德國研究機構(gòu)ForschungszentrumRossendorf的科學家表示,已經(jīng)成功制造出超導鍺晶體(superconductinggermaniumcrystals),并因此向催生速度更快的半導體元件邁進一步。
這個由ThomasHerrmannsdorfer所領(lǐng)軍的研究團隊是將鍺晶體與高濃度的雜質(zhì)原子(impurityatoms)摻雜在一起;該雜質(zhì)原子是每100個鍺原子加入6個鎵(gallium)原子。由于這種高濃度雜質(zhì)原子會導致晶體結(jié)構(gòu)的強烈變形,接下來必須用強烈的閃光來修復晶格;而研究人員表示,那些修復后的晶體會出現(xiàn)像是非常高關(guān)鍵度磁場(veryhighcriticalmagneticfield)那樣的超導電性。
雖然該種超導電效應只能在0.5K的超低溫度下才能檢驗到,卻是鍺元素第一次被賦予超導電性。在兩年前,有一個法國的研究團隊曾用硅成功做過類似的實驗,但為了尋找制造速度更快晶片的方法,鍺最近吸引不少科學家的注意。
不過研究人員坦承,這種超導體鍺距離實際應用還有很長一段距離;“但我們有可能提高該種超導體的溫度。”研究團隊成員VitonHeera表示。因為如此,也許有可能制造出切換時間超短的氦冷卻鍺閘極(helium-cooledgermaniumgates)。
至于這種超導體在半導體制造上的實際應用,恐怕近期之內(nèi)無法實現(xiàn)?!斑@是基礎(chǔ)性的研究,”Heera表示:“我們距離真正的應用還很遠?!?br />
之前,美國運營商AT&T曾宣布,今年年底推出5G網(wǎng)絡(luò),而隨著時間的推移,2019年會有越來越多的國家和地區(qū)商用5G網(wǎng)絡(luò),在這樣的大環(huán)境下,芯片廠商提前布局也就是情理之中的事情了。
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