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[導(dǎo)讀]浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米,不過,22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭,爭議不斷。據(jù)了解,臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案,并已有具體成果,但積極推動深紫

浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米,不過,22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭,爭議不斷。據(jù)了解,臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子(MEBDW)方案,并已有具體成果,但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示,目前已有數(shù)家客戶下單,最快2009年便可出貨,但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」,尚未有定論。

ASML表示,目前深紫外光EUV的光波波長可達(dá)13.5納米,約是248波長的KrF顯影設(shè)備的15分之1,盡管浸潤式顯影采用雙重曝光技術(shù)可讓摩爾定律延伸至32納米,但仍是過度性產(chǎn)品,EUV才能最終克服22~15納米,目前市場已有數(shù)家客戶下單最快2009年出貨供客戶試產(chǎn)。目前ASML的EUV機(jī)種全球僅IBM的Albany實(shí)驗(yàn)室及歐洲微電子技術(shù)中心(IMEC)各擁1臺,而英特爾(Intel)也是曾公開挺EUV的半導(dǎo)體業(yè)者。

ASML表示,浸潤式顯影已經(jīng)遇到技術(shù)瓶頸,EUV則是最具潛力的接棒者。浸潤式顯影若尋求進(jìn)一步技術(shù)突破,必須尋找其它的液體取代純水,而聚焦鏡頭材料也要重新研發(fā),這2種途徑都已經(jīng)出現(xiàn)瓶頸。半導(dǎo)體業(yè)者指出,目前取代純水的液體包括有機(jī)、無機(jī)液體,不過,有機(jī)液體遇到193波長光源將出現(xiàn)質(zhì)變等多重挑戰(zhàn)。

臺積電早期與ASML攜手研發(fā)浸潤式顯影目前已進(jìn)入第5代機(jī)種,不過,臺積電目前對于進(jìn)入22納米以下,究竟采用EUV或直寫式多重電子束,臺積電的正式說法是未定論。目前全球研發(fā)電子束直寫式的設(shè)備業(yè)者屈指可數(shù),包括Mapper、科磊(KLA-Tencor)及日系業(yè)者JOEL,臺積電內(nèi)部與Mapper則緊密合作。臺積電認(rèn)為,若是EUV的光源能量不能有效提高,那么多重電子束則相對具成本競爭力,不過多重電子束本身的生產(chǎn)力也須再進(jìn)一步提升。
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據(jù)業(yè)內(nèi)消息,俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商Baikal Electronics最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺積電代工,但可惜的是,鑒于目前美國歐盟對俄羅斯的芯片制裁政策,大概率會導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

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據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對多個半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴,其中包含三星電子、高通公司、臺積電等。

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據(jù)外媒TECHPOWERUP報(bào)道,中國臺灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴(kuò)展到其他國家已不是什么秘密,臺積電已同意在亞利桑那州建廠,同時歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺積電洽談建廠。

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12 月 15 日消息,英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺積電,敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外,digitimes 放出了一張來源于彭博社的數(shù)據(jù),曝光了臺積電前 10 大客戶營收貢獻(xiàn)占比。

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近日,半導(dǎo)體龍頭企業(yè)士蘭微(600460)披露再融資預(yù)案,65億元募集資金將用于12寸芯片生產(chǎn)線、SiC功率器件生產(chǎn)線和汽車半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目的建設(shè)。

關(guān)鍵字: 士蘭微 芯片 電子

雖然說臺積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常,并不會因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺風(fēng)造成的交通機(jī)場轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響,對于這些半導(dǎo)體大廠來說也可謂是不小的麻煩。

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近日,在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上,三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來技術(shù)路線圖,宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝,更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會在2027年投產(chǎn),主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。

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