臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)自主露曙光網(wǎng)羅奇夢(mèng)達(dá)團(tuán)隊(duì)
時(shí)間：2010-04-12 14:39:35
關(guān)鍵字：
DRAM
奇夢(mèng)達(dá)
爾必達(dá)
存儲(chǔ)器
手機(jī)看文章
掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章
[導(dǎo)讀]存儲(chǔ)器大廠華邦電在2010年初宣示投入40奈米制程大戰(zhàn)后，曾傳出加入爾必達(dá)(Elpida)45奈米陣營，然近期華邦內(nèi)部已悄悄網(wǎng)羅一組奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，借用埋入式閘極字元線連結(jié)(BuriedWordline)技術(shù)自行開發(fā)46奈米制
存儲(chǔ)器大廠華邦電在2010年初宣示投入40奈米制程大戰(zhàn)后，曾傳出加入爾必達(dá)(Elpida)45奈米陣營，然近期華邦內(nèi)部已悄悄網(wǎng)羅一組奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，借用埋入式閘極字元線連結(jié)(BuriedWordline)技術(shù)自行開發(fā)46奈米制程，可望成為臺(tái)灣第1家自己擁有40奈米世代DRAM技術(shù)存儲(chǔ)器大廠，未來華邦在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM技術(shù)恐將與爾必達(dá)漸行漸遠(yuǎn)。
臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)揭示40奈米制程計(jì)畫藍(lán)圖，華邦在2010年初亦對(duì)外宣布將建立40奈米制程自有團(tuán)隊(duì)，且已先就當(dāng)前最缺貨的浸潤式微影機(jī)器設(shè)備(ImmersionScanner)下訂單，充分展現(xiàn)卡位40奈米市場(chǎng)的決心。
原本業(yè)界認(rèn)為華邦與爾必達(dá)合作關(guān)系，將從繪圖卡存儲(chǔ)器(GDDR)代工，延伸至標(biāo)準(zhǔn)型DRAM45奈米技術(shù)，然近期華邦已悄悄網(wǎng)羅之前合作伙伴奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃憑借既有65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，自行研發(fā)奇夢(mèng)達(dá)已開發(fā)完成的46奈米BuriedWordline技術(shù)，成為臺(tái)灣第1家在40奈米世代走上技術(shù)開發(fā)自主之路的DRAM廠。
存儲(chǔ)器業(yè)者表示，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)系當(dāng)初試圖從溝槽式(Trench)技術(shù)轉(zhuǎn)型至堆疊式(Stack)技術(shù)的代表作，2008年底BuriedWordline技術(shù)已成功試產(chǎn)65奈米制程，并完成46奈米產(chǎn)品開發(fā)，原計(jì)劃在2009年中量產(chǎn)，但奇夢(mèng)達(dá)財(cái)務(wù)狀況持續(xù)惡化，2009年3月就宣布破產(chǎn)。
存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)其實(shí)相當(dāng)有競爭力，生產(chǎn)出來的晶圓尺寸非常小，若順利進(jìn)入量產(chǎn)階段，成本結(jié)構(gòu)競爭力不輸同業(yè)，當(dāng)時(shí)連爾必達(dá)都被奇夢(mèng)達(dá)該技術(shù)所吸引，雙方一度想要合作，但奇夢(mèng)達(dá)終究因?yàn)樨?cái)務(wù)赤字，而淹沒在DRAM大崩盤洪流中。
這次華邦借著過去與奇夢(mèng)達(dá)合作65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，加上延攬奇夢(mèng)達(dá)部分設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，以及融合手上奇夢(mèng)達(dá)GDDR專利和技術(shù)，自行開發(fā)46奈米制程，將走出一條有別于目前臺(tái)灣DRAM技術(shù)陣營除美光(Micron)和爾必達(dá)外的第3條路。
事實(shí)上，華邦走向自己開發(fā)DRAM制程技術(shù)之路，主要系因華邦營運(yùn)重心已逐漸從標(biāo)準(zhǔn)型DRAM轉(zhuǎn)向，專注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技術(shù)對(duì)于華邦而言，雖然一定要參與，但沒有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生產(chǎn)，直到2010年底都還相當(dāng)具競爭力，不像南亞科、華亞科、力晶等標(biāo)準(zhǔn)型DRAM廠追求低成本，急著在2010年下半轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米世代，華邦轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米系為SDRAM下世代技術(shù)鋪路，并不急于導(dǎo)入。
