2016年半導(dǎo)體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝，主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries(格羅方德)三大陣營，下一個節(jié)點是10nm，三方都會在明年量產(chǎn)，不過10nm主要針對低功耗移動芯片，下下個節(jié)點7nm才是高性能工藝，是首次突破10nm極限，也是三方爭搶的重點，TSMC及三星都準備搶首發(fā)。不過此前缺席了的GlobalFoundries公司這一次殺回來了，誓言在7nm節(jié)點領(lǐng)先。

IBM、GF去年率先公布了7nm工藝的突破進展

在7nm節(jié)點上，Intel表態(tài)很謹慎，14nm及10nm工藝都要戰(zhàn)三代，7nm工藝要等到2020年了，但是TSMC和三星就激進多了，三星前不久巨資購入了EUV光刻機，希望在明年開始試產(chǎn)7nm工藝，TSMC公司也不甘落后，聯(lián)合CEO劉德音日前表態(tài)稱7nm工藝的SRAM良率已達30-40%，將是業(yè)界首家通過7nm工藝認證的半導(dǎo)體公司。

在這三家公司之外，還有一家公司不容忽視——從AMD半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離出來的GlobalFoundries(格羅方德)公司，雖然被稱為AMD的GF，但他們現(xiàn)在已經(jīng)跟AMD沒多大關(guān)系了，AMD的股份已經(jīng)全都出手了，雙方現(xiàn)在更像是一般的代工合作伙伴關(guān)系。

GlobalFoundries此前在半導(dǎo)體工藝上走的磕磕絆絆，但在14nm節(jié)點果斷放棄自研工藝轉(zhuǎn)而選擇了三星14nm FinFET授權(quán)，現(xiàn)在已經(jīng)走上正規(guī)了，不過他們顯然不會甘心于此，2014年收購了IBM公司的晶圓廠業(yè)務(wù)——他們沒花錢，反倒是IBM補貼了15億美元。

GlobalFoundries在這次收購中獲得了大量有經(jīng)驗的員工，這對推動新工藝研發(fā)很有幫助。去年7月份，GlobalFoundries聯(lián)合IBM、三星及紐約州立大學(xué)率先推出了7nm工藝，他們也要在新一代工藝上保持領(lǐng)先了。

日前GlobalFoundries公司CTO。高級副總Gary Patton透露了他們的7nm工藝進展，表示已經(jīng)激進地縮減了新工藝的柵極間距(pitch，衡量工藝水平的關(guān)鍵指標之一，數(shù)值越小越好)。

Patton表示他們在紐約州馬耳他市的晶圓廠正在量產(chǎn)14nm工藝，這為他們開發(fā)更先進的工藝奠定了基礎(chǔ)。

對于7nm，Patton聲稱即便沒有EUV工藝，他們的新工藝也能降低晶圓成本。

按照Patton的預(yù)計，EUV工藝預(yù)計會在2020年量產(chǎn)，2018/2019年可能會少量生產(chǎn)。