RAM

Random-Access-Memory,隨機存儲存儲器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器，理解上靜動態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。

PSRAM

Pseudo static random access memory，偽SRAM偽隨機存儲器，內(nèi)部和DRAM相似，接口和SRAM相似，具有自刷新功能，不需要外部刷新。而其成本介于SRAM與DRAM之間。

單\雙端口RAM

單端口RAM同一時刻，只能滿足讀或?qū)懩骋粍幼鳎p端口RAM存在兩套獨立的地址、數(shù)據(jù)、讀寫控制等，可以同時進行兩個操作，當然為避免沖突，存在一定的仲裁控制，成本也更高。偽雙口RAM是只有兩訪問接口，單一個端口只讀，另一個端口只能寫。

ROM

Read-Only-Memory,只讀存儲器，通常使用時一次寫好，使用時只能進行讀操作，而不能進行寫操作。

CACHE

高速緩沖存儲器，由于存儲器DDR/DRAM等相對于處理器訪問速度較慢，增加的一級緩沖存儲空間，當需要處理器需要訪問內(nèi)存某一塊區(qū)域時，先緩存cache中，處理器訪問cache速度較快;但同時也需要增加處理DDR和CACHE中數(shù)據(jù)同步、替換等問題。

TCM

Tightly-Coupled-Memory 緊密耦合(鏈接)的存儲器，是指和處理器鏈接緊密,基本可以看做和CACHE同一等級連接的存儲空間(印象中ARM結(jié)構(gòu)上和L2 CACHE同一層次)，其存儲空間的內(nèi)容不會像CACHE處理一樣經(jīng)常替換。

EEPROM

Electrically Erasable Programmable read only memory電可擦可編程只讀存儲器，掉電非易失的存儲芯片，在特殊高電壓模式下可以插寫，普通模式下只讀ROM。

FLASH

閃存，和EEPROM一樣可擦除可重寫，差別EEPROM總是按字節(jié)操作，F(xiàn)LASH可以按照字節(jié)塊擦除。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash可以按照字節(jié)讀取，而NandFlash只能按塊讀取，兩者同樣可以按照字節(jié)塊擦除。Nor-Flash需要支持隨機讀取的地址、數(shù)據(jù)線，成本比Nand-Flash高，而其可擦寫次數(shù)低于NAND FLASH,一般嵌入系統(tǒng)中剛boot需要初始化的代碼需要放置在Nor-Flash中。

對于FLASH的讀取總線可以有I2C、SPI串行型，也可以采用并行Parallel;同樣Flash可以和處理器集成在一起或是通過總線外部訪問。

eMMC

embedded multi media card，集成了NAND FLASH和控制部分的集成電路，提供像SD、TF(trans-flash)卡一樣的使用接口。

硬盤

傳統(tǒng)硬盤采用磁材料作為存儲介質(zhì)，固態(tài)硬盤使用FLASH，訪問速度性能較好。