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[導讀]串行EEPROM 應該是一種很可靠的設備,但在我的使用中,經常會出現(xiàn)數(shù)據(jù)出錯的情況,毛主席老人家說:知己知比,方能百戰(zhàn)不敗!是什么原因呢?其實這種情況多發(fā)生在插拔電的情況下。讓我們來瞧瞧:1. EEPROM 讀寫的時序可

串行EEPROM 應該是一種很可靠的設備,但在我的使用中,經常會出現(xiàn)數(shù)據(jù)出錯的情況,毛主席老人家說:知己知比,方能百戰(zhàn)不敗!是什么原因呢?其實這種情況多發(fā)生在插拔電的情況下。讓我們來瞧瞧:

1. EEPROM 讀寫的時序可能有小小的不對

2. 是在掉電時,在電壓降低到一定程度后到完全沒電之間的一段時間內,在MCU與EEPROM 的讀寫信號線上出現(xiàn)非控制的快速隨機電平,這些電平可能會組合出一些被EEPROM 認為合法的寫命令,結果將EEPROM 中的值修改掉了;

3. 在上電的復位期間,I/O 腳上電平未定,也可能隨機組合出一些寫命令;

4. 在讀EEPROM 操作過程中,出現(xiàn)了復位(如充電復位)等,形成類似于(二)的情況;

5. 在電壓降低后,可能會出現(xiàn)MCU 跑飛了,結果運行到了寫EEPROM 的底層驅動程序中,強來將數(shù)據(jù)寫入了進去!嘿嘿!讓我們嘗嘗強扭的瓜不甜!

對待敵人可不能手軟,怎樣扼殺他們在萌芽狀態(tài)!看我的絕招:

1. 擺闊氣:按Datasheet 上的時序,發(fā)現(xiàn)多數(shù)時候讀寫正確,但有時偶爾不對,這時可以降低讀寫的速度,多幾個NOP,不要太小氣嗎?咱們度量(ROM)還是能容的下的!

2. 避風頭:為防止讀EEPROM 的過程中出現(xiàn)復位,我們可以在MCU 復位后200ms 內禁止讀寫EEPROM,因充電引起的復位抖動,一般在數(shù)十毫秒內,過了這段時間,再出現(xiàn)復位的可能性不大,

3. 查證件:在寫EEPROM 的底層驅動程序中,在執(zhí)行寫動作時,判斷一下某些標志,有良名證的才能通過,否則,只好打回原籍(跳到復位地址)

4. 多買保險(3份最佳)以自救:對于重要的數(shù)據(jù)(如通信密碼、參數(shù)設置等,這些部分信息量不大,我們要采用三次備份的手段。這些信息存放在三個不同的PAGE 內,最好PAGE 內的地址也不一樣。在我們寫這些數(shù)據(jù)時,要針對不同的地址寫三次,而讀時,對于三處讀來的數(shù)據(jù),如果全相同,沒什么可說的了,如果有兩個相同,一個不同,則使用大數(shù)判決,使用相同的那個值,并將這個數(shù)值寫到不同的那個地址去。當然,如果三個值全不同,只好隨便取一個(如第一個),再將其寫入另兩個地址中去。這種方法非常有效,因為一般誤擦除不會是全部數(shù)據(jù),而只是某一處而已,我們可以允許EEPROM 某單元被誤擦除,只要讀了一次,就恢復了。

擴展閱讀:單片機調EEPROM存儲器24C256

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