存儲(chǔ)器業(yè)者指出，華邦沒有與爾必達(dá)合作45奈米制程另一個(gè)考量，系因爾必達(dá)在輸出技術(shù)時(shí)會(huì)要求以產(chǎn)能交換，但華邦旗下12寸晶圓產(chǎn)能只有3.2萬片，2010年下半NORFlash產(chǎn)能占掉1萬片，加上SDRAM和MobileRAM產(chǎn)能排擠，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能已降至3,000~4,000片，實(shí)在沒有產(chǎn)能可與爾必達(dá)談判，因而未能成局。
另外，爾必達(dá)過去輸出技術(shù)除保障產(chǎn)能外，亦會(huì)要求技術(shù)授權(quán)費(fèi)用，產(chǎn)能越大的DRAM廠，每片晶圓所分?jǐn)偧夹g(shù)授權(quán)費(fèi)越低，以華邦3.2萬片產(chǎn)能來看，就算全部都拿來做DRAM，算下來每片晶圓成本還是很高，與爾必達(dá)合作未必占便宜。
DRAM業(yè)者認(rèn)為，原本爾必達(dá)在臺(tái)廠布局中，華邦是繼力晶、瑞晶、茂德之后下一個(gè)囊中物，但現(xiàn)在華邦走上自有技術(shù)開發(fā)之路，未來爾必達(dá)與既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之間互動(dòng)，勢(shì)必會(huì)更緊密。爾必達(dá)陣營中的力晶和瑞晶，計(jì)劃于2010年下半導(dǎo)入45奈米制程，美光陣營的南亞科和華亞科則將導(dǎo)入42奈米，如今加上華邦46奈米技術(shù)加入戰(zhàn)局，DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)熱鬧可期。
臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)揭示40奈米制程計(jì)畫藍(lán)圖，華邦在2010年初亦對(duì)外宣布將建立40奈米制程自有團(tuán)隊(duì)，且已先就當(dāng)前最缺貨的浸潤式微影機(jī)器設(shè)備(ImmersionScanner)下訂單，充分展現(xiàn)卡位40奈米市場(chǎng)的決心。
原本業(yè)界認(rèn)為華邦與爾必達(dá)合作關(guān)系，將從繪圖卡存儲(chǔ)器(GDDR)代工，延伸至標(biāo)準(zhǔn)型DRAM45奈米技術(shù)，然近期華邦已悄悄網(wǎng)羅之前合作伙伴奇夢(mèng)達(dá)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，計(jì)劃憑借既有65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，自行研發(fā)奇夢(mèng)達(dá)已開發(fā)完成的46奈米BuriedWordline技術(shù)，成為臺(tái)灣第1家在40奈米世代走上技術(shù)開發(fā)自主之路的DRAM廠。
存儲(chǔ)器業(yè)者表示，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)系當(dāng)初試圖從溝槽式(Trench)技術(shù)轉(zhuǎn)型至堆疊式(Stack)技術(shù)的代表作，2008年底BuriedWordline技術(shù)已成功試產(chǎn)65奈米制程，并完成46奈米產(chǎn)品開發(fā)，原計(jì)劃在2009年中量產(chǎn)，但奇夢(mèng)達(dá)財(cái)務(wù)狀況持續(xù)惡化，2009年3月就宣布破產(chǎn)。
存儲(chǔ)器業(yè)者認(rèn)為，奇夢(mèng)達(dá)BuriedWordline技術(shù)其實(shí)相當(dāng)有競爭力，生產(chǎn)出來的晶圓尺寸非常小，若順利進(jìn)入量產(chǎn)階段，成本結(jié)構(gòu)競爭力不輸同業(yè)，當(dāng)時(shí)連爾必達(dá)都被奇夢(mèng)達(dá)該技術(shù)所吸引，雙方一度想要合作，但奇夢(mèng)達(dá)終究因?yàn)樨?cái)務(wù)赤字，而淹沒在DRAM大崩盤洪流中。
這次華邦借著過去與奇夢(mèng)達(dá)合作65奈米技術(shù)基礎(chǔ)，加上延攬奇夢(mèng)達(dá)部分設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)，以及融合手上奇夢(mèng)達(dá)GDDR專利和技術(shù)，自行開發(fā)46奈米制程，將走出一條有別于目前臺(tái)灣DRAM技術(shù)陣營除美光(Micron)和爾必達(dá)外的第3條路。
事實(shí)上，華邦走向自己開發(fā)DRAM制程技術(shù)之路，主要系因華邦營運(yùn)重心已逐漸從標(biāo)準(zhǔn)型DRAM轉(zhuǎn)向，專注于SDRAM和NORFlash，因此，40奈米世代技術(shù)對(duì)于華邦而言，雖然一定要參與，但沒有急迫性，目前SDRAM采65奈米制程生產(chǎn)，直到2010年底都還相當(dāng)具競爭力，不像南亞科、華亞科、力晶等標(biāo)準(zhǔn)型DRAM廠追求低成本，急著在2010年下半轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米世代，華邦轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米系為SDRAM下世代技術(shù)鋪路，并不急于導(dǎo)入。
