恩智浦發(fā)布符合汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝功率SO-8MOSFET系列
主要特點(diǎn)為：LFPAK封裝利用銅片設(shè)計(jì)，典型厚度為1.1mm，遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的SO8和DPAK封裝（恩智浦未透露具體厚度值），減小了導(dǎo)通電阻和MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗。
其他特點(diǎn)包括：LFPAK系列產(chǎn)品有5個(gè)電壓級(jí)別：30V、40V、 55V、75V 和 100V；耐受瞬時(shí)大電流；100%突波耐受測(cè)試；符合汽車(chē)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，最高工作溫度為175°C；支持引線光學(xué)檢查。
據(jù)恩智浦工程師的詳細(xì)解釋?zhuān)篖FPAK封裝即Power SO-8封裝，比傳統(tǒng)的SO-8封裝厚度更薄，導(dǎo)通阻抗更低，負(fù)荷電流更高。PowerSO-8封裝與傳統(tǒng)SO8封裝在引腳位置與分布上也相同，因此很多時(shí)候可以直接在原有的傳統(tǒng)SO-8焊點(diǎn)上直接焊接，更好地發(fā)揮MOSFET的性能，并獲得更優(yōu)的焊點(diǎn)設(shè)計(jì)。由于目前業(yè)界對(duì)PowerSO-8封裝還沒(méi)有一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)定義，因此各家公司在封裝設(shè)計(jì)上都會(huì)一些細(xì)微的差別?；谶@一原因，恩智浦引入了統(tǒng)一的焊點(diǎn)設(shè)計(jì)，可以在不改變PCB布圖的情況下采用LFPAK封裝，或者其他供應(yīng)商的Power SO-8封裝產(chǎn)品。
根據(jù)整車(chē)廠在汽車(chē)電子應(yīng)用中保持燃油效率、電子穩(wěn)定性和可靠性的需求，恩智浦推出了上述LFPAK功率SO-8 MOSFET系列產(chǎn)品。
目標(biāo)應(yīng)用為：發(fā)動(dòng)機(jī)和變速系統(tǒng)控制器；防抱死制動(dòng)系統(tǒng)；冷卻泵；DC/DC轉(zhuǎn)換器；電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）和電動(dòng)液壓助力轉(zhuǎn)向（EHPS）系統(tǒng)；電池反向保護(hù)；當(dāng)考慮空間敏感性時(shí)，用作通用汽車(chē)電子切換元件。（記者 恩平）
下載文檔汽車(chē)電氣化正在興起，隨著世界各國(guó)政府試圖實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，它可能會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。本文摘錄了與恩智浦半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁兼高級(jí)模擬業(yè)務(wù)線總經(jīng)理 Jens Hinrichsen 就汽車(chē)電氣化的各個(gè)方面的對(duì)話(huà)——從技術(shù)方面，包括電池...
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關(guān)鍵字： HDD 機(jī)械硬盤(pán) AMR 封裝為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗，必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流，則功率損耗會(huì)降低，因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō)，柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
關(guān)鍵字： 柵極驅(qū)動(dòng)器 MOSFET意法半導(dǎo)體推出符合 VDA 標(biāo)準(zhǔn)的LIN 交流發(fā)電機(jī)穩(wěn)壓器，提高 12V 汽車(chē)電氣系統(tǒng)的性能和靈活性
該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管，MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流，當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí)，續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制，當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí)，使輸...
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