惠普(HP)和閃迪(SanDisk)公司目前正合作準備推出一種全新的存儲芯片，據(jù)說會對計算機和其他設(shè)備乃至整個領(lǐng)域產(chǎn)生很大影響，幫助實現(xiàn)大跨步的邁進。這兩家公司是周四宣布合作的，并且宣稱未來將推出的這種芯片比現(xiàn)有智能手機中所用的閃存快1000倍。而且未來還將以更低的成本取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存。

惠普和閃迪打算用這種最新的存儲技術(shù)顛覆這一市場，這似乎是對Intel和美光(Micron)今年7月份發(fā)布的一種3D Xpoint技術(shù)的回應(yīng)。

眾所周知，計算設(shè)備采用DRAM和SRAM作為易失性存儲器，它們的特點是成本相對更高，但數(shù)據(jù)傳輸速度更快，在斷電的時候數(shù)據(jù)就會丟失。而對于長期存儲，機械硬盤和閃存芯片是常規(guī)手段，在速度上更慢，但成本相對更低。

很多人都在夢想一種新的存儲技術(shù)的出現(xiàn)，就是結(jié)合長期和短時存儲這兩者的優(yōu)勢，這樣計算設(shè)備的使用體驗就能更上一層樓?；萜帐紫夹g(shù)官兼副總裁Martin Fink表示：“我們就是要讓過去的技術(shù)崩潰，讓這個世界變得更簡單。”

這種被稱為通用存儲的技術(shù)應(yīng)該算是目前惠普研究的一個重要方向，未來是有機會顛覆過去60年來形成的計算機領(lǐng)域的存儲標準的。存儲市場當前的主流發(fā)展趨勢是閃存和DRAM通過縮減晶體管尺寸達成性能提升，這一模式達成的影響正在變小。

惠普與閃迪表示，他們的這次合作會用到兩家企業(yè)單獨研究的兩種技術(shù)，惠普的的憶阻器和閃迪的RRAM，這兩種技術(shù)都是利用改變電阻的材料。實際上惠普和閃迪并不是唯一兩家在這么做的企業(yè)，初創(chuàng)企業(yè)Crossbar也在開發(fā)RRAM，還有Intel和美光目前公布的技術(shù)細節(jié)聽起來跟其他企業(yè)所說的也比較類似。

Moor Insights & Strategy分析師Patrick Moorhead表示，這次的合作實際上“和美光與Intel所說的是同一個陣營”。惠普工程師將會幫助開發(fā)這項進技術(shù)，閃迪則會進行這種聯(lián)合設(shè)計芯片的生產(chǎn)。除了存儲芯片之外，這兩家企業(yè)還計劃在利用這種技術(shù)的系統(tǒng)上進行合作。閃迪執(zhí)行副總裁Siva Sivaram表示：“這是一次長期合作。”

惠普和閃迪表示，他們不會將技術(shù)授權(quán)給其他企業(yè)，先前Intel和美光也表達了相同的戰(zhàn)略，這跟傳統(tǒng)的模式還是有很大差異的。Fink表示，這種芯片并非價格驅(qū)動的商品，“我們正轉(zhuǎn)向基于價值的世界。”這項技術(shù)預(yù)計會在2018-2020年抵達市場，但并沒有非常明確的時間表。