滯環(huán)控制的LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)

時(shí)間：2019-07-24 15:23:35

關(guān)鍵字：電源技術(shù)解析線性比例關(guān)系 os-fet 門極電壓

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[導(dǎo)讀]研究設(shè)計(jì)了一種高邊電流檢測(cè)的滯環(huán)控制的LED驅(qū)動(dòng)電路.電流滯環(huán)控制方式解決了電流峰值控制中峰值電流與平均電流不一致的問(wèn)題，并且沒(méi)有峰值電流控制中出現(xiàn)的占空比大于0.5時(shí)次諧波震蕩現(xiàn)象，故無(wú)須斜坡補(bǔ)償電路，電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單.能適應(yīng)寬范圍類電壓輸入以及較大范圍負(fù)載變化的場(chǎng)合.

關(guān)鍵點(diǎn)波形測(cè)試

在上述分析的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)了實(shí)驗(yàn)電路進(jìn)行驗(yàn)證，電路參數(shù)為：RS取0.5 Ω，電感L的值為220 μH,續(xù)流二極管為SS34,開(kāi)關(guān)MOS管選用IRFR024,電流檢測(cè)器采用LM358通用運(yùn)放，比較器選用LM393,與非門用74HC00,MOS 驅(qū)動(dòng)選用UCC27524D,R1=R2=4.7 kΩ，R3=R4=47 kΩ，R7=500 Ω，R6采用3個(gè)200 Ω電阻并聯(lián)，R5=910 Ω.

圖3(a)所示為實(shí)驗(yàn)電路占空比較大時(shí)，通過(guò)LED電流iRS 與MOS 管門極電壓VGS 波形圖.圖3(b)為占空比較小時(shí)，通過(guò)LED電流iRS與MOS管門極電壓VGS波形圖.通道1為電流探頭測(cè)得通過(guò)LED的電流波形，通道2為MOS管門極電壓VGS波形.

由圖3(a).圖3(b)可知iRS 電壓在一個(gè)最大值與最小值之間滯環(huán)變化，VGS 從最大占空比與最小占空比之間變化.該圖形表明，該滯環(huán)電路能穩(wěn)定iRS平均電壓，即穩(wěn)定輸出電流Iled.且占空比變化范圍大，能適應(yīng)大范圍輸入電壓變化或輸出負(fù)載變化的場(chǎng)合.圖4為調(diào)光信號(hào)占空比為0.5時(shí)的電路的工作波形圖，通道1的波形為加入調(diào)光信號(hào)后輸出的電流波形圖.通道2為頻率300 Hz 脈寬從1%~99%可調(diào)的PWM 數(shù)字調(diào)光信號(hào).