2010年4大DRAM陣營三星電子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代！繼爾必達跳過50納米制程，大舉轉換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術，并非是制程微縮下的產物，因此成本競爭力有十足把握；在爾必達、美光跟上制程進度后，年底4大陣營技術實力大幅縮小，競爭更激烈。

雖然三星電子和海力士已先一步轉到40納米世代，其中三星是46納米制程，海力士轉進44納米制程，但存儲器業(yè)者透露，兩大廠轉換的速度是雷聲大雨點小，傳出良率不如預期，因此量產的時間點延后，也凸顯40納米世代的困難度，連老大哥都有不少難題要克服，因此2010年DRAM產業(yè)號稱要以制程演進增加產出，恐怕位元成長率會不如預期。

值得注意的是，這次的40納米世代大戰(zhàn)，爾必達和美光都不會缺席，且在轉換的時間點上相當接近。繼爾必達和盟友力晶、瑞晶表示2010年要跳過50納米制程，直接轉45納米制程后，美光陣營的華亞科和南亞科也宣布42納米制程提前1季投產，將在年中轉進42納米制程。

華亞科總經理高啟全表示，由于50納米制程階段，3家公司就已經開始用Immersion機臺，因此轉進42納米制程的資金花費相對較少，且技術門檻相對較低，華亞科的計畫是2010年中42納米制程試產，年底通過認證，2011年42納米制程進入大量，而下半年將會有50納米制程打前鋒。

華亞科也強調，美光的50納米制程是正統(tǒng)且完整個1個世代技術，并非制程微縮下的產物，因此對成本結構相當有信心，預計3月開始大量投50納米，預計10月旗下13萬片產能可全數(shù)轉換到50納米制程，屆時全數(shù)產出為2GbDDR3產品。

爾必達的42納米制程在2009年底宣布量產，瑞晶將在2010年第2季導入，力晶也表示，日前已和爾必達、瑞晶共同采購Immersion機臺，為轉進42納米制程做暖身。

DRAM業(yè)者表示，爾必達2010年省略50納米，直接跳到45納米世代，技術層次上算相當厲害，但短期要面臨兩個問題，第1是現(xiàn)有的65納米技術不能做2Gb的DDR3，第2是跳躍世代的技術導入，過去DRAM廠從未有此經驗，因此良率和技術是否能順利銜接，同業(yè)都相當好奇。

DRAM業(yè)者指出，隨著爾必達和美光在40納米世代上趕上進度，與三星和海力士的距離更加縮小，年底4大DRAM陣營可望回到同1個競爭起點，其中美光打著正統(tǒng)50、40納米旗子，遇上爾必達這個擅長制程微縮的大軍，兩陣營廝殺會更加激烈。