b)。

3 Vp和Vt的正負(fù)極性取決于導(dǎo)電溝道類(lèi)型

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和耗盡型MOSFET存在夾斷電壓Vp，N溝道Vp為負(fù)值，P溝道為正值;增強(qiáng)型MOSFET存在開(kāi)啟電壓Vt，N溝道Vt為正值，P溝道為負(fù)值。

5 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理與普通三極管不同，那么場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置電路有何特點(diǎn)?它有幾種偏置方式?

答：

場(chǎng)效應(yīng)管偏置電路的特點(diǎn)是：

1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，因此，放大電路只要求建立合適的偏置電壓V(GS)，不要求偏置電流;

2.不同類(lèi)型的場(chǎng)效應(yīng)管，對(duì)偏置電壓的極性有不同要求如JFET必須是反極性偏置，即V(GS)與V(DS)極性相反，增強(qiáng)MOSFET的V(GS)和V(DS)必須是同極性偏置，耗盡型MOSFET的V(GS)可正偏、零偏或反偏;

3.場(chǎng)效應(yīng)管的跨導(dǎo)gm都較低，對(duì)放大性能不利，因此，必須設(shè)置較高的靜態(tài)工作點(diǎn)。為了減小靜態(tài)工作點(diǎn)受溫度變化的影響，常采用穩(wěn)定工作點(diǎn)的電路。

基于上述特點(diǎn)，必須根據(jù)不同的場(chǎng)效應(yīng)管選用不同的偏置電路。在分立元件的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路中，偏置電路有零偏壓、固定偏壓、自偏壓、混合偏置等形式;在集成電路平常采用不同的電流源作為偏置電路。

零偏壓電路只適于耗盡型MOSFET放大電路;固定偏壓適于所有的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路;自偏壓適于JFET和耗盡型MOSFET放大電路;混合偏置既包含了固定偏壓又包含了自偏壓，適于所有的場(chǎng)效應(yīng)管放大電路。

擴(kuò)展閱讀：場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)和使用