英特爾(Intel)創(chuàng)辦人Robert Noyce和Gordon Moore為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了兩項(xiàng)重要傳承。其一是“摩爾定律”(Moore’s Law)——眾所周知，但卻經(jīng)常被誤解。其次是平面集成電路(IC)。另一位集成電路發(fā)明人Jack Kilby在2000年獲得諾貝爾獎(jiǎng)時(shí)曾經(jīng)說(shuō)，“如果Noyce還活著的話(huà)，一定會(huì)和他一起因?yàn)榧呻娐范蚕碇Z貝爾獎(jiǎng)的榮耀。”

Noyce和Moore為業(yè)界帶來(lái)重大發(fā)明——商用晶體管和集成電路——雙極性接面晶體管(BJT)以及平面集成電路技術(shù)，并成立了第一家公司——快捷半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)。當(dāng)他們離開(kāi)Fairchild后成立了英特爾，致力于打造高密度內(nèi)存以及低功耗邏輯芯片——全新的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，并引領(lǐng)第二次的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。

這些芯片僅使用一種MOSFET的晶體管類(lèi)型(p型或n型)，具有三種電源電壓(+12V、0V或接地以及-5V)。然而，相較于使用雙極性接面晶體管制造的集成電路，他們?nèi)匀痪哂懈偷墓β室约案叩拿芏取?/p>

在那個(gè)時(shí)代，還沒(méi)有像當(dāng)今所熟知的CMOS等互補(bǔ)式MOSEFET (n型和p型)單芯片整合技術(shù)。一直到15年后，大約在1980年代初，盡管CMOS集成電路較復(fù)雜且制造成本高，但由于降低功耗的需求，CMOS整合電路成為英特爾與業(yè)界打造邏輯芯片與內(nèi)存芯片的選擇。

眾所周知，當(dāng)今的高性能運(yùn)算數(shù)據(jù)中心消耗大量的電力，而行動(dòng)運(yùn)算芯片則受到能量供應(yīng)以及電池壽命的限制。這兩個(gè)細(xì)分市場(chǎng)目前都受到每一代CMOS工藝電源電壓微縮速度放緩的挑戰(zhàn)。

針對(duì)可以使用平行運(yùn)算的應(yīng)用(例如繪圖和平行算法)，我們利用多核心處理途徑來(lái)降低功耗。這正是英特爾在2005年采取的所謂“向右轉(zhuǎn)”(right-hand turn)策略。

當(dāng)然還有一些應(yīng)用無(wú)法實(shí)現(xiàn)平行化，因此被稱(chēng)為單線(xiàn)程應(yīng)用。此外，透過(guò)互連走線(xiàn)在內(nèi)存與運(yùn)算邏輯之間來(lái)回移動(dòng)數(shù)據(jù)的能量，成為最主要的運(yùn)算功耗來(lái)源。

從1990年代起，業(yè)界逐步為每一工藝世代提高3倍的CMOS邏輯開(kāi)關(guān)能效。這主要是透過(guò)Dennard微縮定律實(shí)現(xiàn)的——該定律規(guī)定在每個(gè)新的工藝世代，MOSFET閘極的長(zhǎng)度和寬度、電源電壓和閘極氧化層的厚度都減少0.7倍。

從5V降至1.25V，大約有三分之二的開(kāi)關(guān)能量改善就來(lái)自于每一工藝世代微縮0.7倍的電源電壓(V)。遺憾的是，Dennard微縮定律在2003年130納米(nm)節(jié)點(diǎn)時(shí)止步。之后，每一世代的開(kāi)關(guān)能源降低幅度因此減少了。

由于MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)的漏電流限制，因而不可能再降低30%的電源電壓。CMOS晶體管可以被開(kāi)啟或關(guān)斷的程度，取決于電子熱能分布的物理限制特性——在室溫下每10倍電流變化受限于60mV。這種效應(yīng)被稱(chēng)為Boltzmann Tyranny。

由于Dennard微縮在2003年左右結(jié)束，其后每一代新工藝中的功率密度不再保持趨近于恒定，而是必須透過(guò)減慢或限制CPU頻率增加，從而克服功率密度增加的挑戰(zhàn)。

使用多個(gè)平行處理核心，就能提高運(yùn)算性能。由于摩爾定律仍持續(xù)進(jìn)展，而且使CMOS技術(shù)能夠在每代工藝提高約2倍的晶體管密度，從而降低了每一世代中的每個(gè)晶體管成本。這是摩爾定律的基本前提。

英特爾工藝技術(shù)世代中，32位算術(shù)邏輯單元的能量與延遲比較(來(lái)源：Intel)

自Dennard微縮結(jié)束后，英特爾與業(yè)界持續(xù)創(chuàng)新并致力于延續(xù)摩爾定律，引領(lǐng)業(yè)界走向所謂的MOSFET材料和組件結(jié)構(gòu)微縮的時(shí)代：

• 在90nm節(jié)點(diǎn)應(yīng)變信道，以提高信道遷移率

• 在45nm節(jié)點(diǎn)使用高k閘極電介質(zhì)，以減少閘極氧化物漏電流

• 使用FinFET減少短通道在源極—漏極關(guān)斷狀態(tài)的晶體管漏電流

• FinFET技術(shù)還能以鰭片高度縮小組件面積

展望未來(lái)十年，功耗和功率密度將會(huì)被視為限制數(shù)據(jù)中心和行動(dòng)裝置運(yùn)算性能提升的因素。我們將再次面臨挑戰(zhàn)，就像1980年代使用80386處理器時(shí)的情況一樣——運(yùn)算性能受到功耗或熱的限制，但事實(shí)上，這些問(wèn)題最終都透過(guò)芯片封裝技術(shù)改善了。

在面臨這一挑戰(zhàn)時(shí)，英特爾曾經(jīng)將微處理器制造技術(shù)從僅使用n通道MOSFET改變?yōu)椴捎没パa(bǔ)n型和p型MOSFET的CMOS，在同一工藝技術(shù)中提供了兩種晶體管。

在接下來(lái)的系列文章中，我們將繼探索在CMOS持續(xù)微縮過(guò)程的限制因素，以及如何引導(dǎo)業(yè)界走向克服挑戰(zhàn)之路。