南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)
[導(dǎo)讀]繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)亦不甘示弱，臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程，較原訂計(jì)畫(huà)提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，
繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)亦不甘示弱，臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程，較原訂計(jì)畫(huà)提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，40納米世代技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體業(yè)者是很大挑戰(zhàn)，但對(duì)于美光(Micron)與南亞科而言，42納米是50納米制程延伸技術(shù)，只要跨過(guò)50納米，快速銜接42納米制程并不難。
面對(duì)三星來(lái)勢(shì)洶洶，半導(dǎo)體事業(yè)資本支出高達(dá)80億~90億美元，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)因應(yīng)之道就是加速制程微縮腳步，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)現(xiàn)在都卯足勁加速制程轉(zhuǎn)換，提前新一代制程導(dǎo)入時(shí)間點(diǎn)。南亞科和瑞晶不約而同將旗下40納米制程世代，提前于6月導(dǎo)入，相較于原本計(jì)畫(huà)提前整整1季。存儲(chǔ)器業(yè)者表示，一方面是因?yàn)锳SML浸潤(rùn)式微影設(shè)備(ImmersionScanner)陸續(xù)交貨，另一方面則是受到三星的刺激，決定要加快新制程速度，免得未來(lái)在技術(shù)和成本競(jìng)爭(zhēng)力與三星越拉越大。
南亞科指出，目前12寸晶圓廠(chǎng)3萬(wàn)片產(chǎn)能中，50與68納米制程各占50%，預(yù)計(jì)第3季全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米，而原本第3季才投片試產(chǎn)的42納米制程，將提前于6月投片，預(yù)計(jì)42納米制程成本結(jié)構(gòu)可較50納米下降30%，相當(dāng)具有競(jìng)爭(zhēng)力。至于同集團(tuán)的華亞科42納米制程進(jìn)度亦是同步提前，原本計(jì)劃第4季導(dǎo)入，目前預(yù)計(jì)9月開(kāi)始試產(chǎn)。
瑞晶亦決定提前在6月導(dǎo)入爾必達(dá)45納米制程，事實(shí)上，瑞晶早就希望在第2季導(dǎo)入45納米制程，但因ASML浸潤(rùn)式微影設(shè)備一直延宕交貨，使得瑞晶被迫延后，原本以為要等到第3季，如今確定6月開(kāi)始導(dǎo)入，預(yù)計(jì)可趕上第3季底逐漸量產(chǎn)。瑞晶目前主流投片制程為63納米，預(yù)計(jì)7月旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能可全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米，同時(shí)亦全力提升45納米制程良率。
白培霖認(rèn)為，40納米制程世代對(duì)于所有半導(dǎo)體廠(chǎng)包括DRAM廠(chǎng)、晶圓代工廠(chǎng)，都是很大挑戰(zhàn)，要從60或70納米直接跳到40納米制程，技術(shù)門(mén)檻很高，但南亞科和美光狀況不一樣，美光42納米幾乎是50納米微縮延伸版本，美光、南亞科和華亞科都花很多時(shí)間轉(zhuǎn)進(jìn)50納米，未來(lái)在導(dǎo)入42納米時(shí)，技術(shù)難度就不會(huì)這么高。
瑞晶和力晶目前大量導(dǎo)入63納米制程，優(yōu)點(diǎn)是投入極少資本支出，但獲得成本效益并不輸美光陣營(yíng)50納米制程技術(shù)，但缺點(diǎn)是采用63納米制程無(wú)法生產(chǎn)2Gb容量芯片，雖然可以用2顆1Gb芯片來(lái)堆疊出貨，但在封裝成本效益及省電上，1Gb芯片還是無(wú)法與2Gb芯片相比。
