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臺積電發(fā)布65nm多次寫入NVM技術(shù)

時間：2009-07-07 13:16:29

關(guān)鍵字：臺積電 65NM 內(nèi)存 MT

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[導讀]臺積電(TSMC)日前首度揭示了晶圓代工領(lǐng)域中，65納米(nm)多次寫入(MTP)非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)的技術(shù)進展。該技術(shù)結(jié)合了與Virage Logic公司共同開發(fā)、已經(jīng)過驗證的MTP IP模塊。據(jù)表示，新技術(shù)是第一種2.5V的MTP制程，突

臺積電(TSMC)日前首度揭示了晶圓代工領(lǐng)域中，65納米(nm)多次寫入(MTP)非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)的技術(shù)進展。該技術(shù)結(jié)合了與Virage Logic公司共同開發(fā)、已經(jīng)過驗證的MTP IP模塊。

據(jù)表示，新技術(shù)是第一種2.5V的MTP制程，突破了過去3.3V的電壓障礙。新技術(shù)能讓許多系統(tǒng)應(yīng)用不再需要使用外部EEPROM，從而降低了功耗、面積與成本，同時提升了數(shù)據(jù)安全性。

新的MTP技術(shù)是以臺積電的65nm低功率(LP)制程技術(shù)為基礎(chǔ)，可提供8kb內(nèi)存容量，適合一些需要小型內(nèi)存的應(yīng)用，如MP3音樂下載的數(shù)字版權(quán)管理、RFID設(shè)備、指紋識別應(yīng)用，以及預付卡或電話卡等。

65納米MTP制程使用low-k銅互連與鎳硅化合物晶體管互連建構(gòu)了10層金屬層。該技術(shù)是完全還輯兼容的，且NVM內(nèi)存也完全不需要額外的制程或光罩。采用這種制程的組件將可完全支持在-40℃~125℃溫度范圍內(nèi)的讀取和編程，在125℃條件下數(shù)據(jù)可保存至少10年。

TSMC指出，這種65nm制程非常適合需要小型內(nèi)存的多種應(yīng)用。Virage Logic副總裁兼NVM方案部門總經(jīng)理Yankin Tanurhan則表示，該公司與TSMC就這種新MTP制程的努力，將為亟需采用先進制程的市場區(qū)塊如安全與無線等領(lǐng)域帶來真正的NVM可編程技術(shù)。

Tanurhan指出，由于其AEON是以標準CMOS制程為基礎(chǔ)，因此它不需要額外的光罩或制程，進而消除了浮閘內(nèi)存通常需要的制程步驟，這將有助減少所需投入的工程資源，包括將NVM整合進SoC設(shè)計中所需的相關(guān)成本在內(nèi)。

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