存儲(chǔ)器業(yè)者指出，華邦沒有與爾必達(dá)合作45奈米制程另一個(gè)考量，系因爾必達(dá)在輸出技術(shù)時(shí)會(huì)要求以產(chǎn)能交換，但華邦旗下12寸晶圓產(chǎn)能只有3.2萬片，2010年下半NORFlash產(chǎn)能占掉1萬片，加上SDRAM和MobileRAM產(chǎn)能排擠，標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)能已降至3,000~4,000片，實(shí)在沒有產(chǎn)能可與爾必達(dá)談判，因而未能成局。
另外，爾必達(dá)過去輸出技術(shù)除保障產(chǎn)能外，亦會(huì)要求技術(shù)授權(quán)費(fèi)用，產(chǎn)能越大的DRAM廠，每片晶圓所分?jǐn)偧夹g(shù)授權(quán)費(fèi)越低，以華邦3.2萬片產(chǎn)能來看，就算全部都拿來做DRAM，算下來每片晶圓成本還是很高，與爾必達(dá)合作未必占便宜。
DRAM業(yè)者認(rèn)為，原本爾必達(dá)在臺(tái)廠布局中，華邦是繼力晶、瑞晶、茂德之后下一個(gè)囊中物，但現(xiàn)在華邦走上自有技術(shù)開發(fā)之路，未來爾必達(dá)與既有合作伙伴力晶、瑞晶、茂德之間互動(dòng)，勢(shì)必會(huì)更緊密。爾必達(dá)陣營中的力晶和瑞晶，計(jì)劃于2010年下半導(dǎo)入45奈米制程，美光陣營的南亞科和華亞科則將導(dǎo)入42奈米，如今加上華邦46奈米技術(shù)加入戰(zhàn)局，DRAM產(chǎn)業(yè)40奈米大戰(zhàn)熱鬧可期。
下載文檔本站聲明： 本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀
Flash Memory 是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器 嵌入式系統(tǒng)為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)單片機(jī)中的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器以及二者的區(qū)別予以介紹。
關(guān)鍵字： 程序存儲(chǔ)器 指數(shù) 存儲(chǔ)器為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí)，本文將對(duì)隨機(jī)存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器以及二者的區(qū)別予以探討。
關(guān)鍵字： 隨機(jī)存儲(chǔ)器 指數(shù) 存儲(chǔ)器
廠商專欄
熱門文章
- 一文搞懂脈沖寬度調(diào)制（PWM）原理、頻率與占空比
- 國產(chǎn)GPU第一股摩爾線程終于來了：12月5日上市 市值537億
- 1.2億天價(jià)罰單！全球第三大設(shè)備商因臺(tái)積電2nm泄密案被起訴
- 科技巨頭集體預(yù)警：內(nèi)存價(jià)格將大幅上漲！
- 基于PLC的焊點(diǎn)檢測(cè)隔離機(jī)的電控設(shè)計(jì)
- 盤點(diǎn)GET 和 POST請(qǐng)求的本質(zhì)區(qū)別
- CAN收發(fā)器
- CAN的數(shù)據(jù)幀
- 荷蘭安世仍未向中國供應(yīng)晶圓 全球汽車產(chǎn)線幾周內(nèi)或?qū)⑼．a(chǎn)
- 終止一切對(duì)華采購！美國汽車巨頭要求數(shù)千供應(yīng)商“斷華”！
編輯精選
更多
論壇活動(dòng)
更多
論壇熱帖
- 【每周分享】程序員真的逃不過35歲被裁的坎嗎？
- 【每周分享】公司已經(jīng)裁掉我了，還在繼續(xù)安排大量工作給我，這合適嗎？
- 【每周分享】努力、運(yùn)氣、選擇，哪一個(gè)更重要？
- CW32L012固件庫發(fā)現(xiàn)兩處問題
- CW32L011休眠模式 偶發(fā)無法喚醒
- gd32f4 中斷影響adc采樣怎么解決
- GD32F303定時(shí)器捕獲頻率出現(xiàn)問題
- 用PMOS做開關(guān)的電路，開關(guān)按下PMOS導(dǎo)通，電路為啥不行呢
- APM32F407備份SRAM VBAT測(cè)試避坑指南：從誤判到精準(zhǔn)檢測(cè)
- 極海的APM32F425和APM32F427到底有什么區(qū)別？
技術(shù)子站
更多
資料下載
更多
技術(shù)學(xué)院
- TrendForce集邦咨詢: 預(yù)估2026年全球AI 服務(wù)器出貨年增逾28%，ASIC類別占比擴(kuò)大
- TrendForce集邦咨詢: 美光收購力積電銅鑼晶圓廠，2027年全球DRAM供給或?qū)⑸闲?/a>
- TrendForce集邦咨詢: 新機(jī)調(diào)價(jià)抑制銷售需求，2026年第二季度起智能手機(jī)生產(chǎn)承壓明顯
- 電動(dòng)汽車電池管理系統(tǒng)原理
- 手把手教你如何解決MySQL order by limit語句的分頁數(shù)據(jù)重復(fù)問題
- 盤點(diǎn)PCB電路板上需要有測(cè)試點(diǎn)的原因
- 盤點(diǎn)晶體諧振器振蕩頻率溫度特性異常的幾個(gè)原因
- PCB板的ESD保護(hù)電路設(shè)計(jì)原理解析