由于三星宣布將投入高達(dá)80億~90億美元資本支出在半導(dǎo)體事業(yè)上，其中一半資金用在升級(jí)現(xiàn)有DRAM廠(chǎng)機(jī)器設(shè)備和制程技術(shù)，顯見(jiàn)三星對(duì)于其46納米、甚至下一代30納米制程相當(dāng)有信心，因此，DRAM市場(chǎng)在2010年下半會(huì)面臨三星產(chǎn)能大幅增加的嚴(yán)峻考驗(yàn)。南亞科認(rèn)為，這一波DRAM產(chǎn)業(yè)榮景可持續(xù)到2011年底或2012年上半，除觀(guān)察各廠(chǎng)新產(chǎn)能開(kāi)出時(shí)間點(diǎn)，還要看企業(yè)換機(jī)需求能維持多久。
面對(duì)三星來(lái)勢(shì)洶洶，半導(dǎo)體事業(yè)資本支出高達(dá)80億~90億美元，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)因應(yīng)之道就是加速制程微縮腳步，臺(tái)系DRAM廠(chǎng)現(xiàn)在都卯足勁加速制程轉(zhuǎn)換，提前新一代制程導(dǎo)入時(shí)間點(diǎn)。南亞科和瑞晶不約而同將旗下40納米制程世代，提前于6月導(dǎo)入，相較于原本計(jì)畫(huà)提前整整1季。存儲(chǔ)器業(yè)者表示，一方面是因?yàn)锳SML浸潤(rùn)式微影設(shè)備(ImmersionScanner)陸續(xù)交貨，另一方面則是受到三星的刺激，決定要加快新制程速度，免得未來(lái)在技術(shù)和成本競(jìng)爭(zhēng)力與三星越拉越大。
南亞科指出，目前12寸晶圓廠(chǎng)3萬(wàn)片產(chǎn)能中，50與68納米制程各占50%，預(yù)計(jì)第3季全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米，而原本第3季才投片試產(chǎn)的42納米制程，將提前于6月投片，預(yù)計(jì)42納米制程成本結(jié)構(gòu)可較50納米下降30%，相當(dāng)具有競(jìng)爭(zhēng)力。至于同集團(tuán)的華亞科42納米制程進(jìn)度亦是同步提前，原本計(jì)劃第4季導(dǎo)入，目前預(yù)計(jì)9月開(kāi)始試產(chǎn)。
瑞晶亦決定提前在6月導(dǎo)入爾必達(dá)45納米制程，事實(shí)上，瑞晶早就希望在第2季導(dǎo)入45納米制程，但因ASML浸潤(rùn)式微影設(shè)備一直延宕交貨，使得瑞晶被迫延后，原本以為要等到第3季，如今確定6月開(kāi)始導(dǎo)入，預(yù)計(jì)可趕上第3季底逐漸量產(chǎn)。瑞晶目前主流投片制程為63納米，預(yù)計(jì)7月旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能可全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)63納米，同時(shí)亦全力提升45納米制程良率。
白培霖認(rèn)為，40納米制程世代對(duì)于所有半導(dǎo)體廠(chǎng)包括DRAM廠(chǎng)、晶圓代工廠(chǎng)，都是很大挑戰(zhàn)，要從60或70納米直接跳到40納米制程，技術(shù)門(mén)檻很高，但南亞科和美光狀況不一樣，美光42納米幾乎是50納米微縮延伸版本，美光、南亞科和華亞科都花很多時(shí)間轉(zhuǎn)進(jìn)50納米，未來(lái)在導(dǎo)入42納米時(shí)，技術(shù)難度就不會(huì)這么高。
瑞晶和力晶目前大量導(dǎo)入63納米制程，優(yōu)點(diǎn)是投入極少資本支出，但獲得成本效益并不輸美光陣營(yíng)50納米制程技術(shù)，但缺點(diǎn)是采用63納米制程無(wú)法生產(chǎn)2Gb容量芯片，雖然可以用2顆1Gb芯片來(lái)堆疊出貨，但在封裝成本效益及省電上，1Gb芯片還是無(wú)法與2Gb芯片相比。
由于三星宣布將投入高達(dá)80億~90億美元資本支出在半導(dǎo)體事業(yè)上，其中一半資金用在升級(jí)現(xiàn)有DRAM廠(chǎng)機(jī)器設(shè)備和制程技術(shù)，顯見(jiàn)三星對(duì)于其46納米、甚至下一代30納米制程相當(dāng)有信心，因此，DRAM市場(chǎng)在2010年下半會(huì)面臨三星產(chǎn)能大幅增加的嚴(yán)峻考驗(yàn)。南亞科認(rèn)為，這一波DRAM產(chǎn)業(yè)榮景可持續(xù)到2011年底或2012年上半，除觀(guān)察各廠(chǎng)新產(chǎn)能開(kāi)出時(shí)間點(diǎn)，還要看企業(yè)換機(jī)需求能維持多久。